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快恢复二极管基本参数
  • 品牌
  • 国润,GR
  • 型号
  • MUR3040CT
  • 半导体材料
  • 管脚引出方式
  • 共阴极
  • 内部结构
  • 双管/对管
  • 封装方式
  • 塑料封装,环氧树脂封装
  • 正向电压降
  • 1.3
  • 最大反向工作电压
  • 400
  • 额定整流电流
  • 30
  • 外形尺寸
  • TO-220AB
快恢复二极管企业商机

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前,行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种:玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)。二极管的GPP工艺结构,其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化,冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体,无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构,其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结,然后在200度左右温度进行固化,保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)特性对比玻璃钝化(GPP)和酸洗(OJ)芯片工艺由于结构的不同,当有外力产生时,冷热冲击,OJ工艺结构的二极管,由于保护胶和硅片不贴合,会产生漏气,导致器件出现一定比率的失效。GPP工艺结构的TVS二极管,可靠性很高,MUR3040CA是什么类型的管子?江苏快恢复二极管MURF2040CT

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   这样使连线减小,模块可靠性提高。4)外壳:壳体使用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的,并加有40%玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料构成,它能很好地化解与铜底板、主电极之间的热胀冷缩的匹配疑问,通过环氧树脂的浇注固化工艺或环氧板的间距,实现上下壳体的构造连接,以达到较高的防护强度和气闭密封,并为主电极引出提供支撑。3主要技术参数及应用大功率高频开关器件(IGBT、功率MOSFET、IGCT等)已普遍用以VVVF、UPS、SMPS、逆变焊机、伺服电机传动放大器等具备直流环的逆变设备内。图3和4分别示出了VVVF变频器和高频逆变焊机的电原理图。目前,图中的VD1~VD6均使用平常整流二极管,R为充电限流电阻,K为接触器,其功用是对充电限流电阻展开短接。由于高的开关频率,以及VD1~VD6的反向回复峰值电流高和反向恢复时间较长,因而产生谐波,并使电流、电压的波形严重畸变,噪音很高,用超快恢复二极管(FRED)替代一般而言整流二极管作为逆变器的输入整流器,可使变频器的噪音减低到15dB,这主要是由于FRED的关断属性(低的反向回复峰值电流和短的反向恢复时间)所决定。图5给出了FRED导通和关断期间的电流波形图。安徽快恢复二极管MURB1660CTMUR3020CT二极管的主要参数。

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快恢复二极管是极有发展前景的电力、电子半导体器件。性能特点1)反向恢复时间反向恢复时间trr的概念是:电流通过零点由正向变换到规定低值的时间间距。它是衡量高频续流及整流器件性能的主要技术指标。IF为正向电流,IRM为反向回复电流。Irr为反向回复电流,当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压忽然变为反向电压,因此正向电流很快下降,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR日渐增大;在t=t2日子达到反向回复电流IRM值。此后受正向电压的效用,反向电流日趋减少,并在t=t3日子达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相像之处。2)快回复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部构造与平常二极管不同,它是在P型、N型硅材质中间增加了基区I,组成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向回复电荷很小,减少了trr值,还下降了瞬态正向压降,使管子能经受很高的反向工作电压。快回复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷更进一步减少,使其trr可低至几十纳秒。

   继电器线圈可以储存能量的(线圈会阻止电流的突变,即电流只能慢慢增大和减少),如果一下使线圈断电,它两端就会产生很大的电压,这样就可能使线圈损坏、相连接的元器件击穿。这时,我们只要在线圈两端接上快恢复二极管,便可以使它产生一个回路(断电时相当于在线圈两端接根短路线),使线圈储存的能量放完。这个快恢复二极管在这里起到续流的作用,我们通常称它为续流快恢复二极管。电感在电路中常用“L”加数字表示,电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流快速恢复二极管额定值和特性对其应用的影响有哪些?

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   2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。2.检测方法(1)测量反向恢复时间测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号。MURB3060CT是什么类型的管子?湖北快恢复二极管MUR3060CT

MUR3040CT是快恢复二极管吗?江苏快恢复二极管MURF2040CT

   在实际应用时,用到30V时,则trr约为35ns,而用到350V时,trr》35ns,trr还随着结湿上升而增加,Tj=125℃时的trr,约为25℃时的2倍左右。同时,trr还随着流过正向峰值电流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用来计算FRED的功耗和RC电路,但他们亦随结温的升高而増大。125℃结温时的Qrr是25℃时的约、而125℃结温时的Qrr是25℃时的近3倍以上。因此,在选用FRED时必须充分虑这些参数的测试条件、以便作必要的调整。因此,trr短,IRM小和S大的FRED模块是逆变电路中的二极管,而trr短和Qrr小的FRED,使逆变电路中的开关器件和二极管的损耗减少。FRED150A~1200V的外型尺寸见图4。图4FRED的外型尺寸4.快恢复二极管模块应用随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,FRED作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用,这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置以及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材。江苏快恢复二极管MURF2040CT

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广东快恢复二极管MUR2040CA 2024-08-15

继电器并联快恢复二极管电路形式见图1,其作用主要是为了保护晶体管等驱动元器件。流经线圈的电流变化时,线圈会产生自激电压来抑制电流的变化,当线圈中的电流变化越快时,所产生的电压越高。在继电器开通到关断的瞬间,由于线圈有电感的性质,所以瞬间会在继电器的线圈的低电压端产生一个瞬间电压尖峰,通常能高达数十倍的线圈额定工作电压。当图中晶体管VT由导通变为截止时,流经继电器线圈的电流将迅速减小,这时线圈会产生很高的自感电动势与电源电压叠加后加在VT的c、e两极间,会使晶体管击穿,并联上快恢复二极管后,即可将线圈的自感电动势钳位于快恢复二极管的正向导通电压,此值硅管约,锗管约,从而避免击穿晶体管等驱动元...

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