河南半导体芯片封装定制

SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。这么看来，SiP 和 SoC 极为相似，两者的区别是什么？能较大限度地优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本、提高集成度。对比 SoC，SiP 具有灵活度高、集成度高、设计周期短、开发成本低、容易进入等特点。而 SoC 发展至今，除了面临诸如技术瓶颈高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生产良率低等技术挑战尚待克服外，现阶段 SoC 生产成本高，以及其所需研发时间过长等因素，都造成 SoC 的发展面临瓶颈，也造就 SiP 的发展方向再次受到普遍的讨论与看好。SiP技术路线表明，越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠，以实现更深层次的3D封装。河南半导体芯片封装定制

SiP 封装优势。在IC封装领域，是一种先进的封装，其内涵丰富，优点突出，已有若干重要突破，架构上将芯片平面放置改为堆叠式封装，使密度增加，性能较大程度上提高，表示着技术的发展趋势，在多方面存在极大的优势特性，体现在以下几个方面。SiP 实现是系统的集成。采用要给封装体来完成一个系统目标产品的全部互联以及功能和性能参数，可同时利用引线键合与倒装焊互连技术以及别的IC芯片堆叠等直接内连技术，将多个IC芯片与分立有源和无源器件封装在一个管壳内。河南半导体芯片封装定制随着SIP封装元件数量和种类增多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。

PoP封装技术有以下几个有点：1）存储器件和逻辑器件可以单独地进行测试或替换，保障了良品率；2）双层POP封装节省了基板面积, 更大的纵向空间允许更多层的封装；3）可以沿PCB的纵向将Dram,DdramSram,Flash,和 微处理器进行混合装联；4）对于不同厂家的芯片, 提供了设计灵活性,可以简单地混合装联在一起以满足客户的需求，降低了设计的复杂性和成本；5）目前该技术可以取得在垂直方向进行层芯片外部叠加装联；6）顶底层器件叠层组装的电器连接，实现了更快的数据传输速率，可以应对逻辑器件和存储器件之间的高速互联。

SiP失效机理：失效机理是指引起电子产品失效的物理、化学过程。导致电子产品失效的机理主要包括疲劳、腐蚀、电迁移、老化和过应力等物理化学作用。失效机理对应的失效模式通常是不一致的，不同的产品在相同的失效机理作用下会表现为不一样的失效模式。SiP产品引入了各类新材料和新工艺，特别是越来越复杂与多样化的界面和互连方式，这也必然引入新的失效机理与失效模式。SiP的基本组成包括芯片、组件和互连结构。不同功能的芯片通过粘接等方式安装在基板上，电学连接是通过键合丝键合、倒装焊、粘接、硅通孔等方式实现的。SiP技术是一项先进的系统集成和封装技术，与其它封装技术相比较，SiP技术具有一系列独特的技术优势。

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。SiP 可将不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多种材料进行组合进行一体化封装。浙江模组封装型式

SiP模组是一个功能齐全的子系统，它将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中。河南半导体芯片封装定制

无须引线框架的BGA：1、定义，LSI芯片四周引出来的像蜈蚣脚一样的端子为引线框架，而BGA（Ball Grid Array）无须这种引线框架。2、意义：① 随着LSI向高集成度、高性能不断迈进，引脚数量不断增加（如DIP与QFP等引线框架类型的封装，较大引脚数、引脚间距、切筋使用的刀片厚度与精度均达到极限）；② 引线框架的引脚越小，弯曲问题就越严重，会严重妨碍后续线路板的安装，因此需要寻求不需要引线端子的封装，即BGA类型的封装（需在封装树脂底板上植球（焊锡球），以及分割封装的工序）。河南半导体芯片封装定制