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    电力电子器件的缓冲电路(snubbercircuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。IGBT缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。 封装技术是功率半导体突破的关键！广东快恢复二极管MUR1640CTR

    主电极的一侧固定连通在连接桥板上，使主电极也能获释机器应力和热应力，因此可通过联接桥板以及主电极减低二极管芯片的机器应力和热应力，有效性地下降了二极管在长期工作中因机械震动以及发热所产生的机器应力和热应力。2、本实用新型由于在壳体的顶部设有用于紧固件定位用的定位凹槽，而覆在壳体顶部的主电极上设有过孔并与壳体上的定位凹槽对应，由于螺钉安装时的力矩方向为程度方向，因此在模块装配及电极装配的过程中，主电极不再受外部机器应力的影响，故二极管芯片并未机器应力的效用，在工作运转时也不会受到机器应力的影响，提高了二极管工作可靠性。3、本实用新型通过软弹性胶对下过渡层、二极管芯片、上过渡层、连接桥板、绝缘体以及主电极灌注密封，因此二极管芯片能通过软弹性胶进行保护，不仅使连结桥板和主电极能获释因振动而产生的机器应力以及工作中所产生的热应力，而且通过软弹性胶使热应力不会功用于二极管芯片上，因此二极管工作可靠性获取很大提高。以下结合附图对本实用新型的实施例作更进一步的详实描述。图1是已有非绝缘双塔型二极管模块的构造示意图。图2是本实用新型的非绝缘双塔型二极管模块的构造示意图。其中1—底板，2—上过渡层。浙江快恢复二极管MUR1660CT开关电源中为什么要用快恢复二极管？

    是极有发展前景的电力、电子半导体器件。1．性能特点1）反向恢复时间反向恢复时间tr的概念是：电流通过零点由正向变换到规定低值的时间间距。它是衡量高频续流及整流器件性能的主要技术指标。反向回复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为反向回复电流。Irr为反向回复电流，通常规定Irr=。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压忽然变为反向电压，因此正向电流很快下降，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR日渐增大；在t=t2日子达到反向回复电流IRM值。此后受正向电压的效用，反向电流日趋减少，并在t=t3日子达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相像之处。2）快回复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部构造与平常二极管不同，它是在P型、N型硅材质中间增加了基区I，组成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向回复电荷很小，减少了trr值，还下降了瞬态正向压降，使管子能经受很高的反向工作电压。快回复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷更进一步减少，使其trr可低至几十纳秒。

    外壳9的顶部有着定位凹槽91。见图1所示，本实用新型的主电极6为两个以上折边的条板，同样经弯曲后的主电极6也具吸收和释放机械应力和热应力的特色，主电极6的内侧与连接桥板5固定连接，主电极6的另一侧穿出外壳9并弯折后覆在外壳9顶部，而覆在外壳9顶部的主电极6上设有过孔61，该过孔61与壳体9上的定位凹槽91对应，定位凹槽91的槽边至少设有两个平行的平面，可对螺母展开定位，由于主电极6不受外力，可确保二极管芯片3不受外力影响，在定位凹槽91的下部设有过孔，确保螺栓不会顶在壳体9上，而下过渡层4、二极管芯片3、上过渡层2、联接桥板5、绝缘体7以及主电极6—侧的外周灌注软弹性胶8密封，将连结区域保护密封，再用环氧树脂灌注充满壳体空间。权利要求1、一种非绝缘双塔型二极管模块，包括底板(1)、二极管芯片(3)、主电极(6)以及外壳(9)，其特点在于所述二极管芯片(3)的下端面通过下过渡层(4)固定连通在底板(1)上，二极管芯片(3)的上端面通过上渡层(2)与连接桥板(5)的一侧固定连接，连通桥板(5)是兼具两个以上折弯的条板，连结桥板(5)的另一侧通过绝缘体(7)固定在底板(1)上，顶部有着定位凹槽的外壳(9)固定在底板(1)上；所述的主电极(6)为两个以上折边的条板，主电极。MUR3040CS是什么类型的管子？

    这一圈套起到了一定的限制效用，使电子不易抽走，而与空穴在此复合，从而延长了反向恢复时间中tb这一段，提高了迅速二极管的软度因子S。3．快速软恢复二极管模块通态特点显示，在额定电流下正向电压降不受温度影响，从而使它更适用于并联工作。在125℃时的动态损耗比标准化掺铂FRED减小50%。以上特点使得该软恢复二极管特别适宜工业应用。运用上述FRED二极管和SONIC二极管我们开发了迅速软恢复二极管模块，有绝缘型和非绝缘型二大类，绝缘型电流从40A～400A，电压达到1200V，绝缘电压大于2500V，反向回复时间很小为40ns；非绝缘型电流为200A（单管100A），电压从400V至1200V，反向回复时间根据用户要求，可从40ns至330ns。由于使用模块构造，寄生电感较小，并且预防了高频干扰电压和过电压尖峰。下面为200A绝缘型和非绝缘型迅速软恢复二极管模块外观和大小以及连接图。图6200A绝缘型快速软恢复二极管模块图7200A非绝缘型双塔结构超快速二极管模块4.迅速软恢复二极管及其模块的应用快速软恢复二极管的阻断电压范围宽，使它们能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器，以及逆变器和焊接电源中的功率开关的保护二极管和续流二极管。IGBT模块中快恢复二极管的作用与选型。江苏快恢复二极管SF168CT

快恢复二极管并联应用的均流问题。广东快恢复二极管MUR1640CTR

    20A以下的快恢复及超快恢复二极管大都使用TO-220封装形式。从内部构造看，可分为单管、对管（亦称双管）两种。对管内部涵盖两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部构造。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与结构。它们均使用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般使用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则使用螺栓型或平板型封装形式。2．检测方法1）测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，运用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的日子到IR=Irr日子所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知，当IRM为一定时，反向回复电荷愈小，反向回复时间就愈短。2）常规检测方式在业余条件下，运用万用表能检测快回复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns。广东快恢复二极管MUR1640CTR

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