VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降阈值为固定值，且典型迟滞电压为400mV。如果实际应用中需要设置更高的阈值和迟滞电压，芯片支持在EN 引脚外接分压电阻实现VIN UVLO 上升阈值和VIN UVLO 下降阈值自定义设置，从而避免芯片在开关机时刻由于VIN 的尖峰噪声和纹波导致芯片反复重启。电感电流的大小由过流保护门限决定，控 制器工作在临界导通模式下，加快了输出电容充电 速度。浙江低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
EN 引脚有一个内部上拉电流源，从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要，EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时，串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流，防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。浙江低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。
集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比较器使用SS 作为参考电压，输出电压跟随SS 平稳上升。当SS 升到 VREF 电压时，VREF 重新获得控制，参考电压稳定为VREF，输出电压随之稳定在设定值VOUT，软启动结束。
30V低功耗降压DCDC电源芯片，主要特点•宽输入电压范围：4.5Vto30V•3A持续输出电流•电感电流连续模式下固定500kHz的开关频率•比较大占空比：98%•±1.5%输出电压精度(全温度范围内)•低静态工作电流：90μA(无开关动作，典型值)•低关断电流：3μA(典型值)•采用峰值电流模式控制•两种轻载工作模式：•KP523302：脉冲频率调制模式(PFM)•KP523308：强制脉宽调制模式(FPWM)•集成完善的保护功能：•精确的使能控制和可调输入欠压锁定功能•逐周期峰值和谷底限流保护•输出过压/欠压保护•输入欠压锁定•过温保护•方案小巧且易于使用•集成72mΩ主开关管，35mΩ同步整流管•内置补偿电路•内置5ms软启动电路•TSOT23-6封装典型应用•白电，小家电•智能音响，打印机•机顶盒、数字电视、显示器•12V、24V分布式总线电源反馈输入管脚，该引脚悬空时默认 12V 输出。
220V转5V电源芯片高压BUCK电路，给MCU提供稳定的5V电压。高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。内部集成门极驱动电路、频率限制电路、 差分放大电路。上海大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理
芯片内置OTP当芯片温度低于 140℃，芯片进入自恢复重启过程。浙江低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
设计在 4.5V 到 17V 范围内工作，BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作，建议比较大工作占空比为75%，则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压，这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电，由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现，可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数：电感量(L)，电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。浙江低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片资料
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