广东压敏电阻MOV国产替代

MOV压敏电阻是一种廉价的浪涌保护器件，广泛应用于各类电子设备，通讯：机顶盒、XDSL、基站，交换机、路由器、智慧消防、远程抄表、智能家居等；消费电子：手机、笔记本电脑、PAD、可穿戴设备、防雷击插座、共享电单车、电动自行车等商用设备：影印设备、传真机、空调设备、投影仪、会议系统、音响设备、各类警报器等；工控产品：工业计算机、仪器设备、电梯控制板、工业机床控制、工业马达驱动、工业仪表等汽车电子：电池管理（BMS）、车载逆变器、车灯（LED）、行车记录仪、倒车系统、车载影音等；电源：充电桩、开关电源、UPS电源、LED驱动电源、电源适配器、特种电源等。仪器仪表：电表、智能仪表、流量计、压力压差变送器、多路巡检仪表、传播仪表等家电：洗衣机，空调，电视、家用影音设备、抽油烟机、扫地机器人等。压敏电阻漏电流是指在25℃条件下，当施加比较大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。广东压敏电阻MOV国产替代

压敏电阻是大家都会经常用的一款电阻器，那么对于压敏电阻发展历史你们有所了解吗？为此小编跟大家科普一下这方面的知识。一起进入本文的主题吧！1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、tiO等)压敏电阻器也得到发展。目前压敏电阻在各类电源设备被使用。 北京热保护压敏电阻MOV常用的压敏电阻型号有621KD10或10D621K。

压敏电阻通流容量(Imax(8/20us))通流容量也称通流量，是指在规定的条件（以规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。一般过压是一个或一系列的脉冲波。实验压敏电阻所用的冲击波有两种，一种是为8/20μs波，即通常所说的波头为8μs波尾时间为20μs的脉冲波，另外一种为2ms的方波。所谓通流容量，即比较大脉冲电流的峰值是环境温度为25℃情况下，对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言，压敏电压的变化不超过±10％时的比较大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命，ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品比较大通流量。然而从保护效果出发，要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下，实际发生的通流量是很难精确计算的，则选用2-20kA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时，可将几只单个的压敏电阻并联使用，并联后的压敏电压不变，其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同，否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。

压敏电阻的选用及注意事项：一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况**坏时，也不应高于额定值中选择的比较大连续工作电压，该比较大连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般应使用下式进行选择：VmA=av/bc式中[2]：a为电路电压波动系数；v为电路直流工作电压（交流时为有效值）；b为压敏电压误差；c为元件的老化系数，；这样计算得到的VmA实际数值是直流工作电压的[2]，在交流状态下还要考虑峰值，因此计算结果应扩大1．414倍[3]。另外，选用时还必须注意：(1)必须保证在电压波动比较大时，连续工作电压也不会超过比较大允许值，否则将缩短压敏电阻的使用寿命；(2)在电源线与大地间使用压敏电阻时，有时由于接地不良而使线与地之间电压上升，所以通常采用比线与线间使用场合更高标称电压的压敏电阻器。压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的比较大通流量。压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。

在压敏电阻各种不同的应用中，要用到I-V特性曲线的所有区段，小电流线性区决定了功耗，即决定外加稳态电压时的工作电压。非线性区决定着施加瞬态浪涌时的限制电压。高电流区的特性**了保护大电流冲击比如雷电的极限情况。因此对于高电流运用情况，我们希望元件的上升出现在尽可能高的电流密度区段，这样会使元件电压上升**小。以下将介绍压敏电阻器的主要应用参数及其功能。研究表明在室温下ZnO晶粒的电阻率为()x10m，晶界区的电阻率约为(108~1010Ωm，而晶界的厚度基本是一定的，并且研究表明不同的材料、配方以及不同测定晶界电阻率的测试技术的情况下，所得到的晶界电阻率基本上是很接近的。因此决定压敏电压高低的主要因素是元件的尺寸和晶粒的尺寸。晶粒大小是获得所要求的元件的电压的构成单元。也就是说，这是压敏电压的体积效应。为提高压敏电压，只要增加元件尺寸(晶粒尺寸一定)或者减少晶粒尺寸(元件尺寸一定)。对于一个固定的配方，晶粒大小的主要影响因素有:烧结温度、保温时间、原料的颗粒度。此外还可以在配方中引入一些新的添加剂，在烧结过程中抑制晶粒的长大或者改变晶界电阻率来提高元件的电压梯度。20mm 压敏电阻脚间距一般为7.5mm或10mm。广东压敏电阻MOV国产替代

当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时，流过它的电流激增，它相当于阻值无穷小的电阻。广东压敏电阻MOV国产替代

压敏电阻器的晶相

ZnO压敏陶瓷是以Zn为主体添加若于其它氧化物改性的烧结体。氧化物添加剂除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界。ZnO是n型半导体，它是构成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界相。因此，ZnO半导体陶瓷是多相陶瓷。图，它们的化学式及各种相的掺杂。(1)ZnO相:构成ZnO半导体陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型电导特性，不同方法测试得到室温电阻率为()Ω·cm;ZnO晶粒对V-I特性的影响，尤其在大电流情况下，ZnO晶粒上产生的压降更有决定性影响。(2)尖晶石相:尖晶石相是不连续的，该相和ZnO以及富铋相在高温下并存，因此它对各相的分配起作用，使富铋相有个特定的组成。又由于它在ZnO晶粒边界凝结，能够抑制ZnO晶粒的生长。(3)焦绿石相:该相也是不连续的，主要是在高温烧结时与ZnO形成富铋相。(4)富铋相:富铋相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相烧结成陶瓷。又由于富铋相在晶界层中结晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富铋相有产生高α值的作用。 广东压敏电阻MOV国产替代