福建实时成像平板探测器

平板探测器（简称FPD）对kV、mAs（或mA、s）的响应特性是不同的。

FPD对kV的响应特性呈阶段性：当kV小于100kV时，呈准线性响应，影像的原始灰度值随着kV的增加近乎呈线性增加；当kV大于100kV时，其响应性明显变弱，影像的灰度值随着kV的增加而增加的幅度明显下降。

FPD对mAs（或mA、s）的响应几近线性。这一特性指导我们对较厚肢体照射时，在满足被照肢体穿透力（kV大于100kV后）的情况下，不要只靠调节kV来增加曝光量，所以此时应适当增加mAs（或加大mA或延长曝光时间或二者都相应加大），增加曝光量以增加图像灰度值；而对较薄肢体部位照射时，其穿透kV远远小于100kV，此时应适当提高kV，降低mAs（或减小mA或缩短曝光时间或二者都相应减少）。 静态、动态平板的架构差异不大，针对不同终端使用场景，在工作模式、设计思路和参数设置上有所不同。福建实时成像平板探测器

平板探测器（简称FPD）面积一定的条件下，为增加空间分辨率，只能减小像素尺寸、降低单位像素面积、增加像素密度。单位像素的面积越小，会使像素有效因子减少，像素的感光性能越低，信噪比越低，动态范围变窄。因此这种减小像素尺寸的方法不可能无限制地增大分辨率，相反会引起图像质量的恶化，增加的空间分辨率又被因此带来的噪声淹没。要弥补此问题就要增大X射线的曝光剂量，这与X射线影像技术的发展相违背。因此，单有高的空间分辨率并不意味着更高的发现能力。 贵州安防平板探测器平板探测器按接受材料分有三种：非晶硅（a-Si）、非晶硒（a-Se）、CMOS。

CMOS，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm²/VS，这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。

随着电子制造水平的越来越成熟，更多精密的电子产品与设备出现在生产生活中。在电子产品的品质检验上，射线检测由于其非接触性，有着其他无损检测方法不可替代的地位。微焦点X射线数字成像检测系统是比较常用的一种检测设备。通过焦点尺寸控制在50微米以下的微焦点X射线装置，在空间上形成相较于普通金属陶瓷管X射线装置更大的放大倍数的图像。这样的成像方式使得在显示器上观测线路板上的各类器件的产品品质更为容易，且因为焦点尺寸在50微米以下，图像的基本空间分辨率可以高达10~50微米以内。 Short-term memory effect 20s：一次曝光20S后探测器短期记忆效应。

调制传递函数(MTF)是描述系统再现成像物体空间频率范围的能力。理想的成像系统要求100%再现成像物体细节，但现实中肯定存在不同程度的衰减，所以MTF始终<1，它说明成像系统不能把输入的影像全部再现出来，换句话说，凡是经过成像系统所获得的图像都不同程度损失了影像的对比度。MTF值越大，成像系统再现成像物体细节能力越强。

国际机构的测量结果表明，相比于非晶硅平板探测器，非晶硒平板探测器具有优良的MTF值，但空间分辨率增加时，非晶硅平板探测器的MTF迅速下降，而非晶硒平板探测器仍能保持较好的MTF值。 如果您有平板探测器的需求，欢迎致电联系我们。福建实时成像平板探测器

DR技术是快速高效的射线成像技术之一，可以在几秒钟内获得数字图像。福建实时成像平板探测器

X射线探伤机的穿透能力取决于X射线探伤机的容量，既X射线探伤机的管电压，管电压愈高，X射线愈硬，能量愈大，穿透能力就愈强，穿透能力与管电压平方成正比。另外，在相同的管电压下，还与被检验工件的材质的密度等性质有关，也就是与被检验工件对X射线的衰减能力有关。X射线检测显示的图像是焊缝区域的平面投影，X射线检测的灵敏度取决于缺陷的面积（决定投影面积）及其在面积方向的深度（决定缺陷与正常焊缝的对比度）。体积型缺陷在各个方向上均有一定尺寸，X射线检验对于体积型缺陷的检测灵敏度很高。 福建实时成像平板探测器

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