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    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。友达光电用的哪家的BOE蚀刻液？哪些新型BOE蚀刻液图片

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缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)是一种用于微细加工的液体腐蚀剂。它的主要用途是蚀刻二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)的薄膜。它是氟化铵(NH4F)和氢氟酸(HF)等缓冲液的混合物。浓缩的HF蚀刻二氧化硅的速度太快，不能很好地进行工艺控制，同时也会剥落用于光刻图案化的光刻胶。BOE6:1is6partsbyvolume40%ammoniumfluorideand1partbyvolume49%HF.应用缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)6：1可用于栅极光刻(gatephotolithography)的AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管的氧化物去除。它可用于缓冲氧化物蚀刻剂法，制造微型生物芯片。苏州口碑好的BOE蚀刻液公司。

    名称：含有全氟丁基醚的组合物的制作方法含有全氟丁基醚的组合物本发明涉及共沸或共沸型的全氟丁基醚混合物或组合物。更具体地说，本发明的一个主题是包含至少一种九氟丁基烷基醚和可生物降解化合物的组合物。地球大气阻挡了来自于地球的IR发射，这是导致温室效应和有利于生命的适度温度的原因。在大气中，主要是二氧化碳0)2导致这种自然界的温室效应。人类排放的某些气体(包括来自化石燃料的co2)增强了该效应，导致全球变暖及其对于气候的影响暴风雨、洪水、浮冰表面积的变化和冰)I丨消退。京都议定书(1997)的目标是相对于1990年(基准年)，在20082012年的承诺期间内，使6种温室气体(C02、CH4、N20、HFC、PFC、SF6)的全球排放减少5%。给定产物的温室效应通过其GWP(全球变暖潜势)量化，所述GWP不仅考虑了分子对辐射吸收的固有作用而且还考虑了分子在大气中的寿命(或者等同于相同的特征，如在给定时期(通常为1个世纪)内的该分子的浓度)。所述GWP相对于作为参比气体的C02全A屮圣口田O氟化溶剂长期用于高技术工业(例如电子、航空、精密机械或医药部门)。在这些领域中，目标总是相同的，即获得非常高清洁度的表面。ITOBOE蚀刻液的配方是什么？上海如何发展BOE蚀刻液价格

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