代理分销商WILLSEMI韦尔WS3226C60

WPM3401：单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括：

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻，适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括：

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET，专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 RB521S30-2/TR 肖特基二极管 封装：SOD-523。代理分销商WILLSEMI韦尔WS3226C60

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔SPD9241AWS742904M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

· 截止电压：±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。

     ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5451X可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。

特点：

· 反向截止电压：±5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±30kV（接触和空气放电）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）

· 电容：CJ=17.5pFtyp

· 低漏电流：IR<1nAtyp

· 低钳位电压：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· 手机

· 平板

· 电脑

· 笔记本电脑

· 其他便携式设备

· 网络通信设备

     ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器，保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备，双向保护，应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压，不影响设备正常工作。固态硅技术，稳定可靠。各方面保护现代电子设备，消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。 WAS4642Q-24/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN2534-24L。

    RB521S30肖特基势垒二极管

特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件

应用：低电流整流

介绍：

    RB521S30是一款肖特基势垒二极管，它具有一系列出色的特性，使其在各种应用中表现优异。首先，其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装，同时确保了高效的热量散发。其次，高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能，减少了维护和更换的频率。

    此外，低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性，它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色，如某些电子设备中的电源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是无铅器件，符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强，无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时，也符合了环保要求。

    总的来说，RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性，成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师，都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2801E13-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56161D30

WS72412S-8/TR 运算放大器 封装：SOIC-8。代理分销商WILLSEMI韦尔WS3226C60

WS4612：60mΩ电流限制型电源分配开关

产品描述

    WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4612还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

· 输入电压范围：2.5-5.5V

· 主开关RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 电流限制精度：±15%

· 调整电流限制范围：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升时间：600μS

· 静态供电电流：26μA

· 欠压锁定

· 自动放电

· 反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用领域

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

     WS4612是功能丰富的电源分配开关，专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能，应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配，确保设备稳定运行。紧凑封装，环保无铅无卤素设计，易集成。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS3226C60