企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

ESD5311N:单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。

     ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。

      其主要特性包括:截止电压:5V,根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电),根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs),低电容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏电流:IR < 1nA(典型值),低箝位电压:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固态硅技。

     应用领域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便携式电子设备,笔记本电脑。

     ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 WS74199Q-10/TR 电流感应放大器 封装:WQFN-10(1.4x1.8)。规格书WILLSEMI韦尔WL2863E

规格书WILLSEMI韦尔WL2863E,WILLSEMI韦尔

    WAS3157B是一款高性能的单刀双掷(SPDT)CMOS模拟开关,专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻(典型值为5.5Ω)。此外,其SEL引脚具有过压保护功能,允许引脚上的电压超过VCC,至高可达7.0V,而不会损坏部件或影响其操作,无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路,以小化VCC泄漏电流,即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之,在实际应用中,无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装,标准产品为无铅和无卤素。

特性:

· 电源电压:1.5~5.5V

· 导通电阻:在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB

· 带宽:在CL=5pF时为400MHz

· 断开隔离度:在10MHz时为-69dB

· 低静态电流:<1uA

· 先断后合功能ESD保护:HBM为±8000V,MM为±600V

应用领域:

· 手机

· MID(移动互联网设备)

· 其他便携式设备

    WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案,适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WPM03120EWS74199B-6/TR 电流感应放大器 封装:SOT-363。

规格书WILLSEMI韦尔WL2863E,WILLSEMI韦尔

    WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点:

· 输入电压:29V

· 导通电阻:45mΩ(典型值)

· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)

· 可调OVLO

· 阈值电压:4V~15V

应用:

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述:

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

截止电压:±3.3VMax

根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)

根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)

极低电容:CJ=0.2pFtyp

低漏电流

低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固态硅技术


应用领域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便携式电子设备

笔记本电脑

     ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害,适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备,紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WS4603E-5/TR 功率电子开关 封装:TSOT-25。

规格书WILLSEMI韦尔WL2863E,WILLSEMI韦尔

WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM3008-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。中文资料WILLSEMI韦尔WD1071D

WS72358D-8/TR 运算放大器 封装:DFN-8-EP(2x2)。规格书WILLSEMI韦尔WL2863E

ESD5305F:四通道单向低电容瞬态电压抑制器

      产品描述:ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管,以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封装,满足无铅和无卤素环保要求。

产品特性:

反向截止电压:5V

根据IEC61000-4-2标准,每条线路提供±30kV(接触放电)的ESD保护

根据IEC61000-4-5标准,可承受高达6A(8/20μs)的峰值脉冲电流

低电容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮动状态);CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

极低泄漏电流:IR<1nA(典型值)

低钳位电压:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固态硅技术

应用领域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子产品

笔记本电脑

关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WL2863E

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