北京X射线成像平板探测器

CR和DR的共通点：

1、DR和CR将X射线图像信息转换成数字图像信息。与传统的X射线相比，工作量，工作效率和胶片消耗都具有明显的优势。CR和DR技术不仅省去了薄膜冲洗工艺，而且减少了化学药品的消耗，并且可以很好地控制质量。

2、DR和CR都具有较宽的动态范围和较宽的曝光范围。当X射线曝光参数不足时，可以获得良好的图像。透照的成功率很高，可以有效地减少回收率，并减少废品率。

3、DR和CR获取数字信号图像，并根据需要通过图像处理系统实现图像优化，改善图像细节，达到比较好视觉效果，提高图像质量。 AED是自动感应曝光技术，可以让平板探测器自动探测X射线，自动进入曝光窗口，把图像输出至计算机。北京X射线成像平板探测器

根据探测器的闪烁体材料，可分为碘化铯(CsI)平板和硫氧化钆(GdOS)平板两种。二者成像原理基本一致，不过因探测材料不同，成本及性能有明显差异：

1、与碘化铯不同，GdOS不需要长时间蒸镀沉积过程，生产工艺简单，产品稳定可靠，成本较CsI低20%—30%；2、相较于GdOS，针状碘化铯晶体的X射线转换效率高30%—40%，横向光扩散也更小，具有更高的空间分辨率。因此，碘化铯平板的DQE更高，成像更清晰。根据IHSMarkit预测，在闪烁体领域，凭优异的性能，碘化铯将进一步挤占硫氧化钆的市场份额。 河北X射线检测平板探测器像素尺寸是指相邻像素的中心距离。

闪烁体除了材料区别，还有工艺区分，主要分为直接生长型和贴膜型。

1、直接生长型主要为闪烁体晶体通过专业设备蒸镀在非晶硅TFT上，大致形式为将非晶硅TFT倒置在专业蒸镀设备上，可以精确到微米级的晶体生长。约10小时后，晶体直接生长在TFT上，再通过惰性化学物质将晶体长期封装在TFT上。该工艺十分复杂，设备高昂，但直接生长的碘化铯工艺和材料可以确保在低剂量下图像效果为比较好效果。

2、除了直接蒸镀就为贴膜工艺，将晶体放到膜上然后通过贴合到TFT表面，该种工艺多了一层中间的转换层降低了转换效率，另外贴合分为全自动覆膜机贴合和人工贴合。该工艺对胶水要求高，要求比例均匀和贴合工艺正确，不然会出现脱落和不均匀影响图像效果。

像素是一个面积单位，相当于每个薄膜晶体管单元为139微米×139微米，整块43厘米×43厘米的面积布满了944万像素单元，清晰度非常高。像素太大，则无法看到病灶点的细节，像素太小，则需要提高每个像素的入射光子数量，则提高了X光的剂量，对被照体产生伤害。139微米的比较好设计即保障了清晰度，同时也充分利用了入射剂量，减少了对被照体的伤害。除了薄膜晶体管阵列对应的单元，芯片设计的是否直接bonding在TFT上也是一个**工艺，一般分为直接bonding在TFT上，该技术为CHIPON GLASS。该技术无中间层，提高了转换率无中间层衰减。其它技术则通过软性电路板中间层连接，提高了损耗。总结来看，直接生长工艺的碘化铯非晶硅TFT平板、具备毫秒级反应的工作流、139微米的像素单元设计和芯片直接bonding在TFT上，为目前平板的**设计和比较好设计。 动态平板探测器主流应用场景为术中连续追踪成像、动态影像诊断及医疗辅助定位。

X射线管包含有阳极和阴极两个电极，分别用于接受电子轰击的靶材和发射电子的灯丝。两极被密封在高真空的玻璃或陶瓷外壳内。X射线管供电部分至少包含有一个使灯丝加热的低压电源和一个给两极施加高电压的高压发生器。当钨丝通过足够的电流使其产生电子云，且有足够的电压（千伏等级）加在阳极和阴极间，使得电子云被拉往阳极。此时电子以高能高速的状态撞击钨靶，高速电子到达靶面，运动突然受到阻止，其动能的一小部分便转化为辐射能，以X射线的形式放出，以这种形式产生的辐射称为轫致辐射。 软件Binning是在读出之后，将数字化的像素电荷包相加，不会提高信噪比。北京X射线成像平板探测器

Binning是一种图像读出模式，将相邻像素感应的电荷加在一起，以一个数值读出。北京X射线成像平板探测器

现在的电子产品几乎把轻薄设计作为企业竞争优势。电子产品的内部就变得更复杂，元器件越来越小，但算力却几何倍数提升。这对加工和检验环节提出了新的挑战。

常规的检查方法：视觉检查，光学检查，电测试和超声检查等，很难同时满足既能检测得准确又能跟得上量产速度。目前行业内越来越多人认可X射线检测的准确性、可靠性和快速成像优势。X射线的一项明显特点就是穿透性强，在射线穿透检材后再接收衰减程度不一的射线并通过软件处理成像就可以非常直观的发现缺陷。 北京X射线成像平板探测器