1）增感剂（光引发剂）：是光刻胶的关键成分，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。2）感光树脂（聚合剂）：用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架，决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本属性。3）溶剂：是光刻胶中比较大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎无影响。4）助剂：通常是专有化合物，主要用来改变光刻胶特定化学性质。根据应用领域，光刻胶可分为半导体光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶，其技术壁垒依次降低（半导体光刻胶> LCD光刻胶> PCB光刻胶）。从国产化进程来看，PCB光刻胶目前国产替代进度较快，LCD光刻胶替代进度相对较快，而在半导体光刻胶领域国产技术较国外先进技术差距比较大。亚甲基双苯醚型光刻胶：这种类型的光刻胶适用于制造精度较低的电路元件。浦东负性光刻胶集成电路材料
伴随全球半导体产业东移，加上我国持续增长的下游需求和政策支持力度。同时，国内晶圆厂进入投产高峰期，由于半导体光刻胶与下游晶圆厂具有伴生性特点，国内光刻胶厂商将直接受益于晶圆厂制造产能的大幅扩张。当前我国光刻胶与全球先进水平有近40年的差距，半导体国产化的大趋势下，国内企业有望逐步突破与国内集成电路制造工艺相匹配的光刻胶，所以必须要对光刻胶足够的重视，不断向日本和欧美等发达国家学习，努力开发出性能优异的国产光刻胶，使我国在未来的市场中占据一席之地。上海KrF光刻胶其他助剂在PCB行业：主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。
美国能源部布鲁克海文国家实验室的研究人员采用原子层沉积（ALD）系统，将有机聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）与氧化铝结合起来，创造了杂化有机-无机光刻胶。他们在将涂有PMMA薄膜的衬底放到ALD反应室中之后，引入了铝前驱物蒸汽。这个蒸汽通过PMMA基质内部的微小分子孔扩散，与聚合物链内部的化学物质结合到一起。然后，他们引入了另一种前驱物（例如水），与前驱物反应形成PMMA基体内部的氧化铝。该杂化光刻胶的蚀刻选择比远远高于ZEP（一种昂贵的光刻胶）和二氧化硅。
光刻胶是集成电路领域微加工的关键性材料，为推动光刻胶等半导体材料行业的发展，近年来，我国发布了多项利好政策支持光刻胶产业发展，同时国内企业也积极研发产品，主动寻求光刻胶及其他材料国产化。现阶段，我国光刻胶企业有晶瑞电材、彤程新材、华懋科技、南大光电等，在国产替代大契机下，国内光刻胶企业将迎来发展良机。国内产业链下游企业逐渐意识到材料国产化的重要性，国内厂商也在积极研发产品、加速客户和产品导入、扩建相关产能，在探索中砥砺前行，从而抓住国产化的契机。目前已有少数企业已开始崭露头角，实现从0到1的突破。目前，我国光刻胶自给率较低，生产也主要集中在中低端产品，国产替代的空间广阔。
EUV(极紫外光)光刻技术是20年来光刻领域的进展。由于目前可供利用的光学材料无法很好支持波长13nm以下的辐射的反射和透射，因此 EUV 光刻技术使用波长为13.5nm的紫外光作为光刻光源。EUV（极紫外光）光刻技术将半导体制程技术在10nm以下的区域继续推进。在 EUV 光刻工艺的 13.5nm 波长尺度上，量子的不确定性效应开始显现，为相应光源，光罩和光刻胶的设计和使用带来了前所未有的挑战。目前 EUV 光刻机只有荷兰 ASML 有能力制造，许多相应的技术细节尚不为外界所知。在即将到来的 EUV 光刻时代，业界预期已经流行长达 20 年之久的 KrF、ArF 光刻胶技术或将迎来技术变革。光刻胶的国产化公关正在展开，在面板屏显光刻胶领域，中国已经出现了一批有竞争力的本土企业。上海化学放大型光刻胶印刷电路板
从化学组成来看，金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物。浦东负性光刻胶集成电路材料
光刻工艺历经硅片表面脱水烘烤、旋转涂胶、软烘、曝光、曝光后烘烤、显影、坚膜烘烤、显影检查等工序。在光刻过程中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光、显影与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40-50%，是半导体制造中重要的工艺。随着半导体制程不断缩小，光刻工艺对光刻胶要求逐步提高，需求量也随之增加。从全球市场来看，专注电子材料市场研究的TECHCET预测数据显示，2021年全球半导体制造光刻胶市场规模将同比增长11%，达到19亿美元。浦东负性光刻胶集成电路材料
