**名称:一种高频加热时精确控制温度的方法技术领域:本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法。背景技术:在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处理等金属制造业领域,高频加热的方法已开始逐渐代替传统的加热方法,高频加热作为一种新型的加热方式具有节约能源、加热灵活、操作方便等优点。在金属材料热处理领域,由于不同的材料比较好淬火温度有所不同,因此需要能够精确的控制温度。高频加热的方式虽然具有一系列的优点,但在其温度控制方法上仍然存在以下的不足1,通过传统的时间控制的热处理的淬火温度在士30°C左右,并且受输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素影响可能温度波动还要大,而理想的热处理的淬火温度是在目标温度士10°c范围内,因此在加工温度精度要求比较高的材料时,传统的方法不能满足质量的要求;2,即使通过红外温度控制等方式,排除输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素的影响,晶体管高频加热工件,当外界给出高频断开信号时,由于电源控制系统的问题,高频不能在这一瞬间断开,高频断开往往有个时间滞后,并且这个滞后时间存在一定误差。控制模块降低温度较高的分区的功率继电器的输出功率。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板
晶圆加热装置的制作方法文档序号:30596935发布日期:2022-07-0120:52阅读:35来源:国知局导航:X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:2.目前,常用的晶圆加热设备的加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热要求,而高精度加热对半导体工艺至关重要。3.另外,在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位,在先技术中通常通过真空吸盘定位,但现有的真空吸盘对晶圆的吸附力通常不够均匀,晶圆和真空吸盘间的间隙存在差异,这也会导致晶圆加热不均匀,导致无法满足晶圆加热的精度要求。技术实现要素:4.针对上述问题,本技术提供了一种晶圆加热装置,至少解决了在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题。5.本技术实施例提供一种晶圆加热装置,包括:6.基座;7.真空吸盘,设于所述基座上且用于吸附工件,所述真空吸盘上设有进气孔与气路,所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述真空吸盘的径向延伸的径向气路,每个所述径向气路与各所述环形气路均连通。
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***温度检测模块用于检测***分区的温度值,并将检测到的***分区温度值发送给控制模块,***加热模块用于加热***分区;第二分区包括第二加热模块和第二温度检测模块,第二温度检测模块用于检测第二分区的温度值,并将检测到的第二分区温度值发送给控制模块,第二加热模块用于加热第二分区;控制模块接收到***分区温度值和第二分区温度值后,控制模块计算***分区温度值和第二分区温度值的差值,若差值大于预设的精度值,则控制模块调整***加热模块或者第二加热模块的输出功率,直到差值小于精度值。其中,***温度检测模块和第二温度检测模块为热敏电阻。其中,***温度检测模块和第二温度检测模块为铂热电阻。其中,***加热模块包括***功率继电器和***加热丝,控制模块通过调整***功率继电器的输出功率,调整***加热丝的功率。其中,第二加热模块包括第二功率继电器和第二加热丝,控制模块通过调整第二功率继电器的输出功率,调整第二加热丝的功率。其中,***温度检测模块和第二温度检测模块采用型号为pt1000的铂热电阻。其中,控制模块在加热升温阶段和冷却降温阶段的精度值大于温度稳定阶段的精度值。其中,控制模块在加热升温阶段精度值为℃。其中。为了保证测控精度,采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。
晶圆热处理在涂敷光刻胶之前,将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力,防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上,把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面,然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用,光刻胶在基片表面均匀地展开,多余的光刻胶被甩掉,获得一定厚度的光刻胶膜,光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶,是对光、电子束或X线等敏感,具有在显影液中溶解性的性质,同时具有耐腐蚀性的材料。一般说来,正型胶的分辨率高,而负型胶具有感光度以及和下层的粘接性能好等特点。光刻工艺精细图形(分辨率,清晰度),以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定,因此有良好的光刻胶,还要有好的曝光系统。晶圆晶圆的背面研磨工艺晶圆的集成电路制造,为了降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装,在硅晶圆正面制作完集成电路后,需要进行背面减薄。晶圆的背面研磨工艺。该锅炉因不易发生、不易泄漏有害气体、噪音小而普遍使用。南京PA8010-CC-PCC20A加热板
发热体设置在发光管的内部,且发热体以碳作为主要成分。MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板
受国际形势的影响,国内很难再从国外进口氮化铝陶瓷加热盘,导致国内对氮化铝陶瓷加热盘的需求变得紧张起来。氮化铝陶瓷加热盘被应用于半导体行业中,常见的加热盘一般是8英寸的,国内对氮化铝陶瓷加热盘需求紧张,但是国内能加工氮化铝陶瓷加热盘的厂家却很少。导致这种情况的原因主要是由于氮化铝陶瓷加热盘的加工难度很高,那么为什么氮化铝陶瓷加热盘加工难呢?下面就由钧杰东家为您解答。氮化铝陶瓷加热盘-钧杰陶瓷首先,我们需要了解一下氮化铝陶瓷是什么:陶瓷行业的行家都知道,氮化铝陶瓷是一直具有高导热性能和电绝缘性能的先进陶瓷材料,被广泛应用于电子工业。氮化铝晶体属于六方晶系,它以四面体为结构单元共价键化合物,乃纤锌矿型结构。同时它也是一种耐高温的陶瓷材料,它的单晶体导热率是氧化铝的5倍左右,并且可以在2200℃的环境中使用,具有良好的耐热冲击性能。 MSA FACTORYPH132-PCC10A加热板
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