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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。如何正确使用减薄用清洗剂的。芜湖清洗效果好的减薄用清洗剂批量定制

    可有效稳定所述固定板423的竖直放置位置。同时，值得指出的时，所述竖直平板421上所述侧支撑件44的固定方式也可采用板加槽的方式，具体的，所述竖直平板421上设置有若干竖槽，所述竖槽单侧竖直有若干定槽，对应所述定槽设置有带有固定块的安装板，所述安装板对应所述竖槽的侧边设置有至少2个所述固定块，所述安装板远离所述竖槽的侧边设置有所述侧支撑件44，通过将所述固定块分别设置于所述定槽内，从而实现所述侧支撑件44在所述竖直平板421上的固定。通过所述竖直平板421和所述侧板422上的所述侧支撑件44的设置，从而实现对所述玻璃加工治具4上玻璃的侧边位置固定，同时，通过所述侧板422上所述调节槽的设置，可实现所述侧板422上所述侧支撑件44的位置调节，从而使所述玻璃加工治具4适用于不同尺寸的玻璃，并可根据具体玻璃尺寸同时放置不同尺寸的玻璃进行减薄处理。实施例五一般的，对于实施例四中的所述玻璃加工治具4结构，可通过调节所述底支撑件43位置使所述底支撑件43适用于不同尺寸的玻璃。如图7、图8所示，图7为所述底支撑件的结构正视图；图8为所述底支撑件的结构侧视图；所述底支撑件43包括支撑条431、第二支撑条432、连接部433和接触部434。宁波哪家公司减薄用清洗剂推荐厂家减薄清洗剂，让您的产品更加完美，满足高精度要求。

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    较佳的，所述冲洗区包括冲洗区、第二冲洗区和第三冲洗区，所述第二冲洗区设置于所述冲洗区和所述第三冲洗区之间，所述冲洗区设置于所述第二冲洗区和所述转换区之间，所述第三冲洗区设置于所述第二冲洗区和所述蚀刻区之间。较佳的，所述冲洗区设置有辅助厚度测量仪。较佳的，所述第三冲洗区设置有第二辅助厚度测量仪。较佳的，所述转换区设置为可升降的折叠式结构。较佳的，所述转换区设置有装卸臂。与现有技术比较本发明的有益效果在于：1，本发明中所述玻璃减薄生产线采用喷淋减薄的方式对竖直容纳在玻璃加工治具中的玻璃进行减薄处理，可实现单次多片玻璃减薄，同时避免浸泡式减薄法中反应产物粘附在玻璃上造成不良品的问题；2，本发明中所述玻璃加工治具在减薄处理时进行往复移动使侧支撑件与玻璃之间接触点产生变化，从而避免所述侧支撑件与玻璃之间的接触点因所述侧支撑件的长期接触造成接触点无法被喷淋液喷淋而产生的不良次品问题；3，本发明通过所述侧支撑件的固定结构，可实现所述侧支撑件的位置调节，从而使玻璃加工治具适用于不同尺寸的玻璃并可将不同尺寸的玻璃同时设置于玻璃加工治具上同时进行减薄处理。附图说明图1为所述玻璃减薄设备的结构示意图。芜湖清洗效果好的减薄用清洗剂批量定制