抗蚀性即光刻胶材料在刻蚀过程中的抵抗力。在图形从光刻胶转移到晶片的过程中，光刻胶材料必须能够抵抗高能和高温（>150℃）而不改变其原有特性 。在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力 。在湿法刻蚀中，印有电路图形的光刻胶需要连同硅片一同置入化学刻蚀液中，进行很多次的湿法腐蚀。只有光刻胶具有很强的抗蚀性，才能保证刻蚀液按照所希望的选择比刻蚀出曝光所得图形，更好体现器件性能。在干法刻蚀中，例如集成电路工艺中在进行阱区和源漏区离子注入时，需要有较好的保护电路图形的能力，否则光刻胶会因为在注入环境中挥发而影响到注入腔的真空度。此时注入的离子将不会起到其在电路制造工艺中应起到的作用，器件的电路性能受阻。我国光刻胶行业起步较晚，生产能力主要集中在 PCB 光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品。嘉定黑色光刻胶曝光
在双重曝光工艺中，若光刻胶可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮挡的区域发生光化学反应，就可以节省一次刻蚀，一次涂胶和一次光刻胶清洗流程。由于在非曝光区域光刻胶仍然会接受到相对少量的光刻辐射，在两次曝光过程后，非曝光区域接受到的辐射有可能超过光刻胶的曝光阈值E0，而发生错误的光刻反应。如果非曝光区域的光刻胶在两次曝光后接受到的辐射能量仍然小于其曝光阈值E0，那么就是一次合格的双重曝光。从这个例子可以看出，与单次曝光不同，双重曝光要求光刻胶的曝光阈值和光刻光源的照射强度之间的权衡。江浙沪KrF光刻胶光致抗蚀剂根据应用领域不同，光刻胶可分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶和半导体光刻胶，技术门槛逐渐递增。
光刻胶的产业链中游：为光刻胶制造环节，当前全球光刻胶生产制造商主要被日本JSR、信越化学、住友化学、东京应化、美国陶氏化学等制造商所垄断，中国本土企业在光刻胶市场的份额较低，与国外光刻胶制造商相比仍存明显差距。
光刻胶的产业链下游：主要涉及半导体、平板显示器、PCB等领域。伴随消费升级、应用终端产品更新迭代速度加快，下游应用领域企业对半导体、平板显示和PCB制造提出愈加精细化的要求，将带动光刻胶行业持续发展。
光刻胶所属的微电子化学品是电子行业与化工行业交叉的领域，是典型的技术密集行业。从事微电子化学品业务需要具备与电子产业前沿发展相匹配的关键生产技术，如混配技术、分离技术、纯化技术以及与生产过程相配套的分析检验技术、环境处理与监测技术等。同时，下游电子产业多样化的使用场景要求微电子化学品生产企业有较强的配套能力，以及时研发和改进产品工艺来满足客户的个性化需求。光刻胶的生产工艺主要过程是将感光材料、树脂、溶剂等主要原料在恒温恒湿 1000 级的黄光区洁净房进行混合，在氮气气体保护下充分搅拌，使其充分混合形成均相液体，经过多次过滤，并通过中间过程控制和检验，使其达到工艺技术和质量要求，然后做产品检验，合格后在氮气气体保护下包装、打标、入库。光刻胶属于技术和资本密集型行业，目前主要技术主要掌握在日、美等国际大公司手中，全球供应市场高度集中。
包括光刻胶在内的微电子化学品有技术要求高、功能性强、产品更新快等特点，其产品品质对下游电子产品的质量和效率有非常大的影响。因此，下游企业对微电子化学品供应商的质量和供货能力十分重视，常采用认证采购的模式，需要通过送样检验、技术研讨、信息回馈、技术改进、小批试做、大批量供货、售后服务评价等严格的筛选流程。认证时间久，要求严苛；一般产品得到下游客户的认证需要较长的时间周期。显示面板行业通常为1-2年，集成电路行业由于要求较高，认证周期能达到2-3年时间；认证阶段内，光刻胶供应商没有该客户的收入，这需要供应收有足够的资金实力。光刻胶供应商与客户粘性大；一般情况下，为了保持光刻胶供应和效果的稳定，下游客户与光刻胶供应商一旦建立供应关系后，不会轻易更换。通过建立反馈机制，满足个性化需求，光刻胶供应商与客户的粘性不断增加。后来者想要加入到供应商行列，往往需要满足比现有供应商更高的要求。所以光刻胶行业对新进入者壁垒较高。光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，受到光照后特性会发生改变，主要应用于电子工业和印刷工业领域。浦东干膜光刻胶印刷电路板
经过多年技术积累，国内已形成一定光刻胶用电子化学品产能，国内公司市场份额逐步提升，国产替代正在进行。嘉定黑色光刻胶曝光
虽然在2007年之后，一些波长更短的准分子光刻光源技术陆续出现，但是这些波段的辐射都很容易被光刻镜头等光学材料吸收，使这些材料受热产生膨胀而无法正常工作。少数可以和这些波段的辐射正常工作的光学材料，比如氟化钙（萤石）等，成本长期居高不下。再加上浸没光刻和多重曝光等新技术的出现，193nm波长ArF光刻系统突破了此前 65nm 分辨率的瓶颈，所以在45nm 到10nm之间的半导体制程工艺中，ArF光刻技术仍然得到了很大的应用。在与浸没光刻相对的干法光刻中，光刻透镜与光刻胶之间是空气。光刻胶直接吸收光源发出的紫外辐射并发生光化学反应。在浸没光刻中，光刻镜头与光刻胶之间是特定液体。这些液体可以是纯水也可以是别的化合物液体。光刻光源发出的辐射经过这些液体的时候发生了折射，波长变短。这样，在不改变光源的前提条件下，更短波长的紫外光被投影光刻胶上，提高了光刻加工的分辨率。嘉定黑色光刻胶曝光
