企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

    WL2801E系列是一款高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器,具有优异的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了经济高效的新一代性能。其电流限制器的折回电路不止作为短路保护,还在输出引脚处作为输出电流限制器。

产品特点:

· 输入电压范围:2.7V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V

· 输出电流:在输出电压小于2V时,典型值为200mA;在输出电压大于2V时,典型值为300mA。

· 电源抑制比(PSRR):在217Hz时达到75dB

· 压差电压:在输出电流为200mA时,压差为170mV

· 静态电流:典型值为70μA

· 关断电流:小于0.1μA

· 推荐电容器:1uF

应用领域:

· MP3/MP4播放器

· 手机和无线电话

· 数码相机

· 蓝牙和无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2801E系列以其高精度、低噪声和高效能的特点,为现代便携式设备提供了理想的电源管理解决方案。无论是手机、笔记本电脑还是MP3播放器,它都能确保设备在长时间使用中保持出色的性能和稳定的电力供应。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS742133H-14/TR 音频功率放大器 封装:TSSOP-14。规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09

规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09,WILLSEMI韦尔

WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔RB520S30WNM2046B-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-3L(1x0.6)。

规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09,WILLSEMI韦尔

    ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电(ESD)引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管,旨在提供优异的ESD保护。

特性:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护:±20kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护:4A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术,结合极低电容转向二极管和TVS二极管,提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口,是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保,易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。

WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述:

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压


应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD9B5VL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:FBP-02C。

规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09,WILLSEMI韦尔

ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器

产品描述:

      ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。

      包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。

      采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性:

 1、截止电压:5V

 2、根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)

 3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

 4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

 5、低电容:CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏电流:IR<1nAtyp.

 7、低钳位电压:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固态硅技术

应用领域:

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便携式电子产品和笔记本电脑

安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 WAS4729QB-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN-10(1.8x1.4)。中文资料WILLSEMI韦尔WPM3033

WS72358M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09

    WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中,WS72551是单放大器,WS72552是双放大器,分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度,并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围(-40°C至+125°C)。封装72551:MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8  SOIC8。

    技术特性:偏移电压只有3μV,漂移为0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移,因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。

应用领域:

温度传感器

压力传感器

精密电流感测

应变计放大器

医疗仪器

热电偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性,适用于温度、压力、电流感测等多种应用,为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD56321N09

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