SIBA 西霸 D 系列熔断器在直流电路保护中展现出独特优势。直流电路因电流方向恒定,短路时电弧更难熄灭,传统熔断器易出现 “拉弧” 现象,而 D 系列通过三重灭弧设计解决这一难题:特制石英砂填充层增强电弧冷却效果,熔体刻槽形成多断点加速电弧分散,外壳内壁镀铜层引导电弧快速熄灭,分断直流电流可达 50kA。在 1000V 直流电路中,面对 20kA 短路电流,D 系列熔断器分断时间* 0.6ms,远低于行业平均 1.2ms 的水平;同时,其具备优异的抗 “续流” 能力,能有效防止蓄电池、电容等直流电源持续放电导致的二次故障。在储能系统、直流充电桩等场景中,D 系列熔断器为直流电路筑起可靠的安全屏障。SIBA西霸产品远销全球120多个国家和地区,在电力、工业、交通等领域赢得认可。SIBA西霸2000313.35
SIBA 西霸 D 系列熔断器通过多项国际**认证,符合严苛标准。其通过 IEC 60269-6 直流熔断器标准认证,在直流分断能力、时间 - 电流特性等方面达到国际前列水平;通过 UL 248-11 认证,满足北美市场准入要求;同时,符合 GB/T 13539.6 国家标准,适配国内场景应用。在安全性能上,D 系列熔断器具备过流保护、短路保护双重功能,熔断后绝缘电阻≥10¹²Ω,无漏电风险;外壳采用 UL94 V-0 级阻燃材料,遇火不燃烧,防止火灾蔓延。此外,产品通过 RoHS、REACH 环保认证,采用无铅、无汞材料,符合全球环保法规,可在国内外各类直流场景中合规使用。SIBA西霸2000313.35SIBA西霸熔断器耐高温性能出色,工作温度范围覆盖-55℃至125℃,适应高低温极端环境。

SIBA 西霸 D 系列熔断器的可靠性能源于全流程严格的质量管控。原材料环节,紫铜镀银熔体需检测纯度(铜纯度≥99.95%、银镀层厚度≥5μm)与导电率;陶瓷外壳进行抗压强度(≥300MPa)与绝缘电阻测试;灭弧石英砂需检测纯度(≥99.8%)与颗粒度分布。生产过程中,熔体刻槽采用精度 ±0.005mm 的激光设备,确保熔断特性一致性;封装工艺通过自动化生产线完成,密封性能测试在 1MPa 气压下无漏气。成品阶段,每台熔断器需进行直流通流测试、短路分断测试、高低温循环测试,抽样进行振动冲击、盐雾腐蚀测试,确保每一款产品都能在直流与特殊场景中可靠运行。
SIBA 西霸半导体快速熔断器拥有宽广的电压适配范围,能满足不同场景下的半导体设备保护需求。其产品涵盖低压、中压、高压多个系列,低压系列适配 250V-1000V 交流 / 直流电路,如新能源汽车充电桩、光伏逆变器;中压系列适配 1000V-3000V 电路,可用于工业变频器、SVG 静止无功发生器;高压系列*高适配 1500V 直流电路,能满足储能系统、高压变频器的保护需求。不同电压等级的熔断器均经过严格的耐压测试,在额定电压下绝缘性能稳定,且分断能力随电压等级优化设计,确保在不同电压工况下都能可靠分断故障电流。SIBA西霸熔断器产品通过IEC、UL、GB等国际国内标准认证,符合全球多地安全与环保法规要求。

SIBA 西霸高压熔断器的撞击器系统,是其区别于传统高压熔断器的重要创新,为高压电路保护增添了多重保障。该系统分为 80N 和 120N 两种作用力规格,可根据不同开关设备的需求灵活选择。当熔断器主熔体因故障熔断后,撞击器的分路熔体迅速汽化,压力弹簧瞬间释放,推动撞击杆快速动作。一方面,撞击杆可直接分断负荷开关,实现故障电路的快速隔离;另一方面,能起动微型开关装置,将熔断信号传输至远程监控系统,方便运维人员及时掌握设备状态。更值得一提的是,80N 撞击器系统还集成了温度限制器。在 SF₆绝缘开关设备等特殊场景中,可防止熔断器套筒温度超过 100℃,避免因高温损坏开关设备的绝缘部件,极大提升了系统运行的安全性与可靠性。SIBA西霸低压熔断器经CE认证,离散性极小,性能稳定可靠,为电气系统筑牢安全防线。SIBA西霸2000313.35
SIBA西霸URS方形体DIN标准的低压熔断器,电压可达AC690/700V和AC1250/1300V,适用于欧美标准。SIBA西霸2000313.35
高分断能力是 SIBA 西霸低压熔断器的关键优势,可应对低压电路中的突发短路故障。其分断电流覆盖 10kA-100kA,其中工业级型号分断电流*高达 100kA,能轻松切断低压配电系统中可能出现的大电流故障。当电路发生短路时,银铜复合熔体因高导热性迅速升温,刻槽区域优先熔断;石英砂通过 “冷却 + 吸附” 双重作用快速灭弧,避免电弧重燃导致的二次故障。实测数据显示,在 400V 低压电路中,面对 50kA 短路电流,该熔断器分断时间* 0.8ms,远低于行业平均 1.5ms 的水平,有效保护低压电机、变频器等**设备免受冲击损坏。SIBA西霸2000313.35