面向深紫外光刻工艺对晶圆预处理的需求,国瑞热控配套加热盘以微米级温控助力图形精度提升!采用铝合金基体与石英玻璃复合结构,加热面平面度误差小于0.01mm,确保晶圆与光刻掩膜紧密贴合!通过红外加热与接触式导热协同技术,升温速率达15℃/分钟,温度调节范围60℃-120℃,控温精度±0.3℃,适配光刻胶软烘、坚膜等预处理环节!表面经防反射涂层...
查看详细 >>针对原子层沉积工艺对温度的严苛要求,国瑞热控ALD**加热盘采用多分区温控设计,通过仿真优化加热丝布局,确保表面温度分布均匀性符合精密制程标准!设备温度调节范围覆盖室温至600℃,升温速率可达25℃/分钟,搭配铂电阻传感器实现±0.1℃的控温精度,满足ALD工艺中前驱体吸附与反应的温度窗口需求!采用氮化铝陶瓷基底与密封结构,在真空环境下无...
查看详细 >>借鉴空间站“双波长激光加热”原理,国瑞热控开发半导体激光加热盘,适配极端高温材料制备!采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层,表面可承受3000℃以上局部高温,配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热,实现“表面强攻+内部渗透”的加热效果!加热区域直径可在10mm-200mm间调节,温度响应时间小于1秒,控温精度±1℃,支持脉冲式加热模式!设备配备...
查看详细 >>国瑞热控薄膜沉积**加热盘以精细温控助力半导体涂层质量提升,采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构,表面粗糙度Ra控制在0.08μm以内,减少薄膜沉积过程中的界面缺陷!加热元件采用螺旋状分布设计,配合均温层优化,使加热面温度均匀性达±0.5℃,确保薄膜厚度偏差小于5%!设备支持温度阶梯式调节功能,可根据沉积材料特性设定多段温度曲线,适配氧化硅、...
查看详细 >>国瑞热控深耕半导体加热盘国产化研发,针对进口设备的技术壁垒与供应风险,推出全套替代方案!方案涵盖6英寸至12英寸不同规格加热盘,材质包括铝合金、氮化铝陶瓷等,可直接替换Kyocera、CoorsTek等国际品牌同型号产品,且在温度均匀性、控温精度等关键指标上达到同等水平!通过与国内半导体设备厂商的联合开发,实现加热盘与国产设备的深度适配,...
查看详细 >>借鉴晶圆键合工艺的技术需求,国瑞热控键合**加热盘创新采用真空吸附与弹簧压块复合结构,通过弹簧压力限制加热平台受热膨胀,高温下表面平整度误差控制在0.02mm以内!加热盘主体采用因瓦合金与氮化铝复合基材,兼具低热膨胀系数与高导热性,温度均匀性达±1.5℃,适配室温至450℃的键合温度需求!底部设计双层隔热结构,***层阻隔热量向下传导,第...
查看详细 >>依托强大的研发与制造能力,国瑞热控提供全流程半导体加热盘定制服务,满足特殊工艺与设备的个性化需求!可根据客户提供的图纸与参数,定制圆形、方形等特殊形状加热盘,尺寸覆盖4英寸至18英寸晶圆规格!材质可选择铝合金、氮化铝陶瓷、因瓦合金等多种类型,加热方式支持电阻加热、红外加热及复合加热模式,温度范围与控温精度按需设定!通过三维建模与温度场仿真...
查看详细 >>国瑞热控刻蚀工艺加热盘,专为半导体刻蚀环节的精细温控设计,有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题!产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构,表面经抛光处理至镜面效果,减少刻蚀副产物粘附,且耐受等离子体轰击无损伤!加热盘与静电卡盘协同适配,通过底部导热纹路优化,使热量快速传导至晶圆背面,温度响应时间缩短至10秒以内!支持温度阶梯式调节功能,可根据...
查看详细 >>国瑞热控半导体测试用加热盘,专为芯片性能测试环节的温度环境模拟设计,可精细复现芯片工作时的温度条件!设备温度调节范围覆盖-40℃至150℃,支持快速升温和降温,速率分别达25℃/分钟和20℃/分钟,能模拟不同工况下的温度变化!加热盘表面采用柔性导热垫层,适配不同厚度的测试芯片,确保热量均匀传递至芯片表面,温度控制精度达±0.5℃!配备可编...
查看详细 >>国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求,开发**加热盘适配“固-液-固”相变生长工艺!采用高纯不锈钢基体加工密封腔体,内置铟原子蒸发温控模块,可精细控制铟蒸汽分压,确保硒与铟原子比稳定在1:1!加热面温度均匀性控制在±0.5℃,升温速率可低至0.5℃/分钟,为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境!设备支持5厘米直径晶圆级制备,配合惰...
查看详细 >>针对半导体载板制造中的温控需求,国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺!采用不锈钢基材经硬化处理,表面硬度达HRC50以上,耐受载板加工过程中的机械冲击无变形!加热元件采用蛇形分布设计,加热面温度均匀性达±1℃,温度调节范围40℃-180℃,适配载板预加热、树脂固化等环节!配备真空吸附系统,可牢固固定不同尺寸载板(50mm×...
查看详细 >>国瑞热控针对离子注入后杂质***工艺,开发**加热盘适配快速热退火需求!采用氮化铝陶瓷基材,热导率达200W/mK,热惯性小,升温速率达60℃/秒,可在几秒内将晶圆加热至1000℃,且降温速率达40℃/秒,减少热预算对晶圆的影响!加热面采用激光打孔工艺制作微小散热孔,配合背面惰性气体冷却,实现晶圆正反面温度均匀(温差小于2℃)!配备红外高...
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