光刻胶基本参数
  • 品牌
  • 蔚云
  • 型号
  • 25KG/桶
光刻胶企业商机

光刻胶的产业链上游:主要涉及溶剂、树脂、光敏剂等原材料供应商和光刻机、显影机、检测与测试等设备供应商。从原材料市场来看,由于中国从事光刻胶原材料研发及生产的供应商较少,中国光刻胶原材料市场主要被日本、韩国和美国厂商所占据。从设备市场来看,中国在光刻机、显影机、检测与测试设备行业的起步时间较晚,且这些设备具备较高的制造工艺壁垒,导致中国在光刻胶、显影机、检测与测试设备的国产化程度均低于10%。相信后期国产化程度会越来越高。经过多年技术积累,国内已形成一定光刻胶用电子化学品产能,国内公司市场份额逐步提升,国产替代正在进行。嘉定i线光刻胶溶剂

目前国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业包括晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华等。相关企业以i 线、g线光刻胶生产为主,应用集成电路制程为350nm以上。在KrF光刻胶领域,北京科华、博康已实现量产。国内在ArF光刻胶领域产业化进程相对较快的企业为南大光电,其先后承担国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“ArF光刻胶产品的开发和产业化项目”,公司自主研发的ArF光刻胶产品成为国内通过客户验证的国产ArF光刻胶,其他国内企业尚处于研发和验证阶段。江浙沪半导体光刻胶溶剂光刻胶达到下游客户要求的技术指标后,还需要进行较长时间验证测试(1-3 年)。

分辨率即光刻工艺中所能形成较小尺寸的有用图像。是区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好 。此性质深受光刻胶材质本身物理化学性质的影响,必须避免光刻胶材料在显影过程中收缩或在硬烤中流动。因此,若要使光刻材料拥有良好的分辨能力,需谨慎选择高分子基材及所用的显影剂。分辨率和焦深都是光刻中图像质量的关键因素。在光刻中既要获得更好的分辨率来形成关键尺寸图形,又要保持合适的焦深是非常矛盾的。虽然分辨率非常依赖于曝光设备,但是高性能的曝光工具需要与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。

光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。从化学组成来看,金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物。

通常光刻胶等微电子化学品不仅品质要求高,而且需要多种不同的品类满足下游客户多样化的需。如果没有规模效益,供应商就无法承担满足多样化需求带来的开销。因此,品种规模构成了进入该行业的重要壁垒。同时,一般微电子化学品具有一定的腐蚀性,对生产设备有较高的要求,且生产环境需要进行无尘或微尘处理。制备微电子化学品还需要全封闭、自动化的工艺流程,以避免污染,提高质量。因此,光刻胶等微电子化学品生产在安全生产、环保设备、生产工艺系统、过程控制体系以及研发投资等方面要求较高。如果没有强大的资金实力,企业就难以在设备、研发和技术服务上取得竞争优势,以提升可持续发展能力。因此,光刻胶这样的微电子化学品行业具备较高的资金壁垒。高壁垒和高价值量是光刻胶的典型特征。光刻胶属于技术和资本密集型行业,全球供应市场高度集中。昆山化学放大型光刻胶

光刻胶下游为印刷电路板、显示面板和电子芯片,广泛应用于消费电子、航空航天等领域。嘉定i线光刻胶溶剂

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