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  • 中文资料WILLSEMI韦尔WH2503D

    中文资料WILLSEMI韦尔WH2503D

    WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器) 产品描述: WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器,确保输出电流的稳定性,提高效率,从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。 产品特性: 静态电流:1.5μA(典型值) 输入电压:2.1V~5.5V 输出电压:1.1V~3.3V 输出电流:@VOUT=3....

    发布时间:2024.04.15
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7027ABHN0-4/TR

    中文资料WILLSEMI韦尔WMM7027ABHN0-4/TR

    ES9DN12BA瞬态电压抑制器 ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。 特性: · 截止电压:±12V。 · 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电) · 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs) · 典型电容:CJ=27pF...

    发布时间:2024.04.13
  • 中文资料WILLSEMI韦尔ESD73151N

    中文资料WILLSEMI韦尔ESD73151N

    WS4603E:可调电流限制、电源分配开关 描述 WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4603E还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。 特性 1、输入电压范围:2.5~5.5V 2、主开关RON:80mΩ@VIN=5V 3、调整电流限制范围:0.4~2A(...

    发布时间:2024.04.12
  • 规格书WILLSEMI韦尔WNMD2183

    规格书WILLSEMI韦尔WNMD2183

    ESD9B5VL:单线双向瞬态电压抑制器 产品描述 ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD9B5VL可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。 产品特性 · 反向截止电压:±5VMax · 根据IEC61000-4...

    发布时间:2024.04.11
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔SPD81362A

    代理分销商WILLSEMI韦尔SPD81362A

    WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。 产品特点: · 输入电压范围:2.7V至5.5V · 输出电压范围:1.2V至3.3V · 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。 · 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB · 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV · ...

    发布时间:2024.04.11
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WAS4729Q

    中文资料WILLSEMI韦尔WAS4729Q

    WD1502F:28V,2A降压型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)转换器 WD1502F是一款高效率、同步降压型DC-DC转换器。它可以在4.5V至28V的输入电压范围内工作,并提供高达2A的连续输出电流。内部同步功率开关可在不使用外部肖特基二极管的情况下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定开关频率工作,并采用脉冲宽度调制(PWM)。在轻负载电流时,它会进入脉冲跳变调制(PSM)操作,以在整个负载电流范围内保持高效率和低输出纹波。WD1502F具有短路保护、热保护和输入欠压锁定功能。它采用TSOT-23-6L封装,为标准无铅和无卤素产品。 其主要...

    发布时间:2024.04.11
  • 规格书WILLSEMI韦尔ESD5471Z

    规格书WILLSEMI韦尔ESD5471Z

    ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述: ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤...

    发布时间:2024.04.11
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7027ATHD1-4/TR

    中文资料WILLSEMI韦尔WMM7027ATHD1-4/TR

    WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管,利用先进的沟槽和电荷控制设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。 主要特性: · 沟槽技术 · 超高密度单元设计 · 适用于高直流电流的优异导通电阻 · 极低的阈值电压 应用领域: · 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动 · DC-DC转换器电路 · 电源开关 · 负载开关 · 充电电路 WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性...

    发布时间:2024.04.10
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2188

    代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2188

    WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO 产品描述: WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流,因此电流限制功能既作为短路保护,又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。 产品特性 · 输入电压范围:1.4V~5.5V · 输出电压范围:0.8V~3.3V · 输出电流:...

    发布时间:2024.04.10
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2E33

    代理分销商WILLSEMI韦尔WPT2E33

    WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件,其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。 特点: RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻,3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON),这意味着在器件导通时,其电阻较小,从而减小了能量损失。低门极电荷:门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。3407的低门极电荷可以更快地开关,从而减少开关损耗。无铅:符合环保要求,适用于对无铅产品有需求的场合。 应用: 笔记本电脑的电源管理:3407可以用于笔记本...

    发布时间:2024.04.10
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WSB5508L

    代理分销商WILLSEMI韦尔WSB5508L

    WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO 产品描述: WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流,因此电流限制功能既作为短路保护,又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。 产品特性 · 输入电压范围:1.4V~5.5V · 输出电压范围:0.8V~3.3V · 输出电流:...

    发布时间:2024.04.10
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4646C

    代理分销商WILLSEMI韦尔WAS4646C

    RB521S30肖特基势垒二极管 特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件 应用:低电流整流 介绍: RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装,同时确保了高效的热量散发。其次,高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。 此外,低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性,它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色,如某些电子设...

    发布时间:2024.04.09
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WD1035DH

    中文资料WILLSEMI韦尔WD1035DH

    WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。 主要特性: · 集成单通道负载开关 · 输入电压范围:0.8V至5.5V · 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VB...

    发布时间:2024.04.09
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WNMD02144C

    中文资料WILLSEMI韦尔WNMD02144C

    WD3168:5V/300mA开关电容电压转换器,它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下,它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时,WD3168会进入跳模模式,此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压,从而节省PCB空间。 此外,其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能,适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装,并在-40℃至+85℃的环境温度范...

    发布时间:2024.04.09
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WCM2007

    中文资料WILLSEMI韦尔WCM2007

    WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路,能够同时作为短路保护和输出电流限制器,而且采用标准的SOT-23-5L封装,确保产品的环保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围(2.7V~5.5V)、灵活的输出电压范围(1.2V~3.3V)、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色,确保了电源噪声的有效抑制。...

    发布时间:2024.04.09
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7035DBHN0-5/TR

    代理分销商WILLSEMI韦尔WMM7035DBHN0-5/TR

    ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述: ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤...

    发布时间:2024.04.08
  • 规格书WILLSEMI韦尔WS72042

    规格书WILLSEMI韦尔WS72042

    WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器) 产品描述: WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器,确保输出电流的稳定性,提高效率,从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。 产品特性: 静态电流:1.5μA(典型值) 输入电压:2.1V~5.5V 输出电压:1.1V~3.3V 输出电流:@VOUT=3....

    发布时间:2024.04.08
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WMM7027ABRN0-4/TR

    中文资料WILLSEMI韦尔WMM7027ABRN0-4/TR

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器,具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)等特点。在500mA的负载电流下,其压降只有130mV(典型值)。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。 特性: · 输入电压范围:2.5V至5.5V · 输出电压范围:1.2V至3.3V,步长为0.1V · 输出电流:500mAPSRR(电源抑制比):在1KHz时为65dB · 压降电压:在IOUT=0.5A时为130mV · 输出噪声:100uV · 静态电流:典型值为150μA 此外,WL2803...

    发布时间:2024.04.08
  • 规格书WILLSEMI韦尔WNM03301D

    规格书WILLSEMI韦尔WNM03301D

    WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET 产品描述: WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。 产品特性: · 沟槽技术 · 超高密度单元设计 · 出色的导通电阻 · 适用于更高的直流电流 · 极低的阈值电压 应用领域: · 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器 · DC-DC转换电路 · 电源开...

    发布时间:2024.04.08
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WCM2001

    代理分销商WILLSEMI韦尔WCM2001

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。 主要特性: 截止电压:5V 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬...

    发布时间:2024.04.06
  • 规格书WILLSEMI韦尔WMM7027ABENA0-4/TR

    规格书WILLSEMI韦尔WMM7027ABENA0-4/TR

    ESD5305F:四通道单向低电容瞬态电压抑制器 产品描述:ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管,以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封装,满足无铅和无卤素环保要求。 产品特性: 反向截止电压:5V 根据IEC61000-4-2标准,每条线路提供±30kV(接触放电)的ESD保护 根据IEC61000-4-5标准,...

    发布时间:2024.04.06
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WNM3013A

    中文资料WILLSEMI韦尔WNM3013A

    WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。 特性: 沟槽技术 超高密度单元设计 优异的ON电阻,适用于更高的直流电流 极低的阈值电压 小型SOT-23封装 应用: 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器 DC-DC转换器电路 电源开关 负载开关 充电应用 WPM1483是一款P沟道功...

    发布时间:2024.04.05
  • 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2172A

    代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2172A

    ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器 产品描述: ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。 包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。 采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。 产品特性: ...

    发布时间:2024.04.05
  • 规格书WILLSEMI韦尔WD10721D

    规格书WILLSEMI韦尔WD10721D

    ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制,确保在数据线和控制线受到过应力时,能够迅速抑制电压波动,保护敏感电子元件免受损坏。 这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力,根据IEC61000-4-2标准,它能承受高达±30kV的接触放电,确保在极端情况下仍能有效保护电路,能够承受高达40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集...

    发布时间:2024.04.05
  • 规格书WILLSEMI韦尔WPM02140E

    规格书WILLSEMI韦尔WPM02140E

    RB521C30:肖特基势垒二极管 · 重复峰值反向电压 VRM 30 V · 直流反向电压 VR 30 V · 平均整流正向电流 IO 100 mA 产品特性: 100mA平均整流正向电流:RB521C30具有出色的电流处理能力,能够处理高达100mA的平均整流正向电流,使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。 低正向电压:肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点,这意味着在正向偏置条件下,它需要的电压较低,从而降低了功耗。 低漏电流:RB521C30的漏电流非常低,这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。 ...

    发布时间:2024.04.05
  • 规格书WILLSEMI韦尔WNM6006

    规格书WILLSEMI韦尔WNM6006

    WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。 产品特点: · 输入电压范围:2.7V至5.5V · 输出电压范围:1.2V至3.3V · 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。 · 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB · 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV · ...

    发布时间:2024.04.04
  • 规格书WILLSEMI韦尔ESD56101D10

    规格书WILLSEMI韦尔ESD56101D10

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。 特性: · 输入电压范围:2.5~5.5V · 主开关RON:80mΩ@VIN=5V · 持续输出电流:1.0A · 电流限制阈值:1.5A(典型值) · 电流限制精度:±20% ...

    发布时间:2024.04.04
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WCM2001

    中文资料WILLSEMI韦尔WCM2001

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构,无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流,以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V,而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。 特性: · 可编程充电电流高达600mA · 过温保护 · 欠压锁定保护 · 自动再充电阈值典型值为4.05V · 充电状态输出引脚 · 2.9V涓流充电阈值 · 软启动限制浪涌电流 应用: · 无线电话 · MP3/MP4播放器 · 蓝牙设备 ...

    发布时间:2024.04.04
  • 中文资料WILLSEMI韦尔WL2861K

    中文资料WILLSEMI韦尔WL2861K

    WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器 产品描述: WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备,WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制(PWM)模式,固定开关频率为1.2MHz,以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下,转换器进入跳过模式,以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3...

    发布时间:2024.04.04
  • 规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09

    规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09

    WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。 产品特点: · 输入电压范围:2.7V至5.5V · 输出电压范围:1.2V至3.3V · 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。 · 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB · 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV · ...

    发布时间:2024.04.04
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