芯片内部**小Toff时间固定为32us，同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰，芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns)，在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。精确的使能控制和可调欠压锁定功能。广东交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片型号
同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成，通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换，将能量存储并传递给负载，并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压，得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下：+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰，而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者，推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到：−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V北京AC高压220V降30V非隔离BUCK电源芯片加工这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。
芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。
BUCK降压芯片，小封装输出5V100mA，低功耗、高效率、线路简单，在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏，芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP，典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时，内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温，当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启 和VDD 振荡模式中。
在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。多模式控制、无异音工作，支持降压和升降压拓扑。AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片代理
AC交流输入，输出3.3V/400mA.广东交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片型号
在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)，以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时，LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开，直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点，允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点，称为反向电流。在这种情况下，开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定，实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器，低纹波，高效率，电路简洁。广东交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片型号
