互勤科技是一个专注电源解决方案高新企业，公司注重技术服务，凭借行业10年以上积累丰富经验、雄厚技术实力为客户提供优势的软硬件开发售后保障服务。主要产品包括：直流转换控制芯片、交流转换控制芯片、电源管理芯片、LED照明驱动芯片，电池管理系统芯片、马达驱动，微控制芯片、MOS功率器件、可控硅、光耦数字隔离芯片、运放等。产品广泛应用于：消费类电... 【查看详情】

•个性化：光耦接收芯片和热电堆芯片的设计和制造有别于其它标准的芯片设计和制造，其没有标准的成熟工艺，晶圆代工厂没有标准的IP可以提供，完全依赖***工程师多年的工艺积淀，使得**终的产品参数符合设计要求；•比肩国际：群芯微的产品参数已经达到国外博通和东芝的芯片参数，性能上达到国际前列水平。•群芯用集成电路封装测试的理念，使用***型号设备... 【查看详情】

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出... 【查看详情】

脉冲上升时间tr,下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL,tPLH：从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5... 【查看详情】

光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件，现已***用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大... 【查看详情】

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频... 【查看详情】

目前大功率充电桩输入输出端都是处在不同的高电压环境，在实现所有功能时首先要考虑其各个装置都能达到安全隔离的要求，防止电路间的器件受到高电压击穿损伤，所以在各电路间使用到光电耦合器作为电路间信号隔离和功率器件驱动隔离。1.充电模块常用高速光耦–高速信号通讯用，如QX6N135、QX6N137、QX074L等；2.驱动模块常用(智能)栅极驱动... 【查看详情】

•晶体管光耦：将从晶体管光耦拓展至高放大倍数光耦，并根据客户的具体需求定制化光耦产品；•高速光耦：不断提升传输速率，将从10M以下逐步提升至15，25MHZ，并向百兆级通讯光耦迈进；•高压光耦：不断提升电压，将从400V/800V逐步提升至1200V，并在2023-2024年达到1500V及以上；•门驱动光耦：电流将从0.6A-2.5A提... 【查看详情】

输出端为光敏晶体管直接输出的光电耦合器称为晶体管光耦。晶体管光耦输出端一般常用的晶体管有：光电二极管、光敏三极管、光敏型达林顿管。光电二极管线性特性好；光敏三极管有线性特性，在一定范围内具有电流放大能力；光敏型达林顿管具有更高的放大倍数，可以在小电流输入状态下，驱动更大的输出电流。晶体管光耦通常在电源电路中做电压反馈，在控制电路中做信号检... 【查看详情】

集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比... 【查看详情】

降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低... 【查看详情】

集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比... 【查看详情】