整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。常用二极管的符号二极管结构整流二极管选用编辑1N4001外形尺寸整流二极管,图上有银色圈一端是负极整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时,主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等。开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。整流二极管特性编辑整流二极管是利用PN结的单向导电特性。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。广东进口二极管模块供应
此时二极管VD1对级录音放大器输出的信号也没有分流作用。3)当电路中的录音信号比较大时,直流控制电压Ui较大,使二极管VD1导通,录音信号愈大,直流控制电压Ui愈大,VD1导通程度愈深,VD1的内阻愈小。4)VD1导通后,VD1的内阻下降,级录音放大器输出的录音信号中的一部分通过电容C1和导通的二极管VD1被分流到地端,VD1导通愈深,它的内阻愈小,对级录音放大器输出信号的对地分流量愈大,实现自动电平控制。5)二极管VD1的导通程度受直流控制电压Ui控制,而直流控制电压Ui随着电路中录音信号大小的变化而变化,所以二极管VD1的内阻变化实际上受录音信号大小控制。4.故障检测方法和电路故障分析对于这一电路中的二极管故障检测好的方法是进行代替检查,因为二极管如果性能不好也会影响到电路的控制效果。当二极管VD1开路时,不存在控制作用,这时大信号录音时会出现声音一会儿大一会儿小的起伏状失真,在录音信号很小时录音能够正常。当二极管VD1击穿时,也不存在控制作用,这时录音声音很小,因为录音信号被击穿的二极管VD1分流到地了。二极管限幅电路及故障处理二极管基本的工作状态是导通和截止两种,利用这一特性可以构成限幅电路。江西哪里有二极管模块外壳是由塑胶材料制成,且在外壳上有均匀分布的窗口。
稳压源,放大器以及电子仪器的保护电路等瞬态电压抑制二极管又称瞬变电压抑制二极管,双向击穿二极管,简称TVS。瞬态抑制二极管不会被击穿,它能够在电压极高时降低电阻,使电流分流或控制其流向,从而保护电路元件在瞬间电压过高的情况下不被烧毁。双向触发二极管又称二端交流器件DIAC或双向二极管。常用来出发双向晶闸管,还可构成过压保护电路等。变阻二极管变阻二极管是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的,主要应用于10-1000MHz高频电路或开关电源等电路,做可调衰减器,起限幅,保护等作用。隧道二极管又称江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的二极管,结构简单,变化速度快,功耗小。在高速脉冲计数中有广泛应用。可用隧道二极管构成双稳电路,单稳电路,多谐振荡器,以及用作整形和分频。双基极二极管又称单节晶体管,是具有一个PN结的三端负阻器件。广泛应用于各种振荡器,定时器和控制器电路中磁敏二极管磁敏二极管可以在较弱的磁场作用下,产生较高的输出电压,并随着磁场方向的改变同步输出变化的正、负电压。在磁力探测,电流测量,无触点开关,位移测量,转速测量,无刷直流电机的自动控制等方面得到广泛应用。温敏二极管在一定偏置电流下。
许多初学者对二极管很“熟悉”,提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性,说到它在电路中的应用反应是整流,对二极管的其他特性和应用了解不多,认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性,就能分析二极管参与的各种电路,实际上这样的想法是错误的,而且在某种程度上是害了自己,因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析,许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。二极管除单向导电特性外,还有许多特性,很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理,而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路,例如二极管构成的简易直流稳压电路,二极管构成的温度补偿电路等。二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中,由于电路简单,成本低,所以应用比较广。二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。二极管的管压降特性:二极管导通后其管压降基本不变,对硅二极管而言这一管压降是,对锗二极管而言是。如图9-40所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管,它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。整流二极管都是面结型,因此结电容较大,使其工作频率较低,一般为3kHZ以下。
所以它在断电时会产生电压很大的反向电动势,会击穿继电器的驱动三极管,为此要在继电器驱动电路中设置二极管保护电路,以保护继电器驱动管。如图9-53所示是继电器驱动电路中的二极管保护电路,电路中的J1是继电器,VD1是驱动管VT1的保护二极管,R1和C1构成继电器内部开关触点的消火花电路。1.电路工作原理分析继电器内部有一组线圈,如图9-54所示是等效电路,在继电器断电前,流过继电器线圈L1的电流方向为从上而下,在断电后线圈产生反向电动势阻碍这一电流变化,即产生一个从上而过的电流,见图中虚线所示。根据前面介绍的线圈两端反向电动势判别方法可知,反向电动势在线圈L1上的极性为下正上负,见图中所示。如表9-44所示是这一电路中保护二极管工作原理说明。表9-44保护二极管工作原理说明2.故障检测方法和电路故障分析对于这一电路中的保护二极管不能采用测量二极管两端直流电压降的方法来判断检测故障,也不能采用在路测量二极管正向和反向电阻的方法,因为这一二极管两端并联着继电器线圈,这圈的直流电阻很小,所以无法通过测量电压降的方法来判断二极管质量。应该采用代替检查的方法。当保护二极管开路时,对继电器电路工作状态没有大的影响。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。广东进口二极管模块供应
发光二极管芯片阵列固定在印刷电路板的一个面上。广东进口二极管模块供应
导通电压UD约为。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏[4]。二极管正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。[4]当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为,锗管约为。硅二极管的正向导通压降约为,锗二极管的正向导通压降约为。[4]二极管反向特性外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。广东进口二极管模块供应