企业商机
整流桥基本参数
  • 品牌
  • 国润,GR
  • 型号
  • GBU1010
整流桥企业商机

    50Hz交流电压经过全波整流后变为脉动直流电压u1,再通过输入滤波电容获得直流高压U1。在完美情形下,整流桥的导通角本应为180°(导通范围是从0°~180°),但由于滤波电容器C的效用,在相近交流峰值电压处的很短时间内,才有输入电流流经过整流桥对C充电。50Hz交流电的半周期为10ms,整流桥的导通时间tC≈3ms,其导通角为54°(导通范围是36°~90°)。因此,整流桥实际上通过的是窄脉冲电流。桥式整流滤波电路的原理如图1(a)所示,整流滤波电压及整流电流的波形分别如图l(b)和(c)所示。总结几点:(1)整流桥的上述属性可等效成对应于输入电压频率的占空比大概为30%。(2)整流二极管的一次导通过程,可视为一个“选通的脉冲”,其脉冲重复频率就相等交流电网的频率(50Hz)。(3)为减低开关电源中500kHz以下的传导噪音,有时用两只平常硅整流管(例如1N4007)与两只快恢复二极管(如FR106)构成整流桥,FRl06的反向恢复时间trr≈250ns。2)整流桥的参数选择隔离式开关电源一般使用由整流管组成的整流桥,亦可直接选用制品整流桥,完成桥式整流。全波桥式整流器简称硅整流桥,它是将四只硅整流管接成桥路形式,再用塑料封装而成的半导体器件。GBU2510整流桥厂家直销!价格优惠!交货快捷!安徽代工整流桥GBU2004

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    现结合RS2501M整流桥在110VAC电源模块上运用的损耗(大概为)来分析。假定整流桥壳体外表面上的温度为结温(即),表面换热系数为(在一般情形下,逼迫风冷的对流换热系数为20~40W/m2C)。那么在环境温度为,整流桥的结温与壳体正面的温差远远低于结温与壳体背面的温差,也就是说,实质上整流桥的壳体正表面的温度是远远大于其背面的温度的。如果我们在测量时,把整流桥壳体正面温度(一般而言情形下比较好测量)来作为我们测算的壳温,那么我们就会过高地估算整流桥的结温了!那么既然如此,我们应当怎样来确定测算的壳温呢?由于整流桥的背面是和散热器互相联接的,并且热能主要是通过散热器散发,散热器的基板温度和整流桥的反面壳体温度间只有触及热阻。通常,触及热阻的数值很小,因此我们可以用散热器的基板温度的数值来取而代之整流桥的壳温,这样不仅在测量上容易实现,还不会给的计算带来不可容忍的误差。ASEMI品牌生产的整流桥从前端的芯片开始、装载芯片的框架、以及外部的环氧塑封材料,到生产后期的引线电镀,全部使用国际环保材质。ASEMI生产的所有整流桥均相符欧盟REACH法律,欧盟ROHS命令所要求的关于铅、Hg等6项要素的含量均在限量的范围之内。浙江代工整流桥GBU25005GBU4005整流桥的生产厂家有哪些?

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    所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是,本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开,通过外置电感实现emi滤波,减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式,以及各种器件的组合可根据需要进行设置,不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外,由于应用的多样性,本实用新型主要针对led驱动领域的三种使用整流桥的拓扑进行了示例,类似的结构同样适用于充电器/适配器等ac-dc电源领域等,尤其是功率小于25w的中小功率段应用,本领域的技术人员很容易将其推广到其他使用了整流桥的应用领域。本实用新型的拓扑涵盖led驱动的高压线性、高压buck、flyback三个应用,并可以推广到ac-dc充电器/适配器领域;同时,涵盖了分立高压mos与控制器合封、高压mos与控制器一体单晶的两种常规应用。本实用新型将整流桥和系统其他功能芯片集成封装,节约系统多芯片封装成本,并有助于系统小型化。综上所述,本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组,包括:塑封体。

    负极连接所述第五电容c5。如图6所示,所述负载连接于所述第五电容c5的两端。具体地,在本实施例中,所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述二极管d的负极,负极连接所述第五电容c5与所述变压器的连接节点。如图6所示,所述第三采样电阻rcs3的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于两绕组flyback(3w~25w)。实施例四本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与实施例一~三的不同之处在于,所述合封整流桥的封装结构1还包括电源地管脚bgnd,所述整流桥的第二输出端不连接所述信号地管脚gnd,而连接所述电源地管脚bgnd,相应地,所述整流桥的设置方式也做适应性修改,在此不一一赘述。如图7所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组与实施例二的不同之处在于,所述电源模组中的合封整流桥的封装结构1采用本实施例的合封整流桥的封装结构1,还包括第六电容c6及第二电感l2。具体地,所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地。GBU15005整流桥的生产厂家有哪些?

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    所述逻辑电路的高压端口连接所述高压供电管脚。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,电容,负载及采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述负载连接于所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚与漏极管脚之间;所述采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,第二电容,第三电容,电感,负载及第二采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述第二电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述第三电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端经由所述电感连接所述合封整流桥的封装结构的漏极管脚;所述负载连接于所述第三电容的两端;所述第二采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。整流桥在电磁炉中的使用。山东代工整流桥GBU1508

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    作为本实施例的一种实现方式,如图5所示,所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地,所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现,其中,第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管,所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上,正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上,正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第七整流二极管dz7的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上,负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。所述第八整流二极管dz8的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上,负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。作为本实施例的一种实现方式,如图5所示,所述控制芯片12包括功率开关管及逻辑电路。所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d,源极连接所述逻辑电路的采样端口,栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号);所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv。安徽代工整流桥GBU2004

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不限于本实施例,任意可实现整流桥连接关系的设置方式均可,在此不一一赘述。如图1所示,在本实施例中,所述功率开关管及所述逻辑电路集成于控制芯片12内。具体地,所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d,源极连接所述逻辑电路的采样端口,栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号);所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口连接所述功率开关管的漏极,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd,漏极端口d连接所述漏极管脚drain,采样端口cs连接所述采样管脚cs。在本实施例中,所述控制芯片1...

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