中国半导体光刻胶市场规模增速超过全球。随着半导体制程节点不断缩小，光刻工艺对光刻胶要求越来越高，需求量也越来越大。据智研咨询数据，2018年全球半导体用光刻胶市场规模约13亿美元，年复合增速为5.4%，预计未来5年年均增速约8%-10%；中国半导体用光刻胶市场规模约23亿元人民币，年复合增速为9.8%，预计未来5年年均增速约10%。以前，光刻胶主要依赖进口，随着科技的逐渐发展，国产化光刻胶趋势越来越明显，相信国内光刻胶技术会越来越成熟，光刻胶国产化是必然趋势。光刻胶市场 ArF 与 KrF 占据主流，EUV 增长较快。嘉定显示面板光刻胶光致抗蚀剂
在平板显示行业：主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。在光刻和蚀刻生产环节中，光刻胶涂覆于晶体薄膜表面，经曝光、显影和蚀刻等工序将光罩（掩膜版）上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版对应的几何图形。
在PCB行业；主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上，进行曝光显影；湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上，待其干燥后进行曝光显影。干膜与湿膜各有优势，总体来说湿膜光刻胶分辨率高于干膜，价格更低廉，正在对干膜光刻胶的部分市场进行替代。 昆山黑色光刻胶半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。
1）增感剂（光引发剂）：是光刻胶的关键成分，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。2）感光树脂（聚合剂）：用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架，决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本属性。3）溶剂：是光刻胶中比较大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎无影响。4）助剂：通常是专有化合物，主要用来改变光刻胶特定化学性质。根据应用领域，光刻胶可分为半导体光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶，其技术壁垒依次降低（半导体光刻胶> LCD光刻胶> PCB光刻胶）。从国产化进程来看，PCB光刻胶目前国产替代进度较快，LCD光刻胶替代进度相对较快，而在半导体光刻胶领域国产技术较国外先进技术差距比较大。
黏附性是表征光刻胶黏着于衬底的强度。主要衡量光刻胶抗湿法腐蚀能力。它不仅与光刻胶本身的性质有关，而且与衬底的性质和其表面情况等有密切关系 。作为刻蚀阻挡层，光刻胶层必须和晶圆表面黏结得很好，才能够忠实地把光刻层图形转移到晶圆表面层，光刻胶的黏附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的黏附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。通常负胶比正胶有更强的黏结能力。
表面张力指液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 光刻胶行业日系企业实力雄厚，国内厂商有望复刻成功经验。
环化橡胶型光刻胶：属于聚烃类——双叠氮系光刻胶。这种胶是将天然橡胶溶解后，用环化剂环化制备而成的。一般来说，橡胶具有较好的耐腐蚀性，但是它的感光活性很差。橡胶的分子量在数十万以上，因此溶解性甚低，无论在光刻胶的配制还是显影过程中都有很大困难。因此无法直接采用橡胶为原料配制光刻胶。这一类光刻胶的重要组成部分为交联剂，又称架桥剂，可以起到光化学固化作用，依赖于带有双感光性官能团的交联剂参加反应，交联剂曝光后产生双自由基，它和聚烃类树脂相作用，在聚合物分子链之间形成桥键，变为三维结构的不溶性物质。按显示效果分类：光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。嘉定化学放大型光刻胶
目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。嘉定显示面板光刻胶光致抗蚀剂
目前国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业包括晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华等。相关企业以i 线、g线光刻胶生产为主，应用集成电路制程为350nm以上。在KrF光刻胶领域，北京科华、博康已实现量产。国内在ArF光刻胶领域产业化进程相对较快的企业为南大光电，其先后承担国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“ArF光刻胶产品的开发和产业化项目”，公司自主研发的ArF光刻胶产品成为国内通过客户验证的国产ArF光刻胶，其他国内企业尚处于研发和验证阶段。嘉定显示面板光刻胶光致抗蚀剂
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