环状单分子树脂中除了杯芳烃类物质以外，还有一类被称为“水车”（Noria）的光刻胶，该类化合物由戊二醛和间苯二酚缩合而成，是一种中心空腔的双层环梯状结构分子，外形像传统的水车，因此得名，起初在2006年时由日本神奈川大学的Nishikubo课题组报道出来。随后，日本JSR公司的Maruyama课题组将Noria改性，通过金刚烷基团保护得到了半周期为22nm的光刻图形。但是这种光刻胶的灵敏度较低、粗糙度较大，仍需进一步改进才能推广应用。光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。上海i线光刻胶其他助剂
有研究结果表明，在EUV光照下，某特定光刻胶分子每吸收一个光子可以产生2.1个活性物种，这一效率分别是KrF光刻和ArF光刻的6倍和15倍。由于在光刻胶材料中有二次电子的产生，EUV光刻在机理上与电子束光刻有相近之处。因为商用EUV光刻机价格昂贵，对光刻胶材料研发人员开放的同步辐射EUV干涉线站机时有限，所以近年来，在EUV光刻胶的研发过程中也常利用电子束光刻开展相关机理、工艺研究和基本性能的评测，也有一些尚未实际应用于EUV光刻但已有电子束光刻研究结果的光刻胶。江苏光聚合型光刻胶显示面板材料光刻胶按应用领域分类，可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。
1983年，Joy以PMMA作为模型化合物，利用蒙特卡罗方法计算了EUV光刻的空间分辨率。1989年，Kurihara课题组利用PMMA评测了光学器件，并测试了EUV光对PMMA膜的透过性。1990年，Windt课题组利用14nmEUV光对PMMA光刻胶进行光刻，获得了50nm的线条。2001~2004年，Bokor课题组利用PMMA光刻胶、Shipley公司早期工具光刻胶EUV-2D先后评测了其自制的EUV光刻设备和美国光源的EUV光刻线站的性能。可见，在EUV光技术发展早期，PMMA光刻胶对EUV光刻设备的调试、测试起了重要作用。但是PMMA的曝光机理不涉及化学放大过程，因此其灵敏度较差，而早期制约EUV光刻技术发展的瓶颈问题之一便是曝光光源功率很小，因而以PMMA为主的非化学放大型光刻胶一度被化学放大型光刻胶取代。
除了锡氧纳米簇之外，近年来以锌元素为中心的纳米簇也用于了EUV光刻。第一种锌氧纳米簇光刻胶由法国上阿尔萨斯大学的Soppera课题组在2016年报道。曝光后，锌氧纳米簇发生交联聚集，在曝光区域形成金属-氧-金属网状结构，从而实现负性光刻。随后，Xu等借鉴了这一结构，制备了3-甲基苯基修饰的Zn-mTA，将其用作EUV光刻胶。光致产酸剂产生的酸引发Zn-mTA纳米簇的配体交换，从而改变纳米簇表面的电荷分布，减弱了其在非极性溶剂中的溶解性，实现负性光刻。Zn-mTA呈现出良好的溶解性、成膜均一性，可以在47mJ·cm−2的剂量下获得15nm的光刻线条。由于Zn-mTA具有更小的尺寸和更窄的尺寸分布，因此可以获得比金属氧化物纳米颗粒光刻胶更高的分辨率。产品纯度、金属离子杂质控制等也是光刻胶生产工艺中需面临的技术难关，光刻胶纯度不足会导致芯片良率下降。
根据不同原子对 EUV 光的吸收截面可知，硅原子和硼原子对EUV光的吸收较弱，有助于提高光刻胶薄膜的透明度，从而提高光刻胶的对比度，同时还可增加光刻胶的抗刻蚀性。HSQ在吸收光子（或电子）后，硅-氢键断裂，与水分子反应生成硅醇，两个硅醇之间又生成硅-氧-硅键，交联形成无法溶解在TMAH显影液中的网状结构。HSQ广泛应用于电子束光刻中，也可用于EUV光刻。2005年，美国威斯康星大学的Nealey等率先将HSQ用于EUV光刻，得到了线宽为26.4nm、LER为5.1nm的光刻线条。随后，瑞士光源的Solak课题组利用HSQ制备出了20nm的L/S密集线条，并通过工艺调整获得了优于PMMA光刻胶的灵敏度。光刻胶达到下游客户要求的技术指标后，还需要进行较长时间验证测试（1-3 年）。浙江光刻胶光引发剂
聚合度越小，发生微相分离的尺寸越小，对应的光刻图形越小。上海i线光刻胶其他助剂
所谓光刻技术，指的是利用光化学反应原理把事先准备在掩模版上的图形转印到一个衬底（晶圆）上，使选择性的刻蚀和离子注入成为可能的过程，是半导体制造业的基础之一。随着半导体制造业的发展，光刻技术从曝光波长上来区分，先后经历了g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm，包括干式和浸没式）和极紫外（EUV，13.5nm）光刻。对应于不同的曝光波长，所使用的光刻胶也得到了不断的发展。目前7nm和5nm技术节点已经到来，根据各个技术的芯片制造企业公告，EUV光刻技术已正式导入集成电路制造工艺。在每一代的光刻技术中，光刻胶都是实现光刻过程的关键材料之一。上海i线光刻胶其他助剂
