WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。
主要特性:
· 集成单通道负载开关
· 输入电压范围:0.8V至5.5V
· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 连续开关上限电流为6A
· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
· 可配置的上升时间
· 快速输出放电(QOD)
· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM
应用领域:
· 超极本TM
· 笔记本电脑/上网本
· 平板电脑
· 消费电子产品
· 机顶盒/住宅网关
· 电信系统
WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 ESD5641D07-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN-3L(2x2)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73311CZ
ESD9B5VL:单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD9B5VL可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压:±5VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路
· 瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:20A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:3A(8/20μs)
· 电容:CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备,保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压,稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73311CZWL2805N33-3/TR 线性稳压器(LDO)封装:SOT-23-3L。
ESD5305F:四通道单向低电容瞬态电压抑制器
产品描述:ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管,以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封装,满足无铅和无卤素环保要求。
产品特性:
反向截止电压:5V
根据IEC61000-4-2标准,每条线路提供±30kV(接触放电)的ESD保护
根据IEC61000-4-5标准,可承受高达6A(8/20μs)的峰值脉冲电流
低电容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮动状态);CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)
极低泄漏电流:IR<1nA(典型值)
低钳位电压:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)
采用固态硅技术
应用领域:
USB2.0
HDMI1.3
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子产品
笔记本电脑
关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD5311N:单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。
ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:截止电压:5V,根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电),根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs),低电容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏电流:IR < 1nA(典型值),低箝位电压:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固态硅技。
应用领域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便携式电子设备,笔记本电脑。
ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 WNM6001-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。
WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET
产品描述:
WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电应用
WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WD1502F-6/TR DC-DC电源芯片 封装:TSOT-23-6L。中文资料WILLSEMI韦尔WD3102CA
WNMD2171-4/TR 场效应管(MOSFET) 封装:CSP-4L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73311CZ
ESD5304D是一款小功率静电保护器,通常用于保护高速数据接口免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件的损害。
以下是关于ESD5304D的一些关键特性和信息:
结构:ESD5304D包含四对**电容转向二极管和一个TVS(瞬态电压抑制器)二极管,这些组件共同工作以提供优异的静电保护和瞬态电压抑制能力。
保护能力:根据IEC61000-4-2标准,ESD5304D的每条线路可以提供±20kV的接触放电保护。此外,它还可以符合IEC61000-4-4(EFT)和IEC61000-4-5(浪涌)等其他瞬态电压事件的标准。
电气特性:ESD5304D具有**电容(CJ=0.4pF典型值)和低泄漏电流(IR<1nA典型值),这些特性有助于保持数据接口的性能并减少信号损失。同时,它的低箝位电压(VCL=14V典型值)有助于保护连接的电子设备免受高电压事件的损害。
封装和尺寸:ESD5304D通常采用DFN2510-10L等封装形式,具体尺寸和引脚排列可能因制造商而异。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5304D这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD73311CZ