真空镀膜：反应性离子镀：如果采用电子束蒸发源蒸发，在坩埚上方加20V～100V的正偏压。在真空室中导入反应性气体，如氮气、氧气、乙炔、甲烷等反应性气体代替氩气，或在此基础上混入氩气。电子束中的高能电子可以达到几千至几万电子伏特的能量，不仅可以使镀料熔化蒸发，而且能在熔化的镀料表面激励出二次电子。二次电子在上方正偏压作用下加速，与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而电离成离子，在工件表面发生离化反应，从而获得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特点是沉积率高，工艺温度低。真空镀膜技术四五十年代开始出现工业应用。盐城真空镀膜工艺
真空蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到衬底或者基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。真空蒸发镀膜法，设备比较简单、容易操作、制成的薄膜纯度高、质量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定温度下，在真空当中，蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出的压力， 称为该物质的饱和蒸气压。此时蒸发物表面液相、气相处于动态平衡，即到达液相表面的分子全部粘接而不离开，并与从液相都气相的分子数相等。物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大，在一定温度下，各种物质的饱和蒸气压不相同，且具有恒定的数值。相反，一定的饱和蒸气压必定对应一定的物质的温度。真空镀膜设备真空镀膜中离子镀的镀层无小孔。
PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。使用等离子体增强气相沉积法（PECVD）可在低温（200-350℃）沉积出良好的氧化硅薄膜，已被广泛应用于半导体器件工艺当中。在LED工艺当中，因为PECVD生长出的氧化硅薄膜具有结构致密，介电强度高、硬度大等优点，而且氧化硅薄膜对可见光波段吸收系数很小，所以氧化硅被用于芯片的绝缘层和钝化层。
真空镀膜：真空溅射法：真空溅射法是物理的气相沉积法中的后起之秀。随着高纯靶材料和高纯气体制备技术的发展，溅射镀膜技术飞速发展，在多元合金薄膜的制备方面显示出独到之处。其原理为：稀薄的空气在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材料表面进行轰击，把靶材料表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方法射向基体表面，在基体表面形成镀层。特点为：镀膜层与基材的结合力强；镀膜层致密、均匀；设备简单，操作方便，容易控制。主要的溅射方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射等。目前应用较多的是磁控溅射法。真空镀膜中等离子体增强化学气相沉积可在较低温度下形成固体膜。
通过PVD制备的薄膜通常存在应力问题，不同材料与衬底间可能存在压应力或张应力，在多层膜结构中可能同时存在多种形式的应力。薄膜应力的起源是薄膜生长过程中的某种结构不完整性(杂质、空位、晶粒边界、错位等)、表面能态的存在、薄膜与基底界面间的晶格错配等.对于薄膜应力主要有以下原因：1.薄膜生长初始阶段，薄膜面和界面的表面张力的共同作用；2.沉积过程中膜面温度远高于衬底温度产生热应变；3.薄膜和衬底间点阵错配而产生界面应力；4.金属膜氧化后氧化物原子体积增大产生压应力；5.斜入射造成各向异性成核、生长；6.薄膜内产生相变或化学组分改变导致原子体积变化 真空镀膜机、真空镀膜设备多弧离子镀膜产品质量的高低是针对某种加工对象和满足其要求的。盐城真空镀膜工艺
离子镀是真空镀膜技术的一种。盐城真空镀膜工艺
真空镀膜技术与湿式镀膜技术相比较，具有下列优点：薄膜和基体选材普遍，薄膜厚度可进行控制，以制备具有各种不同功能的功能性薄膜。在真空条件下制备薄膜，环境清洁，薄膜不易受到污染，因此可获得致密性好、纯度高和涂层均匀的薄膜。薄膜与基体结合强度好，薄膜牢固。干式镀膜既不产生废液，也无环境污染。真空镀膜技术主要有真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀、真空束流沉积、化学气相沉积等多种方法。除化学气相沉积法外，其他几种方法均具有以下的共同特点：各种镀膜技术都需要一个特定的真空环境，以保证制膜材料在加热蒸发或溅射过程中所形成蒸气分子的运动，不致受到大气中大量气体分子的碰撞、阻挡和干扰，并消除大气中杂质的不良影响。盐城真空镀膜工艺
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