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超快激光玻璃晶圆切割设备基本参数
  • 品牌
  • 超通智能
  • 型号
  • CTI-GlassCut
  • 控制方式
  • 数控
  • 作用对象
  • 玻璃
  • 电流
  • 交流
超快激光玻璃晶圆切割设备企业商机

主要性能参数产品型号CTI-GlassCut皮秒激光器激光器波长1064 nm激光器脉宽10 ps平均峰值功率50W切割头切割焦深5 mm**小光斑1-2 um切割精度±20 um崩边<5 um切割速度100mm/s (3mm白玻璃)工作平台参数平台形式XY直线电机基座高精度大理石平台加工范围400×400 mm(可定制)定位精度±3 um重复定位精度±2 um比较大速度1000 mm/sCCD工业相机600W镜头远心镜头系统属性支持文件格式DXF等常规CAD格式环境要求温度:20-30℃,湿度:<60%电力需求380V/50Hz/10KVA无锡超快激光玻璃晶圆切割设备的特点分析。上海先进超快激光玻璃晶圆切割设备解决方案

晶圆是半导体产品与芯片的基础材料,晶圆生长后需要经过机械抛光,后期尤为重要的是晶圆切割加工,也叫晶圆划片。早期短脉冲DPSS激光器切割晶圆技术已经在欧洲、美国发展成熟。随着超快激光器的快速发展和功率提升,超快激光切割晶圆未来将会逐渐成为主流,特别在晶圆切割、微钻孔、封测等工序上,设备需求潜力较大。目前国内已经有精密激光设备厂家能够提供晶圆开槽设备,可应用于28nm制程以下12寸晶圆的表面开槽,以及激光晶圆隐切设备应用于MEMS传感器芯片,存储芯片等**芯片制造领域。在2020年深圳某大型激光企业已经研发出激光解键合设备,实现玻璃片和硅片分离,可用于**半导体芯片应用。安徽自制超快激光玻璃晶圆切割设备订制价格无锡超快激光玻璃晶圆切割设备多少钱一个?

激光隐形切割是激光切割晶片的一种方案,很好地避免了砂轮雕刻的问题。如图1所示,激光隐身切割将脉冲激光的单脉冲通过光学成型,通过材料表面聚焦于材料内部,聚焦区域能量密度高,形成多光子吸收非线性吸收效应,导致材料变形出现裂纹。各激光脉冲等距作用可以形成等距损伤,在材料内部形成变质层。在变质层中,材料的分子结合被破坏,材料的连接减弱,容易分离。切割完成后,通过拉伸轴承膜完全分离产品,并在芯片和芯片之间形成间隙。这种加工方式避免了机器的直接接触和纯净水现象造成的破坏。目前,激光隐身切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅及多种化合物半导体晶圆。

晶圆激光切割与传统的机械切割法相比,这种新的方法有几个重要的优点。首先,这是一步即可完成的、干燥的加工过程。边缘光滑整齐,不需要后续的清洁和打磨。并且,激光引致的分离过程产生**度、自然回火的边缘,没有微小裂痕。使用这种方法,避免了不可预料的裂痕和残破,降低了次品率,提高了产量。因为裂痕是**地沿着激光光束所划出的痕迹,激光引致的分离可以切划出非常**的曲线图案。我们所做的实验也证明了无论直线或是曲线,激光切割都能连续地、**地完成设定图案,重复性可达+50μm。所以激光可以进行曲线图形的**切割。激光切割晶圆有速度快、精度高,定位准确等明显优势。超快激光玻璃晶圆切割设备的价格更优惠。

相较于机械法,透过激光划线及切割晶圆的方法仍处于发展阶段。随着晶圆直径加大、激光器更为便宜且产能增长,其生产优势也***提升。本文将探讨激光切割晶圆的许多研究,包含使用具有各种波长范围辐射[8,9]、不同脉冲宽度(飞秒、皮秒至纳秒[10-13])与功率之激光。惟上述加工皆未将切割厚度200µm以上的晶圆列入考虑。已确知脉冲频率愈高,切割速度愈快,为材料内部能量分布增加所致。然每一发脉冲烧蚀深度的增加会引发如熔化、裂纹、非晶化和残余应力积累等热影响。将晶圆分离为芯片时,这些热影响导致芯片强度降低,损坏表层薄膜与敏感的电子器件。超快激光玻璃晶圆切割设备去哪找?无锡超通智能告诉您。辽宁自主研发超快激光玻璃晶圆切割设备应用范围

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在激光切割晶圆过程中,从光斑直径上来分析,光斑直径是指光强降落到中心值的点所确定的范围,这个范围内包含了光束能量的86.5%。在理想情况下,直径范围内的激光可以实现切割。实际上,划片宽度略大于光斑直径。在划片时,聚焦后的光斑直径当然是越小越好,这样划片所需的划片槽尺寸就会越小。相应方法就是减小焦距。但是,减小聚焦镜焦距的代价就是焦深会缩短,使得划片厚度减少。因此,焦距的确定需要综合考虑划片的厚度和划片槽的宽度。上海先进超快激光玻璃晶圆切割设备解决方案

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