高焦耳压敏电阻MOV电路

压敏电阻的保护原理压敏电阻是一种限压型保护器件，利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。你的压敏电阻为什么会损坏，到底是什么原因？二、压敏电阻损坏原因分析压敏电阻的失效模式主要是短路，不过，短路并不会引起压敏电电阻损坏，因为电阻是并在电源正负入口的；保险是好的证明不是短路或过流引起的，有可能是浪涌能量太大，超出吸收功率烧毁压敏电阻；当通过的过电流太大时，也可能造成阀片被炸裂而开路。那么，照成压敏电阻损坏有哪些原因呢？1、过压保护的次数；2、周围工作温度；3、压敏电阻有无受挤压；4、是否通过品质认证；5、浪涌能量太大，超出吸收功率；6、耐压不够；7、电流与浪涌过大等等。还有，压敏电阻使用寿命较短，多次冲击后性能会下降，因此由压敏电阻构成的防雷器长时间使用后存在维护及更换的问题。压敏电阻承受的异常过电压特性的不同，可将压敏电阻区分为浪涌抑制型、高功率型和高能型这三种类型。高焦耳压敏电阻MOV电路

研究结果表明，若压敏电阻存在着制造缺陷，易发生早期失效，强度不大的电冲击的多次作用也会加速老化过程，使老化失效提早出现。而氧化锌压敏电阻器出现暂态过电压破坏则是一个短时间内造成器件损坏的情况，所谓的暂态过电压破坏，指的是短时间内出现较强的暂态过电压使电阻体穿孔，导致更大的电流而高热起火，整个过程在较短时间内发生。按照氧化锌压敏电阻器失效后的表现情况来看，可以分成三种常见的失效状态，即劣化、炸裂和穿孔。当表现为劣化状态时，实物表现为使用万用表测试压敏电阻时出现漏电流增大情况，压敏电压下降，直至为零。当表现为炸裂情况时，则压敏电阻器在抑制过电压时将会发生陶瓷炸裂现象，非常明显。当氧化锌压敏电阻器表现为穿孔情况时，则电阻器的陶瓷外层将会瞬间发生电击穿，出现穿孔状态。贴片压敏电阻MOV压敏电压14d（14mm）压敏电阻的通流量一般为2.5kA，高焦耳产品通流量一般为3.5kA。

压敏电阻的漏电流确定了压敏电阻上加上稳态工作电压后的有功功耗。在一定的电压下引起漏电流工，引起元件的发热，发热功率为IR。普通的SiC避雷器几乎总是有间隙的结构，因此不存在漏电流问题。就这一点而言，SiC是被动元件，而ZnO是个主动的活性元件。其次漏电流的大小确定了稳态工作电压V的数值，在这个电压下元件不会因为产生过高的发热现象，若过度发热，则必须降低V进而减小。有必要从以下2个方面来权衡V及其产生的L:一方面希望把工作电压尽可能放在非线性的开始点，即尽可能的接近ElmA，以获得比较好保护水平:另一方面要防止元件因过度发热而失控。对于电力系统应用的大多数情况而言，将稳定工作电压设定在Em的70%到80%为宜。

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。

压敏电阻的工作原理：当加在压敏电阻上的电压低于它的阈值时，流过它的电流极小，它相当于一个阻值无穷大的电阻。也就是说，当加在它上面的电压低于其阈值时，它相当于一个断开状态的开关。当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时，流过它的电流激增，它相当于阻值无穷小的电阻。也就是说，当加在它上面的电压高于其阈值时，它相当于一个闭合状态的开关。压敏电阻具有堆成的伏安特性曲线，可用于交变的电源保护，一般用于AC输入交流电源的防雷保护。区分是电源保护用压敏电阻器，还是信号线、数据线保护用压敏电阻器，它们要满足不同的技术标准的要求。江苏压敏电阻MOV型号

压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。高焦耳压敏电阻MOV电路

贴片压敏电阻与TVS二极管的区别：贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。 主要采用积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。 而TVS二极管是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。 在二极管中，也有使用Au丝等的情况。从盘型压敏电阻等初期的压敏电阻时的记忆中，压敏电阻的反应速度慢，经常听到这样的话。 但是，贴片压敏电阻和TVS二极管对施加过电压的反应速度一样。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，在1ns以内达到峰值，400ns后施加在保护部件上的电压值几乎为0。压敏电阻和TVS二极管的静电容量幅度大不相同。 由于贴片压敏电阻采用积层结构，所以可以通过增加内部电极的层数，增加静电容量。 用EIA0805以下的尺寸进行比较时，静电容量的最大值有近100倍的差距。 因此，在必须并联放入MLCC的线路中，也有可以用单个贴片压敏电阻应对的情况。高焦耳压敏电阻MOV电路