吸收尖峰电压，对MOSFET功率场效应管起保护作用。4.阻塞二极管—钳位保护电路中的二极管，亦称为阻尼二极管。5.保护二极管—用于半波整流电路中，在负半周时给交流电提供回路。6.隔离二极管—可实现信号隔离。7.抗饱和二极管—将二极管串联在功率开关管的基极上，可降低功率开关管的饱和深度，提高关断速度。六、整流桥将交流电压变为脉动直流电压，送至滤波器。整流桥可由四只整流二极管构成，亦可采用成品整流桥。七、稳压管构成简易稳压电路;接在开关电源的输出端，用来稳定空载时的输出电压;由稳压管、快恢复二极管和阻容元件构成一次侧钳位保护电路;构成过电压保护电路。八、晶体管用作PWM调制器的功率开关管;构成恒压/恒流输出式开关电源的电压控制和电流控制环路;构成截刘输出型开关电源的截流控制环;构成开关稳压器的通/断控制、欠电压、过电压保护、过电流保护等电路。九、场效应晶体管MOSFET用作PWM调制器或开关稳压控制器的功率开关管。十、运算放大器构成外部误差放大器、电压控制环和电流控制环等。--点击下方可以进行关键词搜索--后台回复关键词：“加群”，拉你进入芯片电子之家的家人群（免责声明：整理本文出于传播相关技术知识。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，期待您的光临！广州库存电子元器件回收厂家
再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。4、检测双向触发二极管将万用表置于R×1K挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。将VBO与VBR进行比较，两者的值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。5、瞬态电压二极管(TVS)的检测用万用表R×1K挡测量管子的好坏，对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4KΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。6、高频变阻二极管的检测A）识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。
从而便于观察。应注意的是：在测试操作时。特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C）对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。2、电解电容器的检测A）因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。B）将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度（对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大），接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C.对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。
一、电子元件采购基础知识在电子制造企业中，标准的采购流程可以划分为战略采购和订单协调两个环节，战略采购包括供应商的开发和管理，订单协调则主要负责材料采购计划，重复订单以及交货付款方面的事务。这种组织结构与销售体系非常类似，很多销售型公司也建立了专业的销售支持部门处理大量的重复性订单。供应商的开发和管理是整个采购体系的，其表现也关系到整个采购部门的业绩。一般来说，供应商开发包括的内容有：供应市场竞争分析，寻找合格供应商，潜在供应商的评估，询价和报价，合同条款的谈判，终供应商的选择。在大多数的跨国公司中，供应商开发的基本准则是“”原则，也就是质量，成本，交付与服务并重的原则。在这四者中，质量因素是重要的，首先要确认供应商是否建立有一套稳定有效的质量保证体系，然后确认供应商是否具有生产所需特定产品的设备和工艺能力。其次是成本与价格，要运用价值工程的方法对所涉及的产品进行成本分析，并通过双赢的价格谈判实现成本节约。在交付方面，要确定供应商是否拥有足够的生产能力，人力资源是否充足，有没有扩大产能的潜力。后一点，也是非常重要的是供应商的售前、售后服务的纪录。在供应商开发的流程中。上海海谷电子有限公司电子元器件回收电子元器件回收服务值得放心。
静电放电会产生强烈的电磁辐射，形成电磁脉冲。ESD是引发电子元器件失效的主要因素。随着集成电路、MOS电路和表面贴装元器件（SMD）的应用和工艺技术的发展，元器件对静电放电的敏感性增加。虽然静电放电的能量对分立元器件的影响较小，但是对MOS器件的损害是致命性的。除致使元器件失效外，它产生的静电场会造成元器件的“软击穿”，从而给电子产品造成隐患或潜在的故障，直接影响电子产品的质量及可靠性。静电放电可造成静电敏感元器件的功能失效和参数退化。失效的主要机理有热二次击穿、金属镀层融熔、介质击穿、气弧放电、表面击穿、体击穿等。静电对元器件造成的损伤可能是性的，也可能是暂时性的；既可能是突发失效，也可能是潜在失效。如果元器件彻底失效，在生产及品质管理中能够及时察觉并排除，则影响较小，而如果元器件只是轻微受损，在正常测试下则不易发现。另外，在运输途中，摩擦、碰撞、接触带有静电的物体也会产生静电，从而导致元器件受损，这种潜在的和突发的失效更难预防，其损失亦难以预测。静电失效对电子产品的可靠性影响十分普遍，电子产品在设计与使用过程中必须做好静电防护措施。对电子元器件的选用也要考虑防静电要求。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，有需求可以来电咨询！武汉高价电子元器件回收服务
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由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕。广州库存电子元器件回收厂家
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