KP1325是高度集成的恒流LED功率控制器，芯片采用了原边反馈准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、低谐波失真和高效率的性能要求。KP1325内部集成高精度电感电流采样技术和高精度电流比较器参考阈值电压，同时集成有线电压补偿、负载电压补偿技术，具有良好的恒流输出特性。KP1325集成有完备的保护功能以保障... 【查看详情】

KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条... 【查看详情】

KP1601X是一款针对LED背光应用，高度集成的降压型LED恒流功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，集成准确的电感电流过零检测，高效率工作的同时，还能获得良好的EMI表现。KP1601X集成了PWM调光功能，可以采用PWM转模拟调光也可以直接PWM斩波调光及组合调光，能够实现0.01~100%的宽调光范围。芯片集成高精度的电流采样技术... 【查看详情】

芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时，上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到，当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时，额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电... 【查看详情】

KP1076X非隔离、降压型准谐振LED功率开关KP1076X系列是高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术，可以获得高精度的恒流输出，且输... 【查看详情】

在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在12... 【查看详情】

30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，... 【查看详情】

18V低功耗DCDC降压芯片，主要特点•宽输入电压范围：4.5Vto17V•输出电压范围：0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流：190μA(无开关动作，典型值)•低关断电流：2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应... 【查看详情】

另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行，在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外，推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是，虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命，但是在某些输入电压热插拔的使用场景下，实际VIN 引脚上的... 【查看详情】

VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升... 【查看详情】

LED很重要的优点之一是使用寿命长，约为3万~10万小时。传统的LED驱动电源中含有电解电容，而电解电容的寿命比较短，约为5，000小时，这是制约LED驱动电源寿命的主要原因，因此在LED驱动电源中应尽可能不采用电解电容。提高驱动电源的输入功率因数，减小总谐波失真美国能源部发布的“能源之星”（ENERGYSTAR）固态照明文件中规定：任何... 【查看详情】

芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电... 【查看详情】