上海FPGA SIP封装

SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。SiP系统级封装作为一种集成封装技术，在满足多种先进应用需求方面发挥着关键作用。上海FPGA SIP封装

SiP主流的封装结构形式，SiP主流的封装形式有可为多芯片模块(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封装，2D封装中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封装中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D结构是将芯片与芯片直接堆叠，可采用引线键合、倒装芯片或二者混合的组装工艺，也可采用硅通孔技术进行互连。甘肃BGA封装行价随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。

系统级封装（SiP）技术种类繁多，裸片与无源器件贴片，植球——将焊锡球置于基板焊盘上，用于电气连接，回流焊接（反面）——通过控制加温熔化焊料达到器件与基板间的，键合，塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保护裸片及器件，减薄——通过研磨将多余的塑封材料去除，BGA植球——进行成品的BGA（球栅阵列封装）植球，切割——将整块基板切割为多个SiP成品。通过测试后的芯片成品，将被集成在各类智能产品内，较终应用在智能生活的各个领域。

SiP 与先进封装也有区别：SiP 的关注点在于系统在封装内的实现，所以系统是其重点关注的对象，和 SiP 系统级封装对应的为单芯片封装；先进封装的关注点在于：封装技术和工艺的先进性，所以先进性的是其重点关注的对象，和先进封装对应的是传统封装。SiP 封装并无一定形态，就芯片的排列方式而言，SiP 可为多芯片模块（Multi-chipModule；MCM）的平面式 2D 封装，也可再利用 3D 封装的结构，以有效缩减封装面积；而其内部接合技术可以是单纯地打线接合（WireBonding)，亦可使用覆晶接合（FlipChip)，但也可二者混用。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。

SiP 技术在快速增长的车载办公系统和娱乐系统中也获得了成功的应用。消费电子目前 SiP 在电子产品里应用越来越多，尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等对小型化要求高的消费电子领域，不过占有比例较大的还是智能手机，占到了 70%。因为手机射频系统的不同零部件往往采用不同材料和工艺，包括硅，硅锗和砷化镓以及其他无源元件。目前的技术还不能将这些不同工艺技术制造的零部件集成在一块硅芯片上。但是 SiP 工艺却可以应用表面贴装技术 SMT 集成硅和砷化镓芯片，还可以采用嵌入式无源元件，非常经济有效地制成高性能 RF 系统。SiP 封装优势：封装面积增大，SiP在同一个封装种叠加两个或者多个芯片。南通半导体芯片封装流程

随着集成的功能越来越多，PCB承载的功能将逐步转移到SIP芯片上。上海FPGA SIP封装

为了在 SiP 应用中得到一致的优异细间距印刷性能，锡膏的特性如锡粉尺寸、助焊剂系统、流变性、坍塌特性和钢网寿命都很重要，都需要被仔细考虑。合适的钢网技术、设计和厚度，配合印刷时使用好的板支撑系统对得到一致且优异的锡膏转印效率也是很关键的。回流曲线需要针对不同锡膏的特性进行合适的设计来达到空洞较小化。从目前的01005元件缩小到008004，甚至于下一代封装的0050025，锡膏的印刷性能变得非常关键。从使用 3 号粉或者 4 号粉的传统表面贴装锡膏印刷发展到更为复杂的使用 5、6 号粉甚至 7 号粉的 SiP 印刷工艺。新的工艺钢网开孔更小且钢网厚度更薄，对可接受的印刷锡膏体积的差异要求更为严格。除了必须要印刷更小和更薄的锡膏沉积，相邻焊盘的间隙也更小了。有些厂家已经开始尝试50 μm 的焊盘间隙。上海FPGA SIP封装

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