ESD5305F：四通道单向低电容瞬态电压抑制器 产品描述：ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管，以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封装，满足无铅和无卤素环保要求。 产品特性： 反向截止电压：5V 根据IEC61000-4-2标准，每条线路提供±30kV（接触放电）的ESD保护 根据IEC61000-4-5标准，...

WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中，WS72551是单放大器，WS72552是双放大器，分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度，并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围（-40°C至+125°C）。封装72551：MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8 SOIC8。 技术特性：偏移电压只有3μ...

WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。 WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。 ...

ESD5311Z单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述 ESD5311Z是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止因静电放电（ESD）而产生的过应力。ESD5311Z包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311Z可用于提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。 产品特性 截...

WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0V，而不会损坏部件或影响其操作，无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路，以至小化VCC泄漏电流，即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之，在实际应用中，无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装，标准产品为无铅和无卤素。 特性： ...

WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。 主要特性： · 沟槽技术 · 超高密度单元设计 · 适用于高直流电流的优异导通电阻 · 极低的阈值电压 应用领域： · 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动 · DC-DC转换器电路 · 电源开关 · 负载开关 · 充电电路 WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性...

WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护，还在输出引脚处作为输出电流限制器。 产品特点： · 输入电压范围：2.7V至5.5V · 输出电压范围：1.2V至3.3V · 输出电流：在输出电压小于2V时，典型值为200mA；在输出电压大于2V时，典型值为300mA。 · 电源抑制比（PSRR）：在217Hz时达到75dB · 压差电压：在输出电流为200mA时，压差为170mV · ...

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述： ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤...

WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压降的CMOS线性稳压器，具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素，符合环保要求。 特点与优势： · 输出电流折返 · 宽输入电压范围：2V至5.5V · 可调输出电压：0.8V至5V · 输出电流：300mA · 低功耗：静态电流典型值为75μA，关机电流小于1μA · 低压降：在输出电流为0.3A时，压降为141mV。 · 电源抑制比：在1kHz、输出电压为3V时，PSRR高...

ESDA6V8AV6静电放电（ESD）保护的瞬态电压抑制器 产品描述： ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器，为可能受到静电放电（ESD）影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态，这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上；对于负瞬态，则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击，超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人体模型（HBM）ESD规格，该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装，工作电压为...

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管 产品描述： WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。 产品特性： · 沟槽技术 · 超高密度单元 · 设计出色的ON电阻 · 极低的阈值电压 应用领域： · DC/DC转换器 · 电源转换器 · 电路便携式设备的负载/电源开关 WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为...

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET 产品描述： WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。 产品特性： · 沟槽技术 · 超高密度单元设计 · 出色的导通电阻 ·...

RB521S30肖特基势垒二极管 特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件 应用：低电流整流 介绍： RB521S30是一款肖特基势垒二极管，它具有一系列出色的特性，使其在各种应用中表现优异。首先，其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装，同时确保了高效的热量散发。其次，高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能，减少了维护和更换的频率。 此外，低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性，它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色，如某些电子设...

WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。 主要特性： · 沟槽技术 · 超高密度单元设计 · 适用于高直流电流的优异导通电阻 · 极低的阈值电压 应用领域： · 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动 · DC-DC转换器电路 · 电源开关 · 负载开关 · 充电电路 WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性...

ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬态（EFT）和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准，ESD5451X可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。 特点： · 反向截止电压：±5V · 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±30kV（接触和空气放电） · IEC6...

WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计，如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离，并与各种标准兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每个开关都是双向的，对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号（480Mbps）并保持信号完整性。 特性： D+/D-上的特殊电路设计，使设备能够承受VBUS短路到D+或D-，无论USB设备是关闭还是...

ESD5451N：双向瞬态电压保护神 ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电，以及峰值脉冲电流达8A（8/20μs），为低速数据线和控制线提供强大的保护 这款抑制器采用DFN1006-2L封装，具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax，电容典型值为17.5pF，漏电流极低，典型值小于1nA。此外，其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。 ESD5451N适用于多种应用场景，包括手机、平板电脑、笔记本...

WL2803E：极低压差、500mA、CMOSLDO（低压差线性稳压器 产品描述 WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。 WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护（OTP）和限流功能，以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性，并使用微调技...

WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。 特性： · 输入电压范围：2.5~5.5V · 主开关RON：80mΩ@VIN=5V · 持续输出电流：1.0A · 电流限制阈值：1.5A（典型值） · 电流限制精度：±20% ...

WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。 WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。 ...

WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR（电源抑制比）以及高速CMOSLDO（低压差线性稳压器）。其高精度与出色的性能，使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色，为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路，能够同时作为短路保护和输出电流限制器，而且采用标准的SOT-23-5L封装，确保产品的环保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围（2.7V~5.5V）、灵活的输出电压范围（1.2V~3.3V）、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色，确保了电源噪声的有效抑制。...

WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无...

WL2803E：极低压差、500mA、CMOSLDO（低压差线性稳压器 产品描述 WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。 WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护（OTP）和限流功能，以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性，并使用微调技...

WSB5546N-肖特基势垒二极管 特性： · 低反向电流 · 0.2A平均整流正向电流 · 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。 · 快速开关和低正向电压降 · 反向阻断 应用： · 电源管理 · 信号处理 · 电子设备保护 总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖...

ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311X可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准，能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装，为标准无铅且无卤素产品。 主要特性： 截止电压：5V 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬...

ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311X可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准，能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装，为标准无铅且无卤素产品。 主要特性： 截止电压：5V 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬...

ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器 产品描述： ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。 包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。 采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。 产品特性： ...

WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中，WS72551是单放大器，WS72552是双放大器，分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前只在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度，并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围（-40°C至+125°C）。封装72551：MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8 SOIC8。 技术特性：偏移电压只有3μ...

ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。 技术特性： · 反向截止电压：7.5V~15V · 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs · 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs · 低钳位电压 · 固态硅技术 应用领域： · 电源保护 ...

WSB5546N-肖特基势垒二极管 特性： · 低反向电流 · 0.2A平均整流正向电流 · 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。 · 快速开关和低正向电压降 · 反向阻断 应用： · 电源管理 · 信号处理 · 电子设备保护 总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖...