黏附性是表征光刻胶黏着于衬底的强度。主要衡量光刻胶抗湿法腐蚀能力。它不仅与光刻胶本身的性质有关,而且与衬底的性质和其表面情况等有密切关系 。作为刻蚀阻挡层,光刻胶层必须和晶圆表面黏结得很好,才能够忠实地把光刻层图形转移到晶圆表面层,光刻胶的黏附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的黏附性必须经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。通常负胶比正胶有更强的黏结能力。
表面张力指液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 光刻胶的研发是不断进行配方调试的过程,且难以通过现有产品反向解构出其配方,这对技术有很大的要求。嘉定PCB光刻胶溶剂
中国半导体光刻胶市场规模增速超过全球。随着半导体制程节点不断缩小,光刻工艺对光刻胶要求越来越高,需求量也越来越大。据智研咨询数据,2018年全球半导体用光刻胶市场规模约13亿美元,年复合增速为5.4%,预计未来5年年均增速约8%-10%;中国半导体用光刻胶市场规模约23亿元人民币,年复合增速为9.8%,预计未来5年年均增速约10%。以前,光刻胶主要依赖进口,随着科技的逐渐发展,国产化光刻胶趋势越来越明显,相信国内光刻胶技术会越来越成熟,光刻胶国产化是必然趋势。浙江黑色光刻胶曝光目前,中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主,平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。
中美贸易摩擦:光刻胶国产代替是中国半导体产业的迫切需要;自从中美贸易摩擦依赖,中国大陆积极布局集成电路产业。在半导体材料领域,光刻胶作为是集成电路制程技术进步的“燃料”,是国产代替重要环节,也是必将国产化的产品。光刻是半导制程的重要工艺,对制造出更先进,晶体管密度更大的集成电路起到决定性作用。每一代新的光刻工艺都需要新一代的光刻胶技术相匹配。现在,一块半导体芯片在制造过程中一般需要进行10-50道光刻过程。其中不同的光刻过程对于光刻胶也有不一样的具体需求。光刻胶若性能不达标会对芯片成品率造成重大影响。
目前国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业包括晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华等。相关企业以i 线、g线光刻胶生产为主,应用集成电路制程为350nm以上。在KrF光刻胶领域,北京科华、博康已实现量产。国内在ArF光刻胶领域产业化进程相对较快的企业为南大光电,其先后承担国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“ArF光刻胶产品的开发和产业化项目”,公司自主研发的ArF光刻胶产品成为国内通过客户验证的国产ArF光刻胶,其他国内企业尚处于研发和验证阶段。氧化物型光刻胶:这种类型的光刻胶由氧化硅或其他窄带隙材料制成。在制造高质量微电子设备时非常有用。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。光刻胶只是一种形象的说法,因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。华东TFT-LCD正性光刻胶单体
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。嘉定PCB光刻胶溶剂
在我国煤化工产业转型过程中,精细化将是未来的发展趋势,它既能解决传统煤化工产品雷同、竞争力差、产能过剩等问题,又能改善煤化工私营独资企业能源转换效率和资源综合利用水平偏低的现状。我国正在深入推进去产能,加快私营独资企业企业退出,建立健全落后产能退出机制,其中石化行业是去产能政策落实的重要一环。贸易主要是指应用于建筑过程中的化学品或化学药剂。不但包括直接应用于建筑工程的化学品,也包括经过复合加工衍生而取得的其他建筑化学品。建筑化学品是服务于结构材料、维护材料和装修装饰材料施工应用的一类化学材料。贸易主要是无定型的粉剂、液体和膏状产品。从市场地域上来看,中国是世界上极大的建筑化学品市场,其次是西欧和北美,这三大市场占全球总市场的70%。嘉定PCB光刻胶溶剂
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