苏州动态平板探测器技术参数

铸件的缺陷中有一些暴露在表面，比较容易甄别出来。麻烦的是内部缺陷，它可能存在也可能没有，可能很微小不足为惧也可能严重到会随时报废引起更大的连锁反应。我们现在使用的很多产品都比以前的小巧美观，这一切多多少少会归功于X射线无损检测技术的保驾护航。X射线检测的原理是利用X射线穿透能力强并且稳定可控，射线穿透检材后被平板探测器收集，根据射线的衰减差异经过软件处理生成检测图像。因为检材中的缺陷和检材自身的密度是不同的，通过缺陷的射线和别处的射线衰减情况一定会不同，在成像上缺陷也会特别的明显。 平板探测器在安检领域的应用包括公共场所安检、车辆集装箱检查、可疑包裹排查等。苏州动态平板探测器技术参数

通常来说，屏幕上人们肉眼所见的一个点，即一个像素，它是由红、绿、蓝（RGB）三原色组成的。每一个基色，其背后的光源都可以显现出不同的亮度级别。而灰阶**了由**暗到**亮之间不同亮度的层次级别。把三基色每一个颜色从纯色（如纯红）不断变暗到黑的过程中的变化级别划分成为色彩的灰阶，并用数字表示，就是**常见的色彩存储原理。这中间层级越多，所能够呈现的画面效果也就越细腻。例如8bit我们就称之为256灰阶。在数字信息存贮中，计算设备用2进制数来表示，每个0或1就是一个位(bit)。假设1**黑、0**白，在黑白双色系统中**少有2bit。单基色为nbit，画面位数就为2ⁿbit，位数越大，灰度越多。数字影像平板探测器技术指导数字化X线影像系统因成像质量高、曝光时间短，成为工业无损检测优先。

CMOS，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm^2/VS，这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。

平板探测器（简称FPD），按工作模式，可分为静态和动态两种。静态平板探测器是指单次X射线或由单次X射线组合的序列拍片下成像的平板探测器。利用静态平板探测器制造的数字化X射线影像系统在成像时，主要凸显被检测物体的大小和形状，无时间维度上的变化。动态平板探测器是指脉冲式或连续X射线曝光拍片下成像的平板探测器。相比静态而言，增加了时间维度的连续观察摄像功能，能在连续的情况下动态观察被检测物体的情况，可更好地满足特定使用需求。 平板探测器的灵敏度远高于普通X线片，只需要比较小的能量就可获得满意的图像。

间接转换的平板探测器（FPD）中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体的涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。首先闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，因此对DQE会产生影响。常见的闪烁体涂层材料有两种：碘化铯(CsI)和硫氧化钆(Gd2O2S)。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强，但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，并减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。 数字化X射线影像(DR)要比普通影像辐射量减少30％-70％。济南动态平板探测器技术指导

平板探测器涉及芯片、TFT、电子电路、光学、图像算法和人工智能算法等。苏州动态平板探测器技术参数

X平板探测器常用的曝光方式为内触发，通过闪烁材料把X射线转换为可见光，可见光照射光电传感器输出电流，配合相关电路***输出电平信号，探测器根据这个电平信号来控制曝光。但是光电传感器内触发灵敏度高，容易存在误触发、不触发的情况，且平板清空指令发出的时间不灵活，容易引发上图时间长等问题；同时内触发方式引起的漏电流影响了成像的质量。因此，如何解决X平板探测器内触发造成的误触发、不触发、平板清空指令发出时间不灵活、上图时间长等问题，提高成像质量已成本领域技术人员亟待解决的问题。 苏州动态平板探测器技术参数

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