适用于高频率的电路场合,低频如工频50HZ以下用普通的整流二极管就好。快恢复二极管做整流二极管常用在在频率较高的逆变电路中。但是由于整流电路由于频率很低,故只对耐压有要求,只要耐压能满足,肯定是可以代用的,且快恢复二极管也有用于整流的情况,就是在开关电源次级整流部份,由于频率较高,只能使用快恢复二极管整流,否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低,严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多,耐压越高越贵,所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。之所以称其为快速恢复二极管,这是因为普通整流二极管一般工作于低频(如市电频率为50Hz),其工作频率低于3kHz,当工作频率在几十至几百kHz时,正反向电压变化的时间慢于恢复时间,普通整流二极管就不能正常实现单向导通了,这时就要用快速恢复整流二极管。快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短,这一特点使其适合高频整流。快恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是,二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态,从输出脉冲下降到零线开始。Trr越小的快速恢复二极管的工作频率越高。MUR3020CTR是什么类型的管子?TO263封装的快恢复二极管SF168CTD
选择快恢复二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。快恢复二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定低值的时间间隔,实际上是释放快恢复二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了快恢复二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用,如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短,则快恢复二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间,而在高频脉冲下不但会使其损耗加重,也会引起较大的电磁干扰。所以知道快恢复二极管的反向恢复时间正确选择快恢复二极管和合理设计电路是必要的,选择快恢复二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的,但大多数厂家都不提供该参数数据。天津快恢复二极管MUR1060CAMUR3040CT是快恢复二极管吗?
有一种二极管叫做SONIC二极管,其反向回复时间较为长,约~µs,软度因子在。在制造中除了使用平面结终止结构,玻璃钝化并有硅橡胶保护外,还使用了从硅片背面开展深扩散磷和控制轴向寿命抑制因素,使迅速二极管的反向恢复电流衰减较慢,具反向“软恢复”特点,防范在高频应用时在硬关断过程中产生过高的反向尖峰电压,维护了开关器件及其二极管自身。该二极管在整个工作温度范围内性能安定,并且对于温度的变化正向电压降的变化可以忽视不计。该二极管是为高频应用设计的,在高频应用时安定确实。新的迅速软恢复二极管——SONIC二极管系列克服了这些缺陷,它们的优点为:1.并联二极管工作时正向电压降Vf与温度无关;2.阻断电压平稳,漏电流比掺金和铂的小;3.迅速软恢复二极管在高温下反向漏电流从25℃到125℃比掺铂FRED少50%。SONIC二极管使用磷深扩散和轴向寿命抑制因素,电压从600V至1800V,如图3所示。在硼中受控的轴向寿命抑制因素用来支配区域1中空穴的发射效率。区域2所示的软N区为软恢复提供了额外电荷。空穴的较低的发射效率使得器件的正向电压降对温度不太敏感,这有利二极管并联工作,并且在高温时开关损耗很小。运用电子辐照作为外加的规范寿命抑制因素。
在实际应用时,用到30V时,则trr约为35ns,而用到350V时,trr》35ns,trr还随着结湿上升而增加,Tj=125℃时的trr,约为25℃时的2倍左右。同时,trr还随着流过正向峰值电流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用来计算FRED的功耗和RC电路,但他们亦随结温的升高而増大。125℃结温时的Qrr是25℃时的约、而125℃结温时的Qrr是25℃时的近3倍以上。因此,在选用FRED时必须充分虑这些参数的测试条件、以便作必要的调整。因此,trr短,IRM小和S大的FRED模块是逆变电路中的二极管,而trr短和Qrr小的FRED,使逆变电路中的开关器件和二极管的损耗减少。FRED150A~1200V的外型尺寸见图4。图4FRED的外型尺寸4.快恢复二极管模块应用随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,FRED作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用,这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置以及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材。MURF3040CT是什么类型的管子?
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管,有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。MURF1060CT是什么类型的管子?TO247封装的快恢复二极管MURF3060CT
快恢复二极管的开关电源漏极钳位保护电路。TO263封装的快恢复二极管SF168CTD
继电器并联快恢复二极管电路形式见图1,其作用主要是为了保护晶体管等驱动元器件。流经线圈的电流变化时,线圈会产生自激电压来抑制电流的变化,当线圈中的电流变化越快时,所产生的电压越高。在继电器开通到关断的瞬间,由于线圈有电感的性质,所以瞬间会在继电器的线圈的低电压端产生一个瞬间电压尖峰,通常能高达数十倍的线圈额定工作电压。当图中晶体管VT由导通变为截止时,流经继电器线圈的电流将迅速减小,这时线圈会产生很高的自感电动势与电源电压叠加后加在VT的c、e两极间,会使晶体管击穿,并联上快恢复二极管后,即可将线圈的自感电动势钳位于快恢复二极管的正向导通电压,此值硅管约,锗管约,从而避免击穿晶体管等驱动元器件。并联快恢复二极管时一定要注意快恢复二极管的极性不可接反,否则容易损坏晶体管等驱动元器件。继电器线圈断电瞬间,线圈上可产生高于线圈额定工作电压值30倍以上的反峰电压,对电子线路有极大的危害,通常采用并联瞬态抑制(又叫削峰)快恢复二极管或电阻的方法加以抑制,使反峰电压不超过50V,但并联快恢复二极管会延长继电器的释放时间3~5倍。TO263封装的快恢复二极管SF168CTD