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快恢复二极管基本参数
  • 品牌
  • 国润,GR
  • 型号
  • MUR3040CT
  • 半导体材料
  • 管脚引出方式
  • 共阴极
  • 内部结构
  • 双管/对管
  • 封装方式
  • 塑料封装,环氧树脂封装
  • 正向电压降
  • 1.3
  • 最大反向工作电压
  • 400
  • 额定整流电流
  • 30
  • 外形尺寸
  • TO-220AB
快恢复二极管企业商机

    20A以下的快恢复及超快恢复二极管大都使用TO-220封装形式。从内部构造看,可分为单管、对管(亦称双管)两种。对管内部涵盖两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部构造。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与结构。它们均使用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般使用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则使用螺栓型或平板型封装形式。2.检测方法1)测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号,运用电子示波器观察到的trr值,即是从I=0的日子到IR=Irr日子所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知,当IRM为一定时,反向回复电荷愈小,反向回复时间就愈短。2)常规检测方式在业余条件下,运用万用表能检测快回复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以兆欧表,还能测量反向击穿电压。实例:测量一只超快恢复二极管,其主要参数为:trr=35ns。MUR1560是快恢复二极管吗?安徽快恢复二极管MURB3040CT

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    下降开关速度或采用缓冲电路可以减低尖峰电压。增加缓冲电路会增加电路成本并且使电路设计变繁复。这都是我们所不期望的。本文介绍了迅速软恢复二极管及其模块。该模块电压范围从400V到1200V,额定电流从60A~400A不等。设计上该模块使用外延二极管芯片,该芯片使用平面结终止结构,玻璃钝化(图1)并有硅橡胶维护。恢复特点如图2所示。图1图2快速软恢复二极管的基区和正极之间使用缓冲层构造,使得在空间电荷区扩张后的剩余基区内驻留更多的残存电荷,并且驻留时间更长,提高了二极管的软度。快回复二极管的软度由图2定义。软度因子反向峰值电压由下式确定:VR为加在二极管上的反向电压。二极管道软度因子越大,在关断过程中产生的反向峰值电压越低,使开关器件及整个电路处于较安全的状况。一般国内生产的迅速二极管其反向回复时间较长,大概在1~6µs,软度因子约为,国内有多家整流器制造公司也在研究迅速软恢复二极管,电流较大,但软度因子在~。传统的迅速整流二极管用到掺金或铂的外延片以支配载流子寿命,但这些二极管表现出了以下的技术缺陷:1.正向电压降Vf随着温度的升高而下降;2.高温下漏电流大;3.高温下迅速di/dt时开关不平稳。安徽快恢复二极管MURB3040CTMURB2060CT是什么类型的管子?

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    20世纪80年代初,绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率M0S场效应管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急剧发展和商业化,这不仅对电力电子逆变器向高频化发展提供了坚实的器件基础,同时,为用电设备高频化(20kHz以上)和高频设备固态化,为高效、节电、节材,实现机电体化,小型轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时,给IGBT,功率MOSFET等高频逆变装置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的发展。因为,随着装置工作开关频率的提高,若没有FRED给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离输出整流器和输入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件就不能发挥它们的功能和独特作用,这是由于FRED的关断特性参数(反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr,反向峰值电流IRM)的作用所致,合适参数的FRED与高频开关器件的协调工作。使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰,高频干扰电压以及EMI降低,使开关器件的功能得到充分发挥,FRED模块现已批量在大功率开关电源、高频逆变电焊机、高频逆变开关型电镀电源、高频快速充电器以及高频调速装置等场合使用,结果非常令人满意。本文将简要介绍该FRED模块的工艺结构,技术参数。

    这种铜底板尚存在一定弧度的焊成品,当模块压装在散热器上时,能保证它们之间的充分接触,有利于热传导,从而使模块的接触热阻降低,有利于模块的出力和可靠性。(3)由于FRED模块工作于高频(20kHZ以上),因此,必须在结构设计要充分考虑消除寄生电感等问题,为此,在电磁等原理基础上,充分考虑三个主电极形状、布局和走向,同时对键合铝丝长短和走向也作了合适安排。以减少模块内部的分布电感,确保二单元的分布电感一致,从而解决模块的噪音和发热问题,提高装置效率。3.主要技术参数图3是FRED模块导通和关断期间的电流和电压波形图,它显示了FRED器件从正向导通到反向恢复的全过程。其主要关断特性参数为:反向恢复时间trr=ta+tb(ta为少数载流子存储时间,tb为少数载流子复合时间);软度因子S=(表示器件反向恢复曲线的软度);反向恢复峰值电流:;反向恢复电荷。而导通参数为:反向重复峰值电压URRM.;正向平均电流IF(AV);正向峰值电压UFM;正向均方根电流IF(RMS)和正向浪涌电流IFSM等。图2(a)预弯后的铜底板(b)铜底板与DBC基板焊接后的合格品图3FRED导通和关断期间的电流和电压波形图这里需要注意的是:trr随所加反向电压UR的增加而增加,例如600V的FRED。MUR3020PD是什么类型的管子?

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    发明内容本实用新型的目的是提供一种在安装以及运行过程中能下降二极管芯片的机器应力和热应力,能提高二极管工作可靠性的非绝缘双塔型二极管模块。本实用新型为达到上述目的的技术方案是一种非绝缘双塔型二极管模块,包括底板、二极管芯片、主电极以及外壳,其特性在于所述二极管芯片的下端面通过下过渡层固定连结在底板上,二极管芯片的上端面通过上渡层与连接桥板的一侧固定连接,联接桥板是具备两个以上折弯的条板,连通桥板的另一侧通过绝缘体固定在底板上,顶部具定位凹槽的外壳固定在底板上;所述的主电极为两个以上折边的条板,主电极的内侧与连通桥板固定连接,主电极的另一侧穿出外壳并覆在外壳顶部,且覆在外壳顶部的主电极上设有过孔与壳体上的定位凹槽对应,下过渡层、二极管芯片、上过渡层、连通桥板、绝缘体的外周以及主电极的一侧灌注软弹性胶密封。本实用新型使用上述技术方案后兼具以下的优点1、本实用新型将有着折弯的连接桥板的两侧分别固定在二极管芯片和主极板之间,而二极管芯片和连接桥板的一侧分别连通在底板上,当二极管受到机器应力和热应力后,可通过连结桥板的变形来获释所受到的应力,加之主电极也为折弯的条板。MUR3060CD是什么类型的管子?湖北快恢复二极管MURF2060CT

MUR3040PD是什么类型的管子?安徽快恢复二极管MURB3040CT

快恢复二极管的反向恢复时间(trr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。安徽快恢复二极管MURB3040CT

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继电器并联快恢复二极管电路形式见图1,其作用主要是为了保护晶体管等驱动元器件。流经线圈的电流变化时,线圈会产生自激电压来抑制电流的变化,当线圈中的电流变化越快时,所产生的电压越高。在继电器开通到关断的瞬间,由于线圈有电感的性质,所以瞬间会在继电器的线圈的低电压端产生一个瞬间电压尖峰,通常能高达数十倍的线圈额定工作电压。当图中晶体管VT由导通变为截止时,流经继电器线圈的电流将迅速减小,这时线圈会产生很高的自感电动势与电源电压叠加后加在VT的c、e两极间,会使晶体管击穿,并联上快恢复二极管后,即可将线圈的自感电动势钳位于快恢复二极管的正向导通电压,此值硅管约,锗管约,从而避免击穿晶体管等驱动元...

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