固定5V输出、高性能低成本离线式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP320X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。COT 控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。湖北低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工
集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比较器使用SS 作为参考电压，输出电压跟随SS 平稳上升。当SS 升到 VREF 电压时，VREF 重新获得控制，参考电压稳定为VREF，输出电压随之稳定在设定值VOUT，软启动结束。湖北低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工内部无固 定时钟驱动 MOSFET，系统开关频率随负载变化 可实现自动调节。
高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP3112内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP3112集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成700V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOT23-5
40V低功耗降压DCDC电源芯片，40V,1A易用高性能同步降压转换器KP52140X(A)是一款简单易用的同步降压直流/直流转换器，能够驱动高达1A的负载电流。它具有6V至40V的宽输入范围，因此适用于工业领域中非稳压电源的电源调节。KP52140X(A)内部集成低导通电阻的P型高侧MOSFET和N型低侧MOSFET，省掉了外部自举电容和肖特基二极管。在内部实现了软启动和补偿电路减少了**元器件的数量，固定5V或3.3V的输出方式可进一步减少**元器件数量，从而轻松实现单层PCB布局。KP52140X(A)典型开关频率为100kHz，采用低开关速率设计适用于有EMI要求的应用场合。KP52140X(A)内置有完善的保护功能：输入过压保护(VINOVP)、输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP)，和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封装，可节约布局空间。在稳态工作时，芯片通过反馈二极管由输 出进行供电，同时借助高压启动电路，系统待机功 耗可以低至 50mW 以下。
220V交流降压3.3V100mA电流，给蓝牙提供稳定的电压及各种保护功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35062内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，**电路简单、器件个数少。中国台湾AC高压220V降48V非隔离BUCK电源芯片资料
逐周期峰值电流限制和前沿消隐。湖北低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工
芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。湖北低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工
