沉积工艺也可分为化学气相沉积和物理的气相沉积。CVD的优点是速率快，且由于在晶圆表面发生化学反应，拥有台阶覆盖率。但从上述化学方程式中不难看出，其缺点就是产生副产物废气。在半导体制程中，很难将这些废气完全排出，难免会参杂些不纯物质。因此，CVD多用于不需要精确把控材料特性的沉积涂层，如沉积各种消耗性的膜层（硬掩模）或各种厚绝缘薄膜等。PVD则向晶圆表面直接轰击要沉积的材料。也就是说，如果想在晶圆表面沉积A物质，则需将A物质气化后，使其沉积到晶圆表面。常用的PVD方法有溅射，这在刻蚀工艺中也曾涉及过。在这种方法中，我们先向A物质靶材轰击离子束（主要采用惰性气体），使A物质粒子溅射出来，再将脱落的粒子转移至硅片表面，并形成薄膜。PVD的优点是无副产物，沉积薄膜的纯度高，且还可以沉积钨（W）、钴（Co）等无反应能力的纯净物材料。因此，多用于纯净物的金属布线。真空镀膜在航空航天领域有重要应用。中山新型真空镀膜
加热：通过外部加热源（如电阻丝、电磁感应等）对反应器进行加热，将反应器内的温度升高到所需的工作温度，一般在3001200摄氏度之间。加热的目的是促进气相前驱体与衬底表面发生化学反应，形成固相薄膜。送气：通过气路系统向反应器内送入气相前驱体和稀释气体，如SiH4、NH3、N2、O2等。送气的流量、比例和时间需要根据不同的沉积材料和厚度进行调节。送气的目的是提供沉积所需的原料和控制沉积反应的动力学。沉积：在给定的压力、温度和气体条件下，气相前驱体与衬底表面发生化学反应，形成固相薄膜，并释放出副产物。沉积过程中需要监测和控制反应器内的压力、温度和气体组成，以保证沉积质量和性能。卸载：在沉积完成后，停止送气并降低温度，将反应器内的压力恢复到大气压，并将沉积好的衬底从反应器中取出。卸载时需要注意避免温度冲击和污染物接触，以防止薄膜损伤或变质。三亚小家电真空镀膜镀膜技术为产品提供优越的防腐保护。
电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中一种常用的方法，是在高真空条件下利用电子束激发进行直接加热蒸发材料，是使蒸发材料由固体转变为气化并向衬底输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的材料放置于底部有循环水冷的坩埚当中，可避免电子束击穿坩埚导致仪器损坏，而且可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜。在微电子与光电子集成中，薄膜的形成方法主要有两大类，及沉积和外延生长。沉积技术分为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法；化学气相沉积是典型的化学方法；等离子体增强化学气相沉积是物理与化学方法相结合的混合方法。薄膜沉积过程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉积部位和晶态结构都是随机的，而没有固定的晶态结构。
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。真空蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发容器待形成薄膜的原材料，使原子或者分子从表面气化逸出，形成蒸汽流。
LPCVD的关键硬件主要包括以下几个部分：反应器：LPCVD反应器是用于进行LPCVD制程的主要设备，它由一个密封的容器和一个加热系统组成。根据反应器的形状和加热方式的不同，LPCVD反应器可以分为水平管式反应器、垂直管式反应器、单片反应器等。水平管式反应器是一种常用的LPCVD反应器，它由一个水平放置的石英管和一个螺旋形的电阻丝加热系统组成，可以同时处理多片衬底，具有较高的生产效率和较好的沉积均匀性。垂直管式反应器是另一种常用的LPCVD反应器，它由一个垂直放置的石英管和一个电磁感应加热系统组成，可以实现更高的沉积温度和更快的沉积速率，适用于高温沉积材料。镀膜层能有效隔绝环境中的有害物质。三亚小家电真空镀膜
真空镀膜技术能提升产品的市场竞争力。中山新型真空镀膜
LPCVD技术是一种在低压下进行化学气相沉积的技术，它有以下几个优点高质量：LPCVD技术可以在低压下进行高温沉积，使得气相前驱体与衬底表面发生充分且均匀的化学反应，形成高纯度、低缺陷密度、低氢含量、低应力等特点的薄膜材料。高均匀性：LPCVD技术可以在低压下进行大面积沉积，使得气相前驱体在衬底表面上有较长的停留时间和较大的扩散距离，形成高均匀性和高一致性的薄膜材料。高精度：LPCVD技术可以通过调节压力、温度、气体流量和时间等参数来控制沉积速率和厚度，形成高精度和可重复性的薄膜材料。高效率：LPCVD技术可以采用批量装载和连续送气的方式来进行沉积。中山新型真空镀膜
