高速率磁控溅射本质特点是产生大量的溅射粒子，导致较高的沉积速率。实验表明在较大的靶源密度在高速溅射，靶的溅射和局部蒸发同时发生，两种过程的结合保证了较大的沉积速率（几μm/min）并导致薄膜的结构发生变化。与通常的磁控溅射比较，高速溅射和自溅射的特点在于较高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2，（Pd为磁控靶功率，S为靶表面积）。高速溅射有一定的限制，因此在特殊的环境才能保持高速溅射，如足够高的靶源密度，靶材足够的产额和溅射气体压力，并且要获得较大气体的离化率。较大限制高速沉积薄膜的是溅射靶的冷却。磁控溅射就是在外加电场的两极之间引入一个磁场。云南射频磁控溅射优点
磁控溅射技术不只是科学研究和精密电子制造中常用的薄膜制备工艺技术，经过多年的不断完善和发展，该技术也已经成为重要的工业化大面积真空镀膜技术之一，普遍应用于玻璃、汽车、医疗卫生、电子工业等工业和民生领域。例如，采用磁控溅射工艺生产镀膜玻璃，其膜层可以由多层金属或金属氧化物祖成，允许任意调节能量通过率、反射率，具有良好的美观效果，被越来越多的被应用于现代建筑领域。再比如，磁控溅射技术也能够应用于织物涂层，这些织物涂层可以应用于安全领域，如防电击、电磁屏蔽和机器人防护面料等，也可用于染料制作。这样的涂层织物在医疗卫生、环境保护、电子工业等领域都有重要的应用。上海直流磁控溅射价格磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向。
反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。但是，直流反应溅射的反应气体会在靶表面非侵蚀区形成绝缘介质层，造成电荷积累放电，导致沉积速率降低和不稳定，进而影响薄膜的均匀性及重复性，甚至损坏靶和基片。为了解决这一问题，近年来发展了一系列稳定等离子体以控制沉积速率，提高薄膜均匀性和重复性的技术。(1)采用双靶中频电源解决反应磁控溅射过程中因阳极被绝缘介质膜覆盖而造成的等离子体不稳定现象，同时还解决了电荷积累放电的问题。(2)利用等离子发射谱监测等离子体中的金属粒子含量，调节反应气体流量使等离子体放电电压稳定，从而使沉积速率稳定。(3)使用圆柱形旋转靶减小绝缘介质膜的覆盖面积。(4)降低输入功率，并使用能够在放电时自动切断输出功率的智能电源抑制电弧。(5)反应过程与沉积过程分室进行，既能有效提高薄膜沉积速率，又能使反应气体与薄膜表面充分反应生成化合物薄膜。
磁控溅射的工艺研究：1、系统参数：工艺会受到很多参数的影响。其中，一些是可以在工艺运行期间改变和控制的;而另外一些则虽然是固定的，但是一般在工艺运行前可以在一定范围内进行控制。两个重要的固定参数是：靶结构和磁场。2、靶结构：每个单独的靶都具有其自身的内部结构和颗粒方向。由于内部结构的不同，两个看起来完全相同的靶材可能会出现迥然不同的溅射速率。在镀膜操作中，如果采用了新的或不同的靶，应当特别注意这一点。如果所有的靶材块在加工期间具有相似的结构，调节电源，根据需要提高或降低功率可以对它进行补偿。在一套靶中，由于颗粒结构不同，也会产生不同的溅射速率。这也需要在镀膜期间加以注意。不过，这种情况只有通过更换靶材才能得到解决，这时候为了得到优良的膜层，必须重新调整功率或传动速度。因为速度对于产品是至关重要的，所以标准而且适当的调整方法是提高功率。磁控溅射的优点：操作易控。
磁控溅射镀膜的产品特点：1、磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳栏式地沿着环状磁场转圈.相应地,环状磁场控制的区域是等离子体密度较高的部位.在磁控溅射时,可以看见溅射气体——氩气在这部位发出强烈的淡蓝色辉光,形成一个光环.处于光环下的靶材是被离子轰击较严重的部位,会溅射出一条环状的沟槽.环状磁场是电子运动的轨道,环状的辉光和沟槽将其形象地表现了出来.磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材,就会导致整块靶材报废,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2、等离子体不稳定。磁控溅射又称为高速低温溅射。河北双靶磁控溅射处理
反应磁控溅射沉积过程中基板升温较小，而且制膜过程中通常也不要求对基板进行高温加热。云南射频磁控溅射优点
非平衡磁控溅射的磁场有边缘强，也有中部强，导致溅射靶表面磁场的“非平衡”。磁控溅射靶的非平衡磁场不只有通过改变内外磁体的大小和强度的永磁体获得，也有由两组电磁线圈产生，或采用电磁线圈与永磁体混合结构，还有在阴极和基体之间增加附加的螺线管，用来改变阴极和基体之间的磁场，并以它来控制沉积过程中离子和原子的比例。非平衡磁控溅射系统有两种结构，一种是其芯部磁场强度比外环高，磁力线没有闭合，被引向真空室壁，基体表面的等离子体密度低，因此该方式很少被采用。另一种是外环磁场强度高于芯部磁场强度，磁力线没有完全形成闭合回路，部分外环的磁力线延伸到基体表面，使得部分二次电子能够沿着磁力线逃逸出靶材表面区域，同时再与中性粒子发生碰撞电离，等离子体不再被完全限制在靶材表面区域，而是能够到达基体表面，进一步增加镀膜区域的离子浓度，使衬底离子束流密度提高，通常可达5mA/cm2以上。这样溅射源同时又是轰击基体表面的离子源，基体离子束流密度与靶材电流密度成正比，靶材电流密度提高，沉积速率提高，同时基体离子束流密度提高，对沉积膜层表面起到一定的轰击作用。云南射频磁控溅射优点
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