衢州热压芯片倒装焊

芯片倒装焊互连为用户提供大量可能的优点：减小信号电感—由于互连长度明显变短（从1-5毫米缩短至0.1毫米），信号通道的电感也大幅度地减小。这是高速通讯和开关器件的关键因素。减小电源/接地电感—使用倒装芯片互连，电源能够直接连接至晶粒中心，而不是需要重新布线至边缘。它能够大幅度降低中心电源的噪音，提高硅晶的性能。缩减封装面积—在部分情况下，倒装产品可以缩小整体封装面积。这一点通过降低晶粒到封装的边缘空间要求（因为无需为焊线预留空间）或采用更高密度的基板技术，进而缩短封装节距得以实现。芯片焊接的注意事项是安装芯片时需后涂上一层硅胶，放平整之后安装紧固螺钉。衢州热压芯片倒装焊

倒装芯片装配的一个重要特性是倒装芯片元件可以在锡球回流期间“自我对准”的能力。当锡球达到液化状态，由液体焊锡熔湿（wetting）接合焊盘所产生的力量足以将元件拉到与接合焊盘的完美对中。由于这个理由，倒装芯片元件的初始贴装有比原先预想的稍微较大的公差。按照焊盘尺寸的百分比，倒装芯片的锡球可以与接合焊盘的中心误差达到25%。这个误差的相对值取决于焊盘与锡球的直径，因为大的锡球有较大的贴装公差。现在大多数的FCA系统能够达到±10mm或更好的贴装可重复性。衢州热压芯片倒装焊芯片焊接的注意事项是对于MOS管，安装时应先S极，再G极较后D极的顺序进行焊接。

芯片倒装焊：电线长度通常为1-5毫米，直径为15-35微米。相比之下，倒装芯片封装中的管芯和载体之间的互连通过直接放置在管芯表面上的导电“凸点”来实现。碰撞的模具然后“翻转”并且面朝下放置，凸块直接连接到载体。凸块通常为60-100μm高，直径为80-125μm。倒装芯片连接通常由两种方式形成：使用焊料或使用导电粘合剂。到目前为止，较常见的封装互连是焊料。当前的焊料选择是：共晶Sn/Pb，无铅（98.2％Sn，1.8％Ag）或Cu柱组成。焊料凸起的裸片通过焊料回流工艺附接到基板，非常类似于将BGA球附接到封装外部的工艺。在模具被焊接之后，在模具和衬底之间加入底部填充物。

芯片焊接工艺可分为两类：①低熔点合金焊接法：采用的焊接材料有金硅合金、金镓合金、铟铅银合金、铅锡银合金等。②粘合法：用低温银浆、银泥、环氧树脂或导电胶等以粘合方式焊接芯片。集成电路塑料封装中，也常采用低温(200℃以下)银浆、银泥或导电胶以粘合的形式进行芯片焊接。另外，烧结时（即芯片粘完银浆后烘焙），气氛和温度视所采用的银浆种类不同而定。低温银浆多在空气中烧结，温度为150～250℃；高温银浆采用氮气保护，烧结温度为380～400℃。芯片焊接的注意事项是安装散热片时应先用酒精擦拭安装面。

随着倒装焊技术向高密度、超细间距方向发展，倒装焊芯片功率密度迅速增加。芯片倒装焊中倒装焊的主要技术指标如下：1）±3μm，3σ键合后精度；2）芯片键合，倒装键合，Wafer-wafer键合；3）100kg至大键合压力；4）较高温度：450℃（工艺参数范围：样品尺寸5mm*5mm-5cm*5cm；样品厚度Chip小于2mm，substrate小于6mm；压力0－100kg；温度：室温－450℃）。设备利用图像对比技术，较高可以达到±1um的对位精度，根据芯片的材质、厚度，硬度等，可以选择高压力，低压力控制方法，从而达到高精度的焊接。芯片焊接的注意事项是焊接工作台应干净整洁。衢州热压芯片倒装焊

芯片焊接的注意事项是每个焊点焊接时间不能超过3秒。衢州热压芯片倒装焊

根据倒装焊互连工艺的不同，倒装焊技术主要可以分为以下3种类型：焊料焊接法、凸点热压法和树脂粘接法。焊料焊接法利用再流焊对Pb-Sn焊料凸点进行焊接。凸点热压法利用倒装焊机对诸如Au、Ni/Au、Cu等硬凸点进行焊接。树脂粘接法可用多种不同的树脂粘接剂。导电腔以粘接带凸点的芯片，也可以作为凸点材料使用。绝缘树脂粘接剂也可用于倒装焊技术，它主要起粘接作用，电连接是通过芯片上的凸点和基板上的焊区之间紧密的物理接触来实现。衢州热压芯片倒装焊

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