代理分销商WILLSEMI韦尔WD1502F

ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。

     ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

      其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。

     应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。

     ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 WPM2080-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23-3L。代理分销商WILLSEMI韦尔WD1502F

ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器

产品描述：

      ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。

      包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

      采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

 1、截止电压：5V

 2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低电容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏电流：IR<1nAtyp.

 7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固态硅技术

应用领域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便携式电子产品和笔记本电脑

安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD9N12BAWNM3008-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

    ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。

技术特性：

· 反向截止电压：7.5V~15V

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs

· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs

· 低钳位电压

· 固态硅技术

应用领域：

· 电源保护

· 电源管理

    ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压，为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护，其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

    ESD5431Z-2/TR：电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制，确保在数据线和控制线受到过应力时，能够迅速抑制电压波动，保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力，根据IEC61000-4-2标准，它能承受高达±30kV的接触放电，确保在极端情况下仍能有效保护电路，能够承受高达40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷，同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器，它都能为这些设备提供坚实的电压保护，确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 ESDA6V1W5-5/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-353。

WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能

产品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

供电电压：2.3V~5.5V

极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）

高关断隔离度：-81dB@1KHz

串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz

轨到轨信号范围

先断后通开关

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

电源至GND：±5KV

应用领域

手机、PDA、数码相机和笔记本电脑

LCD显示器、电视和机顶盒

音频和视频信号路由

     WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WNM2046-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。中文资料WILLSEMI韦尔SPD83581C

WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-523-3。代理分销商WILLSEMI韦尔WD1502F

ESD5341N：单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 低电容：CJ=1.0pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 代理分销商WILLSEMI韦尔WD1502F