浙江压敏电阻MOV参数

来明电子成立于2010年，是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构，专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案。我们在业内拥有二十多年的经验，整合了质量的供应链资源，产品包含各类电容产品、二极管、桥堆、场效应管、气体放电管、压敏电阻、保险丝、继电器、晶振、国产芯片等。我们严格筛选生产供应商，制定供应商评估体系，在产品质量、发货速度、售后服务、交货方面进行严格考核，持续为客户提供***产品。所有合作伙伴均通过相关国际质量管理体系认证，拥有专业生产基地和实验室、**的自动化设备生产线，保证产品高标准、高质量、批量化生产。压敏电阻可通过串联的方式来提供工作电压。浙江压敏电阻MOV参数

压敏电阻材质：**常见的压敏电阻是金属氧化物压敏电阻（MOV, Metal Oxide Varistor），它包含由氧化锌颗粒与少量其他金属氧化物或聚合物间隔构成的陶瓷块，夹于两金属片间。颗粒与邻近氧化物交界处会形成二极管效应，由于有大量杂乱颗粒，使得它等同于一大堆背向相连的二极管，低电压时只有很小的逆向漏电电流，当遇到高电压时，二极管因热电子与隧道效应而发生逆向崩溃，流通大电流。因此，压敏电阻的电流-电压特性曲线具有高度的非线性: 低电压时电阻高、高电压时电阻低。由于主要成份或品牌的不同，金属氧化物压敏电阻有时还可以看到这些名称: ZNR (Zinc-Oxide Non-linear Resistor, 氧化锌非线性电阻)、ZOV (Zinc-oxide Varistor)、CNR (Composite Nonlinear Resistor[2])，TNR (Titanium-oxide based Non-linear Resistor, 氧化钛非线性电阻, 不过也可能是 Toshiba Non-linear Resistor, 东芝公司的非线性电阻等。高能压敏电阻MOV压敏电压压敏电阻通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流。

来明电子团队在电路保护领域深耕多年，从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们可提供全系列MOV产品，包括贴片型MOV和插件型MOV产品。贴片型MOV产品封装涵盖0402至3220，另有贴片塑封型MOV产品，塑封型MOV产品尺寸有3225和4032的尺寸规格，该产品通流量对标7D和10D的MOV产品，电压可做到680V。插件型MOV产品从小尺寸5mm至25mm，大尺寸从32mm至53mm。我们也可以根据客户的要求，对MOV的电性（通流量）、脚型、尺寸等参数进行灵活定制，满足客户客制化要求。

氧化锌压敏电阻器的瓷体，属于半导体，包括了94％-98％的氧化锌和2-6％的添加剂(例如，氧化铋、氧化钴、氧化锰、氧化镍、氧化锑、氧化硼、氧化铬、氧化硅等氧化物)。但是，氧化锌压敏电阻器的表面电阻率低和存在氧化物颗粒，电镀时容易产生金属ni和sn镀在瓷体上，即产生“爬镀”现象，从而使两个端电极短路，导致变阻器成为导体。为避免爬镀现象的发生，一般需要对瓷体进行表面处理，使其表面绝缘化，且不易产生爬镀。玻璃包封工艺，是一种常用的表面处理技术，具体是先制备玻璃粉，以玻璃粉为主要成分加入有机添加剂等制备成玻璃浆料，然后通过喷涂设备对产品进行多面多次的喷涂方式在电子元器件上包覆一层绝缘玻璃层。这种方法工艺不仅繁琐、操作次数多，需要特定的喷涂设备和装置，而且在喷涂浆料的过程中，容易出现浆料流挂、不均匀的现象，导致后续电镀出现爬镀、烧结后产品外观出现凹坑、粘片、脱落等问题。高分子绝缘材料进行涂覆包裹的方法在实际生产中也需要特定的夹具和设备，操作要求高，对于小型化器件处理不利于操作。显然，这两种表面处理的使用方面受到了限制，并不适用于简单、批量化处理电子元器件。压敏电阻的相应时间为25ns.

研究结果表明，若压敏电阻存在着制造缺陷，易发生早期失效，强度不大的电冲击的多次作用也会加速老化过程，使老化失效提早出现。而氧化锌压敏电阻器出现暂态过电压破坏则是一个短时间内造成器件损坏的情况，所谓的暂态过电压破坏，指的是短时间内出现较强的暂态过电压使电阻体穿孔，导致更大的电流而高热起火，整个过程在较短时间内发生。按照氧化锌压敏电阻器失效后的表现情况来看，可以分成三种常见的失效状态，即劣化、炸裂和穿孔。当表现为劣化状态时，实物表现为使用万用表测试压敏电阻时出现漏电流增大情况，压敏电压下降，直至为零。当表现为炸裂情况时，则压敏电阻器在抑制过电压时将会发生陶瓷炸裂现象，非常明显。当氧化锌压敏电阻器表现为穿孔情况时，则电阻器的陶瓷外层将会瞬间发生电击穿，出现穿孔状态。压敏电阻很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中应用。高能压敏电阻MOV压敏电压

贴片压敏电阻一般用于电路静电保护。浙江压敏电阻MOV参数

国内压敏电阻应用研究进展：20世纪80年代中期，通过引进技术，我国的ZnO压敏电阻片制造水平得到迅速提高，电位梯度达约18kV/cm，能量吸收能力提高到约100J/cm3(比较高150J/cm。这是我国ZnO压敏电阻片制造水平迅速提高的阶段。随着ZnO压敏电阻片研究的不断深入，逐步将电位梯度提高到近年来的，能量吸收能力也有所提高，逐步满足了500kVMOA的需求，一定程度上满足了GIS-MOA小型化发展的阶段需要。电阻片的残压水平逐步降低，泄漏电流特别是阻性泄漏电流逐步减小，老化荷电率提高，老化特性变好(老化系数KCT接近1，甚至小于1)。由于能量吸收能力提高不多，电阻片规格却越做越大，促进了避雷器心体向单柱式发展。浙江压敏电阻MOV参数

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