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    降低待加工部件20如inp基晶圆的机械加工损伤。由于本发明实施例中采用光刻胶对托盘和待加工部件进行了固定，因此，对待加工部件的待加工表面进行抛光和减薄之后，还包括：对待加工部件进行清洗；采用特定溶液对光刻胶进行腐蚀，以将待加工部件与托盘分离。具体地，在完成抛光和减薄后，可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗，用di水冲洗干净，40℃的氮气吹干。之后，将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盘10自动分离，取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例提供的方法，还包括：在磁转子运行一段时间后，更换磁转子。如磁转子12工作1小时后，可以将磁转子12更换为新的磁转子，以使磁转子与待加工表面贴合紧密，避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。对所公开的实施例的上述说明。清洗剂的分类有哪些；上海中芯国际用减薄用清洗剂溶剂

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    并控制磁转子12和喷头11每间隔20s旋转10s，也就是说，控制磁转子旋转10s，控制磁转子停止旋转后，控制喷头喷涂抛光液10s，停止喷涂抛光液10s后，控制磁转子旋转10s，以此类推。本发明实施例中，控制部件在脉冲工作模式下，实现减薄和抛光两种工艺交替作用，使得减薄和抛光一体化完成，整个过程稳定，速度快，控制性好，重复度高，无粉尘污染，衬底减薄终厚度达到20μm，抛光面ra＜2nm。还需要说明的是，本发明实施例中，在减薄的过程中，可以不断更换磁转子12，如磁转子12工作1小时后，将磁转子12更换为新的磁转子，以使磁转子与待加工表面贴合紧密，避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。此外，本发明实施例中，在完成抛光和减薄后，可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗，用di水冲洗干净，40℃的氮气吹干。之后，将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盘10自动分离，取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例还提供了一种抛光减薄方法，如图5所示，包括：s101：将待加工部件固定在托盘上，待加工部件包括inp基晶圆；可选地。苏州质量好的减薄用清洗剂的公司。南京市面上哪家减薄用清洗剂订做价格

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    将待加工部件固定在托盘上包括：采用光刻胶将待加工部件固定在托盘上。具体地，将待加工部件背面喷涂厚度约为2μm的光刻胶，如az4620光刻胶，然后在托盘表面喷涂厚度约为3μm的光刻胶，如az4620光刻胶，之后，将托盘光刻胶面向上放于温度为90℃的热板上，将待加工部件光刻胶面和托盘光刻胶面贴合，在2×10-2mabr真空下，施加1bar压强于待加工部件上进行键合，键合时间20min。s102：通过喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液，来对待加工表面进行抛光；s103：通过磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨，来对待加工表面进行减薄。可选地，本发明实施例中，s102和s103可以交替进行，也就是说，控制磁转子旋转一段时间后，控制磁转子停止旋转，并控制喷头喷涂抛光液，停止喷涂抛光液后，再次控制磁转子旋转，以此类推。本发明实施例中，通过磁转子和喷头交替工作，实现了减薄和抛光两种工艺交替作用，使得减薄和抛光一体化完成，整个过程稳定，速度快，控制性好，重复度高，无粉尘污染，衬底减薄终厚度达到20μm，抛光面ra＜2nm。由于减薄过程中待加工部件20如inp基晶圆本身不旋转，因此，可以降低抛光减薄过程中对待加工部件20如inp基晶圆的挤压应力。上海中芯国际用减薄用清洗剂溶剂