企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管,专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻(RDS(ON)),从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时,低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号,进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器,其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外,它还可以用于各种充电电路,如电池充电器和太阳能充电器,以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品,WNM2020不仅具有出色的电性能,还符合环保要求,不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之,WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管,非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803K33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-89-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WS3213C

代理分销商WILLSEMI韦尔WS3213C,WILLSEMI韦尔

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WCL029N06DNESD54031Z-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN0603-2L。

代理分销商WILLSEMI韦尔WS3213C,WILLSEMI韦尔

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性:

· 输入电压范围:2.5~5.5V

· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流:1.0A

· 电流限制阈值:1.5A(典型值)

· 电流限制精度:±20%

· 输出短路电流:0.7A(典型值)

· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)

· 过温保护

应用:

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。

WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。

产品特性:

输入电压范围:2.7~5.5V

开路LED保护:38V(典型值)

参考电压:200mV(±5%)

开关频率:1MHz(典型值)

效率:高达92%

主开关电流限制:1.2A(典型值)

PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM

调光占空比:0.5%~100%

应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-523-3。

代理分销商WILLSEMI韦尔WS3213C,WILLSEMI韦尔

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述:

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要,因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计,提供了出色的导通电阻(RSS(ON))和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET,特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局,而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外,其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56201D04-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1610-2。代理分销商WILLSEMI韦尔WCL029N06DN

SPD9105W-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。代理分销商WILLSEMI韦尔WS3213C

    WD3168:5V/300mA开关电容电压转换器,它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下,它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时,WD3168会进入跳模模式,此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压,从而节省PCB空间。

    此外,其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能,适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装,并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。

   其主要特性包括:

1、 输出电流为300mA

2、宽输入电压范围:2.7V至5.5V

3、固定输出电压为5.0V

4、双倍电荷泵

5、较小外部元件:无需电感器

6、高频操作:1.7MHz

7、自动软启动限制涌入电流

8、低纹波和EMI

9、过热和过流保护

10、无负载条件下典型静态电流为170uA(跳模模式)

   其应用领域包括:

1、3V至5V的升压转换

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电

3、从较低轨道提供的本地5V供电

4、电池备份系统

5、手持便携式设备

    WD3168是一种效率高、可靠的电源IC,适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS3213C

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