本发明涉及蚀刻液组合物及选择添加于该蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法。背景技术:参照图1,可以确认3dnand闪存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)来制造。在不损伤氧化物膜的同时将氮化物膜完全去除是这样的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技术之一。一般而言,氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不损伤氧化物膜的同时*将氮化物膜完全去除的效果。但是,想要在不损伤氧化物膜的范围内将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力强的添加剂,由此可能发生氮化物膜没有被完全去除的工序不良(参照图2)。此外,想要将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力弱的添加剂,由此虽然氮化物膜被完全去除,但是可能发生对氧化物膜也造成损伤(damage)的工序不良(参照图3)。以往,为了在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中*将氮化物膜选择性完全去除而选择具有适当水平的防蚀能力的添加剂时,按照添加剂的种类和浓度通过实验进行确认。没有这样的实验确认就选择添加剂实际上是不可能的。蚀刻液的是怎么进行分类的。扬州BOE蚀刻液蚀刻液批量定制

一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法技术领域1.本技术涉及化学蚀刻技术领域,具体涉及一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。背景技术:2.目前,电子器件的基板表面(例如显示器件的阵列基板)通常带有一定图案的氧化铟锡(ito)膜,以便后续给电子器件可控通电。该ito膜通常通过化学蚀刻的方法蚀刻ito材料层形成。其中,对于多晶ito(p-ito)材料,所用蚀刻液主要包括硫酸系、王水系ito蚀刻液。王水系蚀刻液成本低,但其蚀刻速度快,蚀刻的角度难以控制,且容易对ito膜的下层金属造成二次腐蚀。技术实现要素:3.有鉴于此,为克服目前存在的技术难题,本技术提供了一种ito蚀刻液及其制备方法、应用方法。4.具体地,本技术首先方面提供了一种ito蚀刻液,所述ito蚀刻液包括以下重量份数的各组分:20-22份的盐酸,6-7份的硝酸,0.5-3份的酸抑制剂,0.5-3份的表面活性剂,以及水;其中,所述酸抑制剂包括n,n-二异丙基乙胺、n,n-二异丙基乙醇胺中的至少一种;所述表面活性剂包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一种。5.通过对蚀刻液中硝酸及盐酸的含量进行精确限定,以实现了对王水系蚀刻液蚀刻速度的初步调控,并在一定程度上实现了对蚀刻角度的控制(蚀刻角度小于35绵阳格林达蚀刻液销售公司欢迎询价,苏州博洋化学股份有限公司。

所述装置主体前端表面靠近左上边角位置设置有活动板,所述分隔板右端放置有蓄水箱,所述蓄水箱上端靠近右侧连接有进水管,所述回流管下端连接有抽水管,所述抽水管内部上端设置有三号电磁阀,所述装置主体前端表面靠近右侧安装有控制面板。作为本发明的进一步方案,所述分隔板与承载板相互垂直设置,所述电解池内部底端的倾斜角度设计为5°。作为本发明的进一步方案,所述进液管的形状设计为l型,且进液管贯穿分隔板设置在进液漏斗与伸缩管之间。作为本发明的进一步方案,所述圆环块通过伸缩杆活动安装在喷头上方,且喷头通过伸缩管活动安装在电解池上方。作为本发明的进一步方案,所述回流管与进水管的形状均设计为l型,所述倾斜板的倾斜角度设计为10°。作为本发明的进一步方案,所述活动板前端设置有握把,活动板与装置主体之间设置有铰链,且活动板通过铰链活动安装在装置主体前端。作为本发明的进一步方案,所述控制面板的输出端分别与增压泵、一号电磁阀、二号电磁阀和三号电磁阀的输入端呈电性连接。与现有技术相比,本发明的有益效果是:该回收处理装置通过在增压泵下端设置有回流管,能够在蚀刻液电解后,启动增压泵并打开一号电磁阀。
将蚀刻液通过回流管抽入到一号排液管中,并由进液管导入到伸缩管中,直至蚀刻液由喷头重新喷到电解池中,可以充分的将蚀刻液中的亚铜离子电解转化为金属铜,起到循环电解蚀刻液的作用;该回收处理装置通过设置有伸缩管与伸缩杆,能够在蚀刻液通过进液管流入到电解池中时,启动液压缸带动伸缩杆向上移动,从而通过圆环块配合伸缩管带动喷头向上移动,进而将蚀刻液缓慢的由喷头喷入到电解池中,避免蚀刻液对电解池造成冲击而影响其使用寿命,具有保护电解池的功能;该回收处理装置通过设置有集气箱与蓄水箱,能够在电解蚀刻液结束后,启动抽气泵,将电解池中产生的有害气体抽入到排气管并导入到集气箱中,实现有害气体的清理,接着启动增压泵并打开三号电磁阀,将蓄水箱中的清水通过抽水管抽入到进液管中,将装置主体内部的蚀刻液进行清洗,具有很好的清理作用。附图说明图1为本发明的整体结构示意图;图2为本发明的内部结构示意图;图3为本发明图2中a的示意图;图4为本发明图3的整体示意图;图5为本发明电解池的结构示意图。图中:1、装置主体;2、分隔板;3、承载板;4、电解池;5、隔膜;6、进液漏斗;7、过滤网;8、进液管;9、伸缩管;10、喷头;11、液压缸。剥离液是用于光刻胶剥离用的化学品。

伸缩杆12下端固定安装有圆环块13,圆环块13与喷头10之间固定连接有连接杆14,分隔板2与承载板3相互垂直设置,电解池4内部底端的倾斜角度设计为5°,进液管8的形状设计为l型,且进液管8贯穿分隔板2设置在进液漏斗6与伸缩管9之间,圆环块13通过伸缩杆12活动安装在喷头10上方,且喷头10通过伸缩管9活动安装在电解池4上方,通过设置有伸缩管9与伸缩杆12,能够在蚀刻液通过进液管8流入到电解池4中时,启动液压缸11带动伸缩杆12向上移动,从而通过圆环块13配合伸缩管9带动喷头10向上移动,进而将蚀刻液缓慢的由喷头10喷入到电解池4中,避免蚀刻液对电解池4造成冲击而影响其使用寿命,具有保护电解池4的功能;分隔板2右端表面靠近上端固定安装有增压泵16,增压泵16下端与电解池4之间连接有回流管15,增压泵16上端与进液管8之间连接有一号排液管17,回流管15内部左端设置有一号电磁阀18,回流管15与进水管27的形状均设计为l型,通过在增压泵16下端设置有回流管15,能够在蚀刻液电解后,启动增压泵16并打开一号电磁阀18,将蚀刻液通过回流管15抽入到一号排液管17中,并由进液管8导入到伸缩管9中,直至蚀刻液由喷头10重新喷到电解池4中。蚀刻液的价格哪家比较优惠?深圳铜蚀刻液蚀刻液销售电话
金属蚀刻液有哪些种类分类?;扬州BOE蚀刻液蚀刻液批量定制
etchingamount)的相互关系的图表。具体实施方式本发明人确认了用于氮化物膜去除工序用蚀刻液组合物的具有防蚀能力的添加剂在满足特定参数值时能够使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜且不损伤氧化物膜的效果极大化,从而完成了本发明。本发明包括选择在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*将氮化物膜选择性去除的能力优异的添加剂的方法、由此选择的添加剂、包含上述添加剂的蚀刻液组合物以及利用上述蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明中,蚀刻对象膜可以为氮化物膜,保护对象膜可以为氧化物膜。此外,本发明的上述添加剂可以为硅烷(silane)系偶联剂。<蚀刻液组合物>具体而言,本发明可以包含磷酸、添加剂和水,上述添加剂可以为硅烷(silane)系偶联剂。本发明的上述添加剂的特征在于,使上述添加剂的反应位点(activesite)的数量除以上述添加剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量之后乘以(参照以下数学式)满足。本发明中,各添加剂的反应位点(activesite)的数量和添加剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量的例子示于表3中。此外,由此计算的各添加剂的aeff值和与此有关的蚀刻程度的例示示于表2中。参照上述结果,可以确认到上述添加剂的aeff值推荐满足。扬州BOE蚀刻液蚀刻液批量定制