CR和DR存在一些共同点。1、DR和CR将X射线图像信息转换成数字图像信息。与传统的X射线相比,工作量,工作效率和胶片消耗都具有明显的优势。CR和DR技术不仅省去了薄膜冲洗工艺,而且减少了化学药品的消耗,并且可以很好地控制质量。2、DR和CR都具有较宽的动态范围和较宽的曝光范围。当X射线曝光参数不足时,可以获得良好的图像。透照的成功率很高,可以有效地减少回收率,并减少废品率。3、DR和CR获取数字信号图像,并根据需要通过图像处理系统实现图像优化,改善图像细节,达到比较好视觉效果,提高图像质量。 如果您有DR数字平板探测器的需求,欢迎致电联系我们。常州X射线成像平板探测器
在通常的读取方式中,由于像素读取规模的差异,不同的分辨率对应不同的帧率。在通道带宽固定的前提下,想要提高帧率就要考虑是否需要缩小视野(外圈裁切)。若不希望视野缩小,需要减少采样的分辨率。常用的减少分辨率的两种方式是下采样,即Skipping(跳采样)和Binning(合并读出)。通过选取视野中的像素点,抽取指定像素点来降低分辨率。在Skipping模式中,并不会对所有行列的像素点进行采样,这样才能获取非原始分辨率的图像(降低的分辨率图像),而行列数据是成对读取的。 浙江便携平板探测器我公司拥有多年研发生产经验,探测器性能稳定,性价比高,提供各类技术支持。
X射线管包含有阳极和阴极两个电极,分别用于用于接受电子轰击的靶材和发射电子的灯丝。两极均被密封在高真空的玻璃或陶瓷外壳内。X射线管供电部分至少包含有一个使灯丝加热的低压电源和一个给两极施加高电压的高压发生器。当钨丝通过足够的电流使其产生电子云,且有足够的电压(千伏等级)加在阳极和阴极间,使得电子云被拉往阳极。此时电子以高能高速的状态撞击钨靶,高速电子到达靶面,运动突然受到阻止,一部分动能转化为辐射能,以X射线的形式放出,以这种形式产生的辐射称为轫致辐射。改变灯丝电流的大小可以改变灯丝的温度和电子的发射量,从而改变管电流和X射线强度的大小。改变X光管激发电位或选用不同的靶材可以改变入射X射线的能量或在不同能量处的强度。由于受高能电子轰击,X射线管工作时温度很高,需要对阳极靶材进行强制冷却。
通常来说,屏幕上人们肉眼所见的一个点,即一个像素,它是由红、绿、蓝(RGB)三原色组成的。每一个基色,其背后的光源都可以显现出不同的亮度级别。而灰阶**了由**暗到**亮之间不同亮度的层次级别。把三基色每一个颜色从纯色(如纯红)不断变暗到黑的过程中的变化级别划分成为色彩的灰阶,并用数字表示,就是**常见的色彩存储原理。这中间层级越多,所能够呈现的画面效果也就越细腻。例如8bit我们就称之为256灰阶。在数字信息存贮中,计算设备用2进制数来表示,每个0或1就是一个位(bit)。假设1**黑、0**白,在黑白双色系统中**少有2bit。单基色为nbit,画面位数就为2ⁿbit,位数越大,灰度越多。像素尺寸太小,会增加图像噪声。反之太大,会降低图像分辨率。
像素是一个面积单位,相当于每个薄膜晶体管单元为139微米×139微米,整块43厘米×43厘米的面积布满了944万像素单元,清晰度非常高。像素太大,则无法看到病灶点的细节,而像素太小,则需要提高每个像素的入射光子数量,则提高了X光的剂量,对被照体产生伤害。139微米的比较好设计即保障了清晰度,同时也充分利用了入射剂量,减少了对被照体的伤害。除了薄膜晶体管阵列对应的单元,芯片设计的是否直接bonding在TFT上也是一个**工艺,一般分为直接bonding在TFT上,该技术为CHIPONGLASS。该技术无中间层,提高了转换率无中间层衰减。其它技术则通过软性电路板中间层连接,提高了损耗。总结来看,直接生长工艺的碘化铯非晶硅TFT平板、具备毫秒级反应的工作流、139微米的像素单元设计和芯片直接bonding在TFT上,为目前平板的**设计和比较好设计。 Binning 优势:能够在视野面积和比例不变的前提下提高帧数,同时也可以提高暗处对光感应的灵敏度。浙江便携平板探测器
在压力管道无损检测技术的应用中,射线检测是一种常见的检测技术。常州X射线成像平板探测器
量子探测效率(DQE)是一种对成像系统信号和噪声从输入到输出的传输能力的表达,以百分比表示。DQE反映的是平板探测器的灵敏度、噪声、X线剂量和密度分辨率。在非晶硅平板探测器中,影响DQE的因素主要有两个方面:闪烁体涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。 闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力,所以对DQE会产生影响。闪烁体涂层材料有两种:碘化铯和硫氧化钆。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强但成本比较高;将碘化铯加工成柱状结构,可以进一步提高捕获X线的能力,减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速率快,性能稳定,成本较低,但是转换效率不如碘化铯涂层高。 常州X射线成像平板探测器
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