ESD9B5VL:单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD9B5VL可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压:±5VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路
· 瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:20A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:3A(8/20μs)
· 电容:CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备,保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压,稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WNM2046B-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-3L(1x0.6)。规格书WILLSEMI韦尔WNMD2183
WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷(DPDT)CMOS模拟开关,可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计,如手机、数码相机和带有集线器或有限USBI/O控制器的笔记本电脑。WAS7227Q具有低比特间偏斜和高通道间噪声隔离,并与各种标准兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每个开关都是双向的,对高速信号的输出衰减很小。其带宽足以传递高速USB2.0差分信号(480Mbps)并保持信号完整性。
特性:
D+/D-上的特殊电路设计,使设备能够承受VBUS短路到D+或D-,无论USB设备是关闭还是开启。
SEL/OE引脚具有过压保护,允许电压高于VCC,高达7.0V存在于引脚上,而不会损坏或中断部件的操作,无论工作电压如何。
还具有智能电路,用于至小化VCC泄漏电流,即使SEL/OE控制电压低于VCC电源电压也是如此。换句话说,在实际应用中,无需额外设备将SEL/OE电平与VCC电平相同。
应用:
· 手机
· MID(移动设备)
· 路由器
· 其他电子设备
WAS7227Q是专为高速USB2.0设计的稳定、高效CMOS开关,适用于手持和消费电子产品,确保数据传输顺畅。独特电路和过压保护增强其可靠性,环保封装易集成。是高速数据传输的理想选择。详情请查数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WPM2081ESD5451N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
BL1551B是一款模拟开关,具体地说:它是一个单通道、高带宽的单刀双掷(SPDT)模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势:
高带宽:BL1551B具有高达350MHz的带宽,这使得它能够处理高速信号切换,满足许多高速应用的需求。
低导通电阻:在5V工作电压下,其导通电阻为2.7Ω,这有助于减少信号在开关过程中的损失,保证信号的完整性。
高效的隔离度:在1MHz的频率下,BL1551B的隔离度达到-84dB,这意味着在开关处于关闭状态时,信号泄漏非常小,从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围:BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V,这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作,为设计者提供了更大的灵活性。
此外,BL1551B的封装类型为SC-70-6,这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中,BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关,并提供样品供您测试,如需更多信息或支持,请随时联系我们。
ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电(ESD)引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管,旨在提供优异的ESD保护。
特性:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术,结合极低电容转向二极管和TVS二极管,提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口,是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保,易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 ESD73034D-10/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN2510-10。
RB521S30肖特基势垒二极管
特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用:低电流整流
介绍:
RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装,同时确保了高效的热量散发。其次,高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。
此外,低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性,它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色,如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是,RB521S30是无铅器件,符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强,无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时,也符合了环保要求。
总的来说,RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性,成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师,都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD9X5VL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 封装:FBP-02C。中文资料WILLSEMI韦尔WPM2081
WNM3013-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-723。规格书WILLSEMI韦尔WNMD2183
WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器
产品描述:
WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备,WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制(PWM)模式,固定开关频率为1.2MHz,以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下,转换器进入跳过模式,以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
宽输入电压范围:2.7V至5.5V1.25V(±2%)
高精度参考电压1.2MHz开关频率
高达93%的效率
超过1A(至小值)的功率开关电流限制
从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出
内置软启动
应用领域:
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
平板电脑(PADs)
WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器,1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景,如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性,是电源管理的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNMD2183