南通系统级封装测试

随着物联网时代来临，全球终端电子产品渐渐走向多功能整合及低功耗设计，因而使得可将多颗裸晶整合在单一封装中的SIP技术日益受到关注。除了既有的封测大厂积极扩大SIP制造产能外，晶圆代工业者与IC基板厂也竞相投入此一技术，以满足市场需求。早前，苹果发布了较新的apple watch手表，里面用到SIP封装芯片，从尺寸和性能上为新手表增色不少。而芯片发展从一味追求功耗下降及性能提升，转向更加务实的满足市场的需求。根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义： SiP技术为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。SiP技术特点：1、组件集成，SiP可以包含各种类型的组件，如：数字和模拟集成电路、无源元件（电阻、电容、电感）、射频（RF）组件、功率管理模块、内存芯片（如DRAM、Flash）、传感器和微电机系统（MEMS）。SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。南通系统级封装测试

SiP技术特点：制造工艺，SiP的制造涉及多种工艺，包括：基板技术：提供电气连接和物理支持的基板，可以是有机材料（如PCB）或无机材料（如硅、陶瓷）。芯片堆叠：通过垂直堆叠芯片来节省空间，可能使用通过硅孔（TSV）技术来实现内部连接。焊接和键合：使用焊球、金线键合或铜线键合等技术来实现芯片之间的电气连接。封装：较终的SiP模块可能采用BGA（球栅阵列）、CSP（芯片尺寸封装）或其他封装形式。SiP 封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。江苏BGA封装市场价格SiP 封装采用超薄的芯片堆叠与TSV技术使得多层芯片的堆叠封装体积减小。

SIP工艺解析：表面打标，打标就是在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等，主要介绍激光印码。测试，它利用测试设备(Testing Equipment)以及自动分选器(Handler)，测定封装IC的电气特性，把良品、不良品区分开来;对某些产品，还要根据测试结果进行良品的分级。测试按功能可分为DC测试(直流特性)、AC测试(交流特性或timing特性)及FT测试(逻辑功能测试)三大类。同时还有一些辅助工序，如BT老化、插入、拔出、实装测试、电容充放电测试等。

至于较初对SiP的需求，我们只需要看微处理器。微处理器的开发和生产要求与模拟电路、电源管理设备或存储设备的要求大不相同。这导致系统层面的集成度明显提高。尽管SiP一词相对较新，但在实践中SiP长期以来一直是半导体行业的一部分。在1970年代，它以自由布线、多芯片模块（MCM）和混合集成电路（HIC） 的形式出现。在 1990 年代，它被用作英特尔奔腾 Pro3 集成处理器和缓存的解决方案。如今，SiP已经变成了一种解决方案，用于将多个芯片集成到单个封装中，以减少空间和成本。SOC与SIP都是将一个包含逻辑组件、内存组件、甚至包含无源组件的系统，整合在一个单位中。

3D封装结构的主要优点是使数据传输率更高。对于具有 GHz 级信号传输的高性能应用，导体损耗和介电损耗会引起信号衰减，并导致低压差分信号中的眼图不清晰。信号走线设计的足够宽以抵消GHz传输的集肤效应，但走线的物理尺寸，包括横截面尺寸和介电层厚度都要精确制作，以更好的与spice模型模拟相互匹配。另一方面，晶圆工艺的进步伴随着主要电压较低的器件，这导致噪声容限更小，较终导致对噪声的敏感性增加。散布在芯片上的倒装凸块可作为具有稳定参考电压电平的先进芯片的稳定电源传输系统。构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。湖南系统级封装定制

SiP 封装所有元件在一个封装壳体内，缩短了电路连接，见笑了阻抗、射频、热等损耗影响。南通系统级封装测试

SIP发展趋势，多样化，复杂化，密集化，SIP集成化越来越复杂，元件种类越来越多，球间距越来越小，开始采用铜柱代替锡球。多功能化，技术前沿化，低成本化，新技术，多功能应用较前沿，工艺成熟，成板下降。工艺难点，清洗，定制清洗设备、清洗溶液要求、清洗参数验证、清洗标准制定，植球，植球设备选择、植球球径要求、球体共面性检查、BGA测试、助焊剂残留要求。SIP技术是一项先进的系统集成和封装技术，与其它封装技术相比较，SIP技术具有一系列独特的技术优势，满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。。此外，国际上至今尚没有制定出SIP技术的统一标准，在一定程度妨碍了SIP技术的推广应用。由此可见，未来SIP技术的发展还面临着一系列的问题和挑战，有待于软件、IC、封装、材料和设备等专业厂家密切合作，共同发展和提升SIP技术。南通系统级封装测试