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  • 29 05
    光聚合型光刻胶集成电路材料

    由于EUV光刻胶膜较薄,通常小于100nm,对于精细的线条,甚至不足50nm,因此光刻胶顶部与底部的光强差异便显得不那么重要了。而很长一段时间以来,限制EUV光刻胶发展的都是光源功率太低,因此研发人员开始反过来选用对EUV光吸收更强的元素来构建光刻胶主体材料。于是,一系列含有金属的EUV光刻胶得到了发展,其中含金属纳米颗粒光刻胶是其中的典... 【查看详情】

  • 29 05
    正性光刻胶单体

    高分子化合物是很早被应用为光刻胶的材料。中文“光刻胶”的“胶”字起初对应于“橡胶”,而至今英文中也常将光刻胶主体材料称为“resin”(树脂),其背后的缘由可见一斑。按照反应机理,高分子光刻胶基本可以分为两类:化学放大光刻胶和非化学放大光刻胶。化学放大机理起初由美国IBM公司于1985年提出,后来被广泛应用于KrF及更好的光刻工艺中。化学... 【查看详情】

  • 23 05
    普陀光刻胶光致抗蚀剂

    2005年,IBM公司的Naulleau等利用MET@ALS评测了KRS光刻胶的EUV性能,可获得线宽35nm、占空比1∶1的图案和线宽28.3nm、占空比1∶4的图案(图13。不过,KRS在曝光过程中需要有少量的水参与,因此其曝光设备中需要引入水蒸气。由于EUV光刻需要在高真空环境中进行,任何气体的引入都会导致真空环境的破坏、光路和掩模... 【查看详情】

  • 22 05
    华东生化试剂三氟乙酸电子级CAS号

    1941年,美国教授开始研究利用电化学对有机物进行氟化,并与1949年申请了专利,由此揭开了有机氟化物快速发展的大幕。1961年,利用三氟乙烷为原料,水为介质,氧气作为氧源,利用电解的方法得到了三氟乙酸,这种方法原料比较廉价易得,反应的选择性比较好,不会发生副反应,产品的收率达到了50%,但是需要在高电压下才能发生反应,安全性比较差。后来... 【查看详情】

  • 13 05
    嘉定湿膜光刻胶树脂

    感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。光刻胶用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶... 【查看详情】

  • 13 05
    昆山光交联型光刻胶溶剂

    目前使用的ZEP光刻胶即采用了前一种策略。日本瑞翁公司开发的ZEP光刻胶起初用于电子束光刻,常用的商用品种ZEP520A为α-氯丙烯酸甲酯和α-甲基苯乙烯的1∶1共聚物。氯原子的引入可提高灵敏度,此外苯乙烯部分也可提高抗刻蚀性和玻璃化转变温度。采用后一种策略时,常用的高分子主链有聚碳酸酯和聚砜。2010年,美国纽约州立大学的课题组报道了一... 【查看详情】

  • 29 04
    江苏KrF光刻胶集成电路材料

    构建负胶除了可通过改变小分子本身的溶解性以外,还可以利用可发生交联反应的酸敏基团实现分子间的交联,从而改变溶解度。Henderson课题组报道了一系列含有环氧乙烷基团的枝状单分子树脂。环氧乙烷基团在酸的作用下发生开环反应再彼此连接,从而可形成交联网状结构,使光刻胶膜的溶解性能降低,可作为负性化学放大光刻胶。通过增加体系内的芳香结构来进一步... 【查看详情】

  • 29 04
    江苏i线光刻胶印刷电路板

    2011年,Whittaker课题组又使用聚砜高分子作为主体材料,制备了链断裂型非化学放大光刻胶。聚砜与聚碳酸酯类似,主链比PMMA更容易断裂,因此该光刻胶的灵敏度更高。但较高的反应活性也降低了其稳定性,因此Whittaker课题组又利用原子转移自由基聚合法(ARTP)制备了一种PMMA-聚砜复合高分子,主链为聚砜,支链为PMMA,呈梳形... 【查看详情】

  • 26 03
    北京生化试剂三氟乙酸电子级分子量

    三氟乙酸是一种强酸,其酸性比硫酸和盐酸还要强。它可以与碱反应生成相应的三氟乙酸盐。由于其强酸性,三氟乙酸在有机合成中被广泛应用。它可以作为催化剂,促进酯化、酰化和酰胺化等反应的进行。此外,三氟乙酸还可以作为溶剂,在有机合成中起到溶解和催化的作用。其次,三氟乙酸具有良好的溶解性。它可以溶解许多有机物,如醇、醚、酮和酯等。这使得三氟乙酸成为一... 【查看详情】

  • 26 03
    浙江显示面板光刻胶树脂

    除了单分子树脂光刻胶以外,两个课题组也针对有机-无机杂化型光刻胶开展了研究。杨国强课题组以金属Zn、Fe等作为主要材料,设计了金属卟啉型和金属二茂型光刻胶。该结构将金属和酸敏保护基团融合在一起,同时具备EUV吸收能力强和酸放大的优势,以期解决无机金属配合物光刻胶灵敏度差的问题。李嫕课题组则开发了一系列二氧化铈等金属氧化物纳米颗粒光刻胶。制... 【查看详情】

  • 26 12
    华东显示面板光刻胶光致抗蚀剂

    由于EUV光刻胶膜较薄,通常小于100nm,对于精细的线条,甚至不足50nm,因此光刻胶顶部与底部的光强差异便显得不那么重要了。而很长一段时间以来,限制EUV光刻胶发展的都是光源功率太低,因此研发人员开始反过来选用对EUV光吸收更强的元素来构建光刻胶主体材料。于是,一系列含有金属的EUV光刻胶得到了发展,其中含金属纳米颗粒光刻胶是其中的典... 【查看详情】

  • 25 12
    显示面板光刻胶印刷电路板

    与EUV光源相比,UV光源更容易实现较高的功率;但UV曝光不能满足分辨线条的形成条件。因此PSCAR实际上是利用EUV曝光形成图案,再用UV曝光增加光反应的程度,从而实现提高EUV曝光灵敏度的效果。在起初的PSCAR体系基础之上,Tagawa课题组还开展了一系列相关研究,并通过在体系中引入对EUV光敏感的光可分解碱,开发出了PSCAR1.... 【查看详情】

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